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Diodos (166326)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MD18180S-DKM2MM	-	RFQ	6030	Littelfuse Inc.	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Módulo S-3		Estándar		S3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1800 V	180A	1.5 V @ 600 A		500 µA @ 1800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
1N821A, SEL. 1% VBR	-	RFQ	2638	Corpacia microsemi	-	Bolsa	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N821		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
GHXS030A120S-D3	67.8600	RFQ	10	Semiq	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GHXS030	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	2 Independientes	1200 V	30A	1.7 V @ 30 A		200 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GP2D010A170B	-	RFQ	7483	Semiq	AMP+™	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	To-247-2		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		To-247-2	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	1560-1046-5	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		1700 V		1.75 v @ 10 a	0 ns	20 µA @ 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	812pf @ 1V, 1 MHz
PLZ13B-G3/H	0.3100	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ13		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500					800 MV @ 10 Ma		200 na @ 10 V				13 V	14 ohmios
SE10DJ-M3/I	0.8900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	SE10	Estándar		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 V @ 10 A	3 µs	15 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	67pf @ 4V, 1MHz
V40M150CHM3/4W	-	RFQ	1820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	V40M150	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	V40M150CHM3/4WGI	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	20A	1.43 V @ 20 A		250 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C
V60M120C-M3/4W	2.2700	RFQ	4994	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V60M120	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	V60M120C-M3/4WGI	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	30A	970 MV @ 30 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VT60M120CHM3/4W	-	RFQ	2278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT60M120	Schottky		Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT60M120CHM3/4WGI	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	30A	970 MV @ 30 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
SBR12U45LH1-13R	1.4800	RFQ	3	Diodos incorporados	SBR®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	PowerDi ™ 5SP	SBR12	Super Barrera		PowerDI5SP ™	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		45 V		500 MV @ 12 A		300 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
C3D02065E-TR	0.6954	RFQ	2879	Wolfspeed, Inc.	Z-REC®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	C3D02065	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Un 252-2	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		650 V		1.8 V @ 2 A		50 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	120pf @ 0V, 1 MHz
VS-10CTQ150SPBF	-	RFQ	5893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ctq150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-10CTQ150SPBFGI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 10 a		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-30CTH02SPBF	-	RFQ	2852	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTH02	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-30CTH02SPBFGI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	26 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-MBRB1045PBF	-	RFQ	9438	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-MBRB1045PBFGI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		840 MV @ 20 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	600pf @ 5V, 1MHz
S1JHE3_A/H	0.4200	RFQ	150	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1J	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
SE20AFJHM3/6A	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE20	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	12PF @ 4V, 1MHz
SE30AFJHM3/6A	0.4900	RFQ	115	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE30	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	19PF @ 4V, 1MHz
V15P45S-M3/86A	1.0400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15P45	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15a (DC)	580 MV @ 15 A		1.5 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
CMPD7000E TR PBFREE	0.5400	RFQ	10	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	CMPD7000	Estándar		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	Conexión de la Serie de 1 par	120 V	200 MMA	1 V @ 100 Ma	4 ns	300 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
CMPZ5248B TR PBFREE	0.7500	RFQ	11	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5248		350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
VS-30CPQ060-N3	3.0600	RFQ	165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPQ060	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-30CPQ060-N3GI	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	30A	800 MV @ 30 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-30CPU04-N3	6.5200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPU04	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	15A	1.25 V @ 15 A	46 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-30WQ10FNHM3	1.6200	RFQ	380	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ10	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		810 MV @ 3 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	92pf @ 5V, 1MHz
VS-40CPQ045-N3	4.3500	RFQ	2578	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	40cpq045	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-40CPQ045-N3GI	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	40A	590 MV @ 40 A		4 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-40CTQ150-N3	-	RFQ	5399	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	40ctq150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-40CTQ150-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	20A	930 MV @ 40 A		50 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-40EPF12-M3	7.0100	RFQ	431	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	40epf12	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.4 V @ 40 A	450 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	40A	-
VS-40EPS16-M3	5.6000	RFQ	6890	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	40eps16	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-40EPS16-M3GI	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.14 V @ 40 A		100 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	40A	-
VS-42CTQ030-N3	-	RFQ	7857	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	42CTQ030	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-42CTQ030-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	20A	570 MV @ 40 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-60EPF02-M3	6.5711	RFQ	1339	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	60epf02	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-60EPF02-M3GI	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
VS-6CWQ04FNHM3	2.7900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6CWQ04	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-6CWQ04FNHM3GI	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	3.5a	530 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²