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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UHF5JT-E3/4W	-	RFQ	9041	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UHF5	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3 V @ 5 A	40 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-10CTQ150S-M3	1.4400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ctq150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	930 MV @ 5 A		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
SS5P6-M3/86A	0.6200	RFQ	67	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS5P6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		690 MV @ 5 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	200pf @ 4V, 1MHz
VS-20CTQ035StrrPBF	-	RFQ	4104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20CTQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	20A	760 MV @ 20 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-8AF2RPP	-	RFQ	1445	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-47	8AF2	Polaridad Inversa Estándar		B-47	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V				5 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 195 ° C	50A	-
Esh2bhe3_a/h	0.1576	RFQ	6710	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		930 MV @ 2 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	30pf @ 4V, 1 MHz
MBRB30H50CThe3/45	-	RFQ	4647	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	15A	680 MV @ 15 A		60 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
RGF1MHE3/5CA	-	RFQ	8021	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214BA	RGF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
BZX884B12L-HG3-08	0.3600	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX884L	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	0402 (1006 Métrica)			300 MW	DFN1006-2A	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V				12 V	25 ohmios
VS-50SQ060	-	RFQ	4929	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	50sq060	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		660 MV @ 5 A		550 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
Murs360he3_a/i	0.2932	RFQ	1829	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Murs360	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.28 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-10TQ040-M3	1.1800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	10TQ040	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		670 MV @ 20 A		2 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	900pf @ 5V, 1 MHz
VS -50KR10A	28.5996	RFQ	3221	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	150kr10	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.33 v @ 471 a		35 Ma @ 100 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
VS-MUrB2020CTPBF	-	RFQ	1676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb2020	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	850 MV @ 8 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
V2fm10-m3/i	0.0759	RFQ	9034	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V2FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		830 MV @ 2 A		55 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2a	150pf @ 4V, 1 MHz
30WQ10FNTRR	-	RFQ	2129	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ10	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		810 MV @ 3 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
VS-80SQ035TR	-	RFQ	3385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	80SQ035	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		530 MV @ 8 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-UFB200FA20P	-	RFQ	7043	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB200	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSUFB200FA20P	EAR99	8541.10.0080	180	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	120a	1.1 V @ 120 A	34 ns	50 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VSSC8L45-M3/9AT	0.5800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SC8L45	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		420 MV @ 4 A		1.85 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4.9a	1216pf @ 4V, 1MHz
VS-48CTQ060-1PBF	-	RFQ	9248	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	48CTQ060	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	610 MV @ 20 A		2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
IRD3912	-	RFQ	4913	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	IRD3912	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRD3912	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.8 V @ 62.8 A	350 ns	80 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 125 ° C	30A	-
SS23S-M3/5AT	0.0721	RFQ	1541	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Ss23	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2a	-
VS-E4PU6006LHN3	2.8900	RFQ	7310	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	E4PU6006	Estándar		Un 247ad	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 60 A	74 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
SS6P4C-M3/87A	0.2242	RFQ	2603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss6p4	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	3A	650 MV @ 3 A		200 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5248B-E3-18	-	RFQ	9656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5248		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
BZD27C6V8P-M-08	-	RFQ	3556	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	Bzd27c6v8		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.8 V	3 ohmios
TVR06D-E3/54	-	RFQ	5542	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	TVR06	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 V @ 600 Ma		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	600mA	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-25FR10M	8.5474	RFQ	7579	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	25FR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS25FR10M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 78 A			-65 ° C ~ 175 ° C	25A	-
VS-6CWQ04FNPBF	-	RFQ	3561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6CWQ04	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	3.5a	530 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-19TQ015PBF	-	RFQ	9381	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	19TQ015	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		360 MV @ 19 A		1.5 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	19A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²