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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
S2B-E3/52T	0.4900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S2B	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	16PF @ 4V, 1MHz
12CTQ035Strr	-	RFQ	6836	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	6A	600 MV @ 6 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-90SQ035	-	RFQ	1441	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	90SQ035	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		480 MV @ 9 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	9A	-
BZW03C82-TAP	-	RFQ	9576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 62 V				82 V	65 ohmios
Nsf8jththththe 45	-	RFQ	6750	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	NSF8	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
GI818	-	RFQ	5477	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI818	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	818gi	EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-63CTQ100-N3	-	RFQ	6829	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	63ctq100	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS63CTQ100N3	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	30A	820 MV @ 30 A		300 µA @ 100 V	175 ° C (Máximo)
VS-MBR2535CTPBF	-	RFQ	6491	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR25	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
8eth06s	-	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-1N1190R	8.7500	RFQ	8314	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1190	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 110 A		10 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
60EPU02	-	RFQ	2635	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60EPU02	Estándar		To47ac modificado	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.08 V @ 60 A	35 ns	50 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
SB15H45L-7000E3/72	-	RFQ	2519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto					SB15H45				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	100
VS-1N3212R	-	RFQ	2862	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3212	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 V @ 15 A		10 Ma @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VSKD320-04	-	RFQ	2549	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	400 V	320A			50 mA @ 400 V
VS-40EPF06-M3	6.8100	RFQ	500	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	40epf06	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.25 V @ 40 A	180 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	40A	-
V2PM12-M3/H	0.3900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PM12	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		980 MV @ 2 A		50 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2a	140pf @ 4V, 1MHz
S3MHE3_A/H	0.4800	RFQ	850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3M	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
GPP60G-E3/54	-	RFQ	2387	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	P600, axial	GPP60	Estándar		P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 6 a	5.5 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-65APF12LHM3	6.4600	RFQ	2278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	65APF12	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.42 V @ 65 A	480 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	65a	-
VS-30WQ04FNTRR-M3	0.2724	RFQ	5586	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ04	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS30WQ04FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		530 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	189pf @ 5V, 1 MHz
AR3PKHM3/86A	-	RFQ	2273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AR3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.9 v @ 3 a	120 ns	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	34pf @ 4V, 1MHz
BZD27C56P-E3-08	0.4400	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C56		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 43 V				56 V	60 ohmios
EGL41AHE3/97	-	RFQ	9860	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
VBT3045CBP-M3/8W	1.2527	RFQ	5976	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT3045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	570 MV @ 15 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BAT54S-HE3-08	0.3400	RFQ	36	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	30 V		800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)
TZX15C-TAP	0.0287	RFQ	9725	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX15		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 11.5 V				15 V	40 ohmios
VS-85HFR10M	19.7286	RFQ	6457	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS85HFR10M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
Egl41bhe3_a/i	-	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar			Alcanzar sin afectado	Egl41bhe3_b/i	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
RGP30G-E3/54	1.1600	RFQ	100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 3 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Egl41che3_a/i	-	RFQ	2723	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar			Alcanzar sin afectado	Egl41che3_b/i	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²