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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGP20DHE3/54 | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
VS-150U120D | 31.7100 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | 150U120 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.47 V @ 600 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | LS101C-GS08 | 0.3800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | LS101 | Schottky | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 900 MV @ 15 Ma | 200 na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 30mera | 2.2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BYVB32-200HE3_A/P | 0.9405 | ![]() | 5879 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYVB32 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 18A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | VS-85HFR20 | 12.1300 | ![]() | 5558 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 85HFR20 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 267 A | 9 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | ||||||||||
![]() | EGF1DHE3_A/H | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214BA | EGF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-T110HF60 | 36.7300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T110 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 20 Ma @ 600 V | 110A | - | ||||||||||||
![]() | Rs1jhe3_a/h | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RS1J | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBR2560CThe3/45 | - | ![]() | 9278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR2560 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
BAS40-05-HE3-18 | 0.0577 | ![]() | 2226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 200 MMA | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 100 na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | Sx073h060a4ot | - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SX073 | Schottky | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 7.3 V @ 7.5 A | 50 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
BZX84B24-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B24 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 16.8 V | 23.5 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-8CSH02-M3/86A | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 8CSH02 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 4A | 950 MV @ 4 A | 18 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | Byg20d-e3/tr3 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 1.5 A | 75 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | 1N4942GPHE3/54 | - | ![]() | 6564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4942 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RGF1AHE3/67A | - | ![]() | 2888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214BA | RGF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 48CTQ060Strr | - | ![]() | 2058 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 48CTQ | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 610 MV @ 20 A | 2 Ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Au1pmhm3/84a | 0.7600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Au1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.85 v @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 7.5pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 30CPQ100 | - | ![]() | 8019 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 30cpq | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 860 MV @ 15 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-SD1700C45K | 288.7500 | ![]() | 1544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AC, K-PUK | SD1700 | Estándar | DO-200AC, K-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4500 V | 2.11 V @ 4000 A | 75 Ma @ 4500 V | 1875A | - | |||||||||||
![]() | Fepf16jthe3_a/p | 1.2375 | ![]() | 2235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | FEPF16 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 8A | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Nsb8dthe3_b/p | 0.6930 | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBR1560CT-E3/45 | 1.3300 | ![]() | 730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR1560 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 7.5a | 750 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | 30CPU04 | - | ![]() | 6021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 30CPU | Estándar | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 15A | 1.25 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | SS12P3L-M3/86A | 0.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS12P3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 560 MV @ 12 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 930pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
MBR1635-1HE3/45 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR16 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 750 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | VS-HFA12PA120C-N3 | 5.0040 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | HFA12 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA12PA120CN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 6A | 3 V @ 6 A | 26 ns | 5 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | By448tr | 0.6700 | ![]() | 114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BY448 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.6 v @ 3 a | 20 µs | 3 µA @ 1500 V | 140 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||
![]() | VS -50SQ030TR | - | ![]() | 8728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204ar, axial | 150SQ030 | Schottky | Do-204ar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VS150SQ030TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 540 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | V40PW15CHM3/I | 1.5700 | ![]() | 8852 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V40PW15 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 1.45 V @ 20 A | 500 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C |
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