RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-VSKE320-12PBF	149.9550	RFQ	5326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKE32012PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V				50 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	320A	-
VS-16FLR40S05	5.2510	RFQ	9709	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	16FLR40	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 v @ 16 a	500 ns	50 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-10ETF06StrrPBF	-	RFQ	6908	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs10etf06strpbf	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Fep6athe3/45	-	RFQ	4819	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	Fep6	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4003GP-E3/73	0.5800	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4003	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
10CTQ150Strr	-	RFQ	9636	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	930 MV @ 5 A		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BAS16D-G3-18	0.0396	RFQ	2414	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	BAS16	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		75 V		1.25 V @ 150 Ma	6 ns	1 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	250 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
30CTH02-1	-	RFQ	4933	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	30cth	Estándar		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30CTH02-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SS34-3HE3/9at	-	RFQ	5069	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
SSA24HE3/61T	-	RFQ	9930	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SSA24	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 2 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2a	-
RGP10A-M3/73	-	RFQ	3200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SGL41-50-E3/97	0.3383	RFQ	4027	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Do-213ab, melf	SGL41	Schottky		GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		700 MV @ 1 A		500 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1 MHz
VS-35APF06L-M3	1.7878	RFQ	3717	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	35APF06	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.46 V @ 35 A	160 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	35a	-
Fesb16cthe3_a/p	1.3530	RFQ	2656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	175pf @ 4V, 1MHz
Murb1620ct-1	-	RFQ	7525	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Murb1620	Estándar		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Murb1620ct-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	8A	975 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
V30200C-E3/4W	2.7600	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V30200	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.1 V @ 15 A		160 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GI1-1400GPHE3/54	-	RFQ	7925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	Gi1	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	10 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BYM11-200-E3/96	0.4300	RFQ	3976	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym11	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VLZ15C-GS18	-	RFQ	6729	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ15		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 13.6 V				14.72 V	16 ohmios
HFA08TA60C	-	RFQ	9908	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	HFA08	Estándar		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	4A (DC)	1.8 V @ 4 A	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-18TQ035PBF	-	RFQ	3618	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	18TQ035	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		600 MV @ 18 A		2.5 mA @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	18A	-
50WQ03FN	-	RFQ	7792	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	50WQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		460 MV @ 5 A		3 Ma @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5a	-
VS-15CTQ035PBF	-	RFQ	9006	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	15CTQ035	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	550 MV @ 7.5 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-95PFR120	6.5170	RFQ	7613	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95PFR120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PFR120	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
VS-40HFL60S02	11.9500	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40HFL60	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.95 V @ 40 A	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 125 ° C	40A	-
Uh1che3/61t	-	RFQ	5991	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	UH1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.05 v @ 1 a	30 ns	1 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
GDZ8V2B-HE3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ8V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							500 na @ 5 V				8.2 V	30 ohmios
GDZ30B-HE3-18	0.0378	RFQ	1783	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ30		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 23 V				30 V	200 ohmios
GP08GE-E3/54	0.1840	RFQ	6776	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP08	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 800 Ma	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	800mA	-
GP30GHE3/54	-	RFQ	8841	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GP30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 3 a	5 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²