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Diodos (29505)

Imaginación	Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Ecada	Cantidad Disponible	Peso (kg)	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
	SD103BW-E3-18	0.0543	RFQ		8300	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD103	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
	RGP30GHE3/54	-	RFQ		7126	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 3 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
	UF4002-E3/53	0.2219	RFQ		2678	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4002	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
	113CNQ100A	-	RFQ		3834	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-61-8	113cnq	Schottky		D-61-8	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	55a	810 MV @ 55 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
	70U120D	-	RFQ		9459	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	70U120	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.3 V @ 785 A		60 mA @ 1200 V	-40 ° C ~ 200 ° C	250a	-
	SS10PH45-M3/86A	0.6100	RFQ		1	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10PH45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		720 MV @ 10 A		80 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	270pf @ 4V, 1MHz
	60HQ100	-	RFQ		2522	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	60HQ100	Schottky		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		890 MV @ 60 A		1.5 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	60A	1400pf @ 5V, 1MHz
	SD103BWS-HE3-08	0.0606	RFQ		3998	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	15,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
	BZT03D6V8-TAP	-	RFQ		2618	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5.88%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 ma @ 5.1 V				6.8 V	2 ohmios
	UGB18DCT-E3/45	-	RFQ		4228	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB18	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
	V20PW60C-M3/I	1.0700	RFQ		4	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PW60	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	640 MV @ 10 A		1.5 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
	VS-1N1184R	-	RFQ		8371	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1184	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.7 V @ 110 A		10 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
	SS3P6L-M3/86A	0.6200	RFQ		25	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS3P6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		600 MV @ 3 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
	SB320-E3/73	-	RFQ		9158	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB320	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		490 MV @ 3 A		500 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
	M3045S-E3/4W	-	RFQ		5319	0.00000000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	M3045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		700 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	30A	-

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AD9208BBPZ-3000Almohadilla expuesta de 196-LFBGA
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