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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52C75-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C75 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 75 V | 250 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BAV19WS-HG3-08 | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 150 ° C | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZT03C30-TAP | 0.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 6.67% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C30 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | SE07PB-E3/85A | - | ![]() | 9067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SE07 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 V @ 700 Ma | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 700mA | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SS8P3C-M3/86A | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss8p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 4A | 580 MV @ 4 A | 300 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-T40HF40 | 26.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T40 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 15 Ma @ 400 V | 40A | - | ||||||||||||||
![]() | V3fm12hm3/i | 0.0891 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | V3FM12 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 940 MV @ 3 A | 100 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | 220pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZG05C7V5-HE3-TR | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 V | 3 ohmios | |||||||||||||
![]() | GL41The3/96 | - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | GL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | GL41The3_A/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1300 V | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 1300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-52MT80KPBF | 105.4033 | ![]() | 7349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 52MT80 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS52MT80KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 A | Fase triple | 800 V | ||||||||||||||
V60170PW-M3/4W | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | V60170 | Schottky | TO-3PW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 170 V | 30A | 930 MV @ 30 A | 500 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | VLZ10-GS08 | - | ![]() | 2406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ10 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | V7nl63hm3/i | 0.6200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | V7NL63 | Schottky | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 7 A | 110 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2.6a | 1150pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BYM13-30HE3/96 | - | ![]() | 9684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | BYM13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BYM13-30HE3_A/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-ET1506strRHM3 | 2.0748 | ![]() | 2083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ETH1506 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSETH1506STRRHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.45 V @ 15 A | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | Smaz5939b-e3/5a | 0.1150 | ![]() | 5853 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5939 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||
![]() | ES1PCHM3/85A | 0.1673 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-6TQ040SPBF | - | ![]() | 6359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 6TQ040 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS6TQ040SPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 6 A | 800 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
SB3H90-E3/73 | 0.5200 | ![]() | 874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB3H90 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 3 A | 20 µA @ 90 V | 175 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||
![]() | MMSZ5249C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 9224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5249 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-3EAH02HM3/H | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | VS-3EAH02 | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 960 MV @ 3 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | 10etf04s | - | ![]() | 9086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10etf04 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 10 a | 145 ns | 100 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | VS-87HFR120M | 24.6782 | ![]() | 2300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 87HFR120 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS87HFR120M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.2 V @ 267 A | -55 ° C ~ 150 ° C | 85a | - | ||||||||||||
![]() | BAT43-TR | 0.0578 | ![]() | 7487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAT43 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 450 MV @ 15 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-15TQ060StrrPBF | - | ![]() | 2154 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15TQ060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 620 MV @ 15 A | 800 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 720pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BYM07-200HE3_A/H | - | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | BYM07-200HE3_B/H | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BAV20WS-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 5837 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Bav20 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-15MQ040-M3/5at | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 15MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 430 MV @ 1.5 A | 500 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 134pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SD101BW-E3-08 | 0.3300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 1 ns | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 30mera | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N4148-P-TR | - | ![]() | 6000 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 8 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz |
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