SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
EGP51B-E3/D Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51B-E3/D -
RFQ
ECAD 9747 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial EGP51 Estándar Do-201ad descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 960 MV @ 5 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 5A 117pf @ 4V, 1MHz
BYV98-150-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv98-150-tap 0.5742
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-64, axial BYV98 Avalancha Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.1 v @ 5 a 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A -
GP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
MBRB10H50-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H50-E3/81 -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB10 Schottky Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 710 MV @ 10 A 100 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
VS-16EDU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16EDU06-M3/I 1.3600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete 16edu06 Estándar TO-263AC (SMPD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 V @ 16 A 25 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 16A 16PF @ 600V
BZD17C33P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C33P-E3-08 0.1492
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD17C33 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V
VS-15ETH03-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH03-N3 -
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 15eth03 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-15ETH03-N3GI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.25 V @ 15 A 32 ns 40 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
VS-40MT160P-P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT160P-P 45.5071
RFQ
ECAD 7404 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo de 12 MTP 40mt160 Estándar 12 MTP Pressfit descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 105 1.51 v @ 100 a 45 A Fase triple 1.6 kV
MMBZ4699-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4699-E3-18 -
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4699 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 9.1 V 12 V
VS-20ETF08SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF08SPBF -
RFQ
ECAD 1631 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 20etf08 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS20ETF08SPBF EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.31 v @ 20 a 100 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
MSS1P2LHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P2LHM3/89A -
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie MicroSMP MSS1P2 Schottky MicroSMP (DO-219AD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 250 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 65pf @ 4V, 1 MHz
SMZJ3802BHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3802BHE3/52 -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ38 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 27.4 V 36 V 38 ohmios
VS-STPS30L60CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS30L60CWPBF -
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 Stps30 Schottky To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 800 MV @ 30 A 480 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
AR3PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PD-M3/86A 0.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN AR3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.6 v @ 3 a 140 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4V, 1 MHz
VS-T70HFL10S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70HFL10S05 29.4360
RFQ
ECAD 9230 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis D-55 T-Módulo T70 Estándar D-55 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 500 ns 100 µA @ 100 V 70a -
PLZ30D-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ30D-G3/H 0.3100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Por favor Tape & Reel (TR) Activo ± 3% 150 ° C Montaje en superficie DO-219AC PLZ30 500 MW DO-219AC (microsmf) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.500 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 23 V 30 V 55 ohmios
AZ23B16-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B16-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 2132 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-AZ23B16-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
S4PBHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PBHM3_B/H -
RFQ
ECAD 3493 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN S4PB Estándar TO77A (SMPC) descascar 112-S4PBHM3_B/HTR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 4 a 2.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 30pf @ 4V, 1 MHz
SS16HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS16HE3_B/H 0.3800
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS16 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 1 A 200 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
FEPB16HT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16HT-E3/81 1.0574
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FEPB16 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 500 V 8A 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS3H10-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H10-M3/9AT 0.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS3H10 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 3 A 20 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-66-9391 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-66-9391 -
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 66-9391 - 112-VS-66-9391 1
VS-8DKH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8DKH02HM3/I 0.4125
RFQ
ECAD 4586 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn 8DKH02 Estándar Flatpak 5x6 (dual) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 4A 960 MV @ 4 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
VS-16CTQ060SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060SHM3 0.8712
RFQ
ECAD 8150 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 16CTQ060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 8A 720 MV @ 8 A 550 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP10-4007HE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007HE3/53 -
RFQ
ECAD 3088 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
HFA140NH60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA140NH60 -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Half-Pak HFA140 Estándar D-67 Half-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.6 V @ 140 A 140 ns 40 µA @ 600 V 140A -
GURF5H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gurf5H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 8917 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Gurf5 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
V2P6LHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2P6LHM3/H 0.4400
RFQ
ECAD 332 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA V2P6 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 2 A 480 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2a 255pf @ 4V, 1 MHz
GBPC606-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC606-E4/51 2.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, GBPC-6 GBPC606 Estándar GBPC6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
VB20100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100C-E3/8W 1.9100
RFQ
ECAD 791 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB20100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 790 MV @ 10 A 800 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock