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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGP51B-E3/D | - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | EGP51 | Estándar | Do-201ad | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 960 MV @ 5 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | 117pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Byv98-150-tap | 0.5742 | ![]() | 4335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BYV98 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.1 v @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | ||||||||||||
![]() | GP10GE-M3/73 | - | ![]() | 1816 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRB10H50-E3/81 | - | ![]() | 9614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB10 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 710 MV @ 10 A | 100 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||||
![]() | VS-16EDU06-M3/I | 1.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | 16edu06 | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 16 A | 25 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 16A | 16PF @ 600V | ||||||||||||
![]() | BZD17C33P-E3-08 | 0.1492 | ![]() | 4683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C33 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 24 V | 33 V | |||||||||||||||
VS-15ETH03-N3 | - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 15eth03 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-15ETH03-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 15 A | 32 ns | 40 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | VS-40MT160P-P | 45.5071 | ![]() | 7404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | 40mt160 | Estándar | 12 MTP Pressfit | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 105 | 1.51 v @ 100 a | 45 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||||||||
MMBZ4699-E3-18 | - | ![]() | 4145 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4699 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 9.1 V | 12 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-20ETF08SPBF | - | ![]() | 1631 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20ETF08SPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||
![]() | MSS1P2LHM3/89A | - | ![]() | 7027 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | MicroSMP | MSS1P2 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 250 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SMZJ3802BHE3/52 | - | ![]() | 4202 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||||||||
![]() | VS-STPS30L60CWPBF | - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stps30 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 800 MV @ 30 A | 480 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | AR3PD-M3/86A | 0.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AR3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 3 a | 140 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 44pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-T70HFL10S05 | 29.4360 | ![]() | 9230 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T70 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 500 ns | 100 µA @ 100 V | 70a | - | ||||||||||||||
![]() | PLZ30D-G3/H | 0.3100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ30 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 23 V | 30 V | 55 ohmios | ||||||||||||||
AZ23B16-HE3_A-18 | - | ![]() | 2132 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23B16-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | S4PBHM3_B/H | - | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S4PB | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | 112-S4PBHM3_B/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | SS16HE3_B/H | 0.3800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS16 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 1 A | 200 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | FEPB16HT-E3/81 | 1.0574 | ![]() | 4455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FEPB16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 8A | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | SS3H10-M3/9AT | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SS3H10 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 3 A | 20 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | VS-66-9391 | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 66-9391 | - | 112-VS-66-9391 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8DKH02HM3/I | 0.4125 | ![]() | 4586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | 8DKH02 | Estándar | Flatpak 5x6 (dual) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 4A | 960 MV @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-16CTQ060SHM3 | 0.8712 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 16CTQ060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 8A | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | GP10-4007HE3/53 | - | ![]() | 3088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
HFA140NH60 | - | ![]() | 8980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 Half-Pak | HFA140 | Estándar | D-67 Half-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 140 A | 140 ns | 40 µA @ 600 V | 140A | - | ||||||||||||||
![]() | Gurf5H60HE3/45 | - | ![]() | 8917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Gurf5 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 5 A | 30 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | V2P6LHM3/H | 0.4400 | ![]() | 332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V2P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 600 MV @ 2 A | 480 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2a | 255pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | GBPC606-E4/51 | 2.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrados, GBPC-6 | GBPC606 | Estándar | GBPC6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | VB20100C-E3/8W | 1.9100 | ![]() | 791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB20100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 790 MV @ 10 A | 800 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C |
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