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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
60EPU02	-	RFQ	2635	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	60EPU02	Estándar		To47ac modificado	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.08 V @ 60 A	35 ns	50 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
1N444448WS-HE3-08	0.2700	RFQ	42	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	1N4448	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		720 MV @ 5 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
Egl41che3_a/i	-	RFQ	2723	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar			Alcanzar sin afectado	Egl41che3_b/i	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
RS2K-M3/52T	0.1112	RFQ	3134	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2k	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1.5 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	17PF @ 4V, 1MHz
TZX15C-TAP	0.0287	RFQ	9725	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX15		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 11.5 V				15 V	40 ohmios
GL34JHE3/98	0.5100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-85HFR10M	19.7286	RFQ	6457	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS85HFR10M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
BZX384B5V1-G3-18	0.0445	RFQ	3825	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B5V1		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
Tzx9v1d-tr	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx9v1		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.8 V				9.1 V	20 ohmios
VS-MBR2535CTPBF	-	RFQ	6491	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR25	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
8eth06s	-	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8eth06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-15TQ060Strl-M3	1.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15TQ060	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		620 MV @ 15 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	720pf @ 5V, 1MHz
VS-MBRB4045CTR-M3	0.9179	RFQ	6761	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB4045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	600 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-32CTQ0303TRLPBF	-	RFQ	2676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	32CTQ030	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SML4749HE3_A/I	0.1434	RFQ	3918	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4749		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 18.2 V				24 V	25 ohmios
VS-1N1190R	8.7500	RFQ	8314	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1190	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 110 A		10 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
1N4245GP-M3/54	-	RFQ	2082	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero		1N4245				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500
Egl41bhe3_a/i	-	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar			Alcanzar sin afectado	Egl41bhe3_b/i	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
EGP30C-E3/73	-	RFQ	4964	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	EGP30	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
RGP30G-E3/54	1.1600	RFQ	100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 3 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SB15H45L-7000E3/72	-	RFQ	2519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto					SB15H45				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	100
VS-32CTQ025PBF	-	RFQ	4027	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	32CTQ025	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	25 V	15A	490 MV @ 15 A		1.75 ma @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-1N3212R	-	RFQ	2862	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3212	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 V @ 15 A		10 Ma @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VS-60CTQ150HN3	2.1488	RFQ	3459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	60ctq150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	30A	880 MV @ 30 A		75 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-6FL60S02	6.0812	RFQ	1717	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6fl60	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
RGP10BeHE3/73	-	RFQ	7951	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VBT3045BP-M3/4W	0.8412	RFQ	2385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT3045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		700 MV @ 30 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
RGP20BHE3/54	-	RFQ	9662	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	RGP20	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 v @ 2 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	-
BA158-E3/54	0.3400	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA158	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
1N5061GPHE3/54	-	RFQ	4271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5061	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²