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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Hold (IH) (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Número de Scr, diodos |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | T810T-8FP | 1.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | T810 | Un 220FPAB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 8 A | 1.3 V | 60a, 63a | 10 Ma | ||||||||
![]() | VS ST330C14C0L | 117.8300 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST330 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST330C14C0L | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.4 kV | 1420 A | 3 V | 7570a, 7920a | 200 MA | 1.96 V | 720 A | 50 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS-ST330S08P1 | 182.6250 | ![]() | 6575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AE, TO-118-4, Stud | ST330 | TO-209AE (TO-118) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST330S08P1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 mA | 800 V | 520 A | 3 V | 7570a, 7920a | 200 MA | 1.52 V | 330 A | 50 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS ST330S12Q0 | - | ![]() | 9605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AE, TO-118-4, Stud | ST330 | TO-209AE (TO-118) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST330S12Q0 | EAR99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 mA | 1.2 kV | 520 A | 3 V | 7570a, 7920a | 200 MA | 1.52 V | 330 A | 50 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS-ST380C04C1 | 100.5325 | ![]() | 7266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST380 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST380C04C1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 400 V | 1900 A | 3 V | 12600A, 13200A | 200 MA | 1.6 V | 960 A | 50 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS-ST380C06C1 | 103.4917 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST380 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST380C06C1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 600 V | 1900 A | 3 V | 12600A, 13200A | 200 MA | 1.6 V | 960 A | 50 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS-T90RIA60S90 | 41.6170 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | D-55 | T90 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VST90RIA60S90 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 141 A | 2.5 V | 1780a, 1870a | 120 Ma | 90 A | 1 SCR | |||||||
![]() | VS-ST083S12PFK1P | 87.7504 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | ST083 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST083S12PFK1P | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 1.2 kV | 135 A | 3 V | 2060a, 2160a | 200 MA | 2.15 V | 85 A | 30 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS-ST110S16M1 | - | ![]() | 8777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | ST110 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST110S16M1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 1.6 kV | 175 A | 3 V | 2270a, 2380a | 150 Ma | 1.52 V | 110 A | 20 Ma | Recuperación | |||||
![]() | VS-ST1230C12K1P | 310.3650 | ![]() | 9440 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, K-PUK, A-24 | ST1230 | A-24 (K-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST1230C12K1P | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 1.2 kV | 3200 A | 3 V | 28200A, 29500A | 200 MA | 1.62 V | 1745 A | 100 mA | Recuperación | |||||
![]() | VS-ST183S08PFL1P | 95.9542 | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AB, TO-93-4, Stud | ST183 | TO-209AB (TO-93) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST183S08PFL1P | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 800 V | 306 A | 3 V | 4120a, 4310a | 200 MA | 1.8 V | 195 A | 40 Ma | Recuperación | |||||
VS-VSKT170-12PBF | 176.2950 | ![]() | 8287 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magnate | VSKT170 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskt17012pbf | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.2 kV | 377 A | 3 V | 5100a, 5350a | 200 MA | 170 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT230-08PBF | 176.4550 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magnate | VSKT230 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT23008PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 800 V | 510 A | 3 V | 7500a, 7850a | 200 MA | 230 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT230-20PBF | 238.2000 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magnate | VSKT230 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskt23020pbf | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 2 kV | 510 A | 3 V | 7500a, 7850a | 200 MA | 230 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT250-04PBF | 194.5300 | ![]() | 4922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magnate | VSKT250 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskt25004pbf | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 400 V | 555 A | 3 V | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT250-12PBF | 214.9300 | ![]() | 2581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magnate | VSKT250 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskt25012pbf | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.2 kV | 555 A | 3 V | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT320-12PBF | 228.8300 | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magnate | VSKT320 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT32012PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.2 kV | 710 A | 3 V | 9000A, 9420A | 200 MA | 320 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT500-12PBF | 522.3200 | ![]() | 4901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Super Magn-A-Pak | VSKT500 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT50012PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 mA | 1.2 kV | 785 A | 3 V | 17800A, 18700A | 200 MA | 500 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT56/06 | 39.6260 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKT56 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT5606 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 135 A | 2.5 V | 1200A, 1256A | 150 Ma | 60 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT56/12 | 43.7600 | ![]() | 1211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKT56 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT5612 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2 kV | 135 A | 2.5 V | 1200A, 1256A | 150 Ma | 60 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT71/04 | 43.9610 | ![]() | 5815 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKT71 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT7104 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 400 V | 165 A | 2.5 V | 1300a, 1360a | 150 Ma | 75 A | 2 SCRS | ||||||||
VS-VSKT71/06 | 44.4000 | ![]() | 6649 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKT71 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT7106 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 600 V | 165 A | 2.5 V | 1300a, 1360a | 150 Ma | 75 A | 2 SCRS | ||||||||
![]() | VS-VSKU26/10 | 37.4570 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU26 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvsku2610 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 2 SCRS | |||||||
![]() | VS-VSKU26/14 | 37.6690 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU26 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvsku2614 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.4 kV | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 2 SCRS | |||||||
![]() | VS-VSKU41/04 | 41.0770 | ![]() | 3684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU41 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKU4104 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 400 V | 70 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 2 SCRS | |||||||
![]() | VS-VSKU41/06 | 41.0770 | ![]() | 4668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU41 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKU4106 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 70 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 2 SCRS | |||||||
![]() | VS-VSKU41/10 | 41.0770 | ![]() | 1864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU41 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKU4110 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 70 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 2 SCRS | |||||||
![]() | VS-VSKU56/14 | 41.4050 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU56 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvsku5614 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.4 kV | 95 A | 2.5 V | 1200A, 1256A | 150 Ma | 60 A | 2 SCRS | |||||||
![]() | L6008R8 | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TO20AB-R | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | -L6008R8 | EAR99 | 8541.30.0080 | 500 | Soltero | 20 Ma | Lógica - Puerta sensible | 600 V | 8 A | 1.3 V | 65a, 85a | 10 Ma | |||||||||
![]() | Q6006LH3 | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PESTA AISLADA | Q6006 | To-220ab-l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | -Q6006lh3 | EAR99 | 8541.30.0080 | 500 | Soltero | 15 Ma | Alternista - Snubberless | 600 V | 6 A | 1.3 V | 80a, 85a | 10 Ma |
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