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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
VSSAF3M6-M3/H	0.4300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	Saf3m6	Schottky	DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		620 MV @ 3 A		300 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	500pf @ 4V, 1MHz
VS-150K60A	37.3500	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre	Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	150k60	Estándar	DO-205AA (DO-8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.33 v @ 471 a		35 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
GP08G-E3/54	0.1780	RFQ	6288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP08	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 800 Ma	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	800mA	-
225CNQ015	-	RFQ	9821	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Monte del Chasis	TO-244AB	225cnq	Schottky	TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*225CNQ015	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	220a	490 MV @ 220 A		40 mA @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C
VS-70HF10	8.0500	RFQ	3279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HF10	Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.35 V @ 220 A		15 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
VS-40HF20M	15.4477	RFQ	4193	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40HF20	Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS40HF20M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 125 A			-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
S5A-M3/9AT	0.1549	RFQ	2906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S5A	Estándar	DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.15 v @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
RGP10GEHE3/91	-	RFQ	2439	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
IRD3903	-	RFQ	7532	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	IRD3903	Estándar	DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRD3903	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.65 V @ 62.8 A	350 ns	50 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 125 ° C	20A	-
47CTQ020Strl	-	RFQ	6309	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	47ctq	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	20 V	20A	450 MV @ 20 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BAV70-HE3-08	0.2300	RFQ	44	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BAV70	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70	Estándar	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	70 V	250 mA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	6 ns	2.5 µA @ 70 V	150 ° C (Máximo)
VS-10TQ045PBF	-	RFQ	3098	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic	A Través del Aguetero	Un 220-2	10TQ045	Schottky	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		760 MV @ 10 A		6 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
SB540-E3/51	-	RFQ	5108	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB540	Schottky	Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		480 MV @ 5 A		500 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
EGL34BHE3/98	-	RFQ	6999	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar	DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
RGP10G-M3/54	-	RFQ	7838	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-MBRB745-M3	1.2000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB745	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	400pf @ 5V, 1MHz
VS-113CNQ100ASLPBF	-	RFQ	2410	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montaje en superficie	D-61-8-SL	113CNQ100	Schottky	D-61-8-SL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-113CNQ100ASLPBFGI	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	55a	1 V @ 110 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VB40150C-E3/4W	2.1000	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB40150	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	20A	1.43 V @ 20 A		250 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
V8pm63-m3/i	0.2090	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky	TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V8PM63-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		640 MV @ 8 A		20 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	4.3a	1460pf @ 4V, 1MHz
VS-STPS30L30CGPBF	-	RFQ	6850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stps30	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	15A	460 MV @ 15 A		1.5 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR1545CThe3/45	-	RFQ	3235	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR15	Schottky	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-80APF12PBF	-	RFQ	9999	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	TO-247-3	80APF12	Estándar	To47ac	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80APF12PBF	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.35 V @ 80 A	480 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	80A	-
VS-VSKJ56/16	37.0440	RFQ	8351	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKJ56	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ5616	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1600 V	30A			10 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
UGF18BCT-E3/45	-	RFQ	9458	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF18	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
GIB1404HE3_A/P	0.8250	RFQ	2852	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	GIB1404	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		975 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-10CDH06HM3/I	1.2200	RFQ	114	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	10CDH06	Estándar	TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	5A	1.5 V @ 5 A	35 ns	3 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)
EGF1B-1HE3_A/H	-	RFQ	9634	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	DO-214BA	EGF1	Estándar	DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
Vit3060c-M3/4W	0.7910	RFQ	3229	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Vit3060	Schottky	Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	700 MV @ 15 A		1.2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
NSB8MT-E3/81	1.0400	RFQ	530	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
SRP300A-E3/73	-	RFQ	3588	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Srp300	Estándar	Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 3 A	100 ns	10 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²