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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Hold (IH) (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Número de Scr, diodos |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | L2004D3TP | - | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | L2004D3 | EAR99 | 8541.30.0080 | 750 | Soltero | 5 Ma | Lógica - Puerta sensible | 200 V | 4 A | 1.3 V | 33a, 40a | 3 MA | |||||||||
VS-VSKN71/12 | 39.8180 | ![]() | 8086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKN71 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKN7112 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.2 kV | 165 A | 2.5 V | 1300a, 1360a | 150 Ma | 75 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||
![]() | T2480N22TOFVTXPSA1 | - | ![]() | 4737 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ae | T2480N | Soltero | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 mA | 2.8 kV | 5100 A | 2.5 V | 47500A @ 50Hz | 250 Ma | 2490 A | 1 SCR | |||||||||
![]() | T1930N36TOFVTXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ae | T1930N36 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 3.8 kV | 4200 A | 3 V | 40000A @ 50Hz | 300 mA | 2180 A | 1 SCR | ||||||||
![]() | B612FSE-2T | 74.7500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Sensata-Crydom | B-2T | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | B612 | Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 600 V | 3 V | 600A @ 60Hz | 80 Ma | 2 scr, 2 diodos | ||||||||||||
![]() | M505045 | - | ![]() | 6323 | 0.00000000 | Sensata-Crydom | M50 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Controlador de 1 fase: TODOS SCRS | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 1.2 kV | 3 V | 600A @ 60Hz | 150 Ma | 2 SCRS | |||||||||||||
![]() | VS-ST280C06C0 | 65.0500 | ![]() | 5421 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Apretar | A-200ab, A-PUK | ST280 | A-200ab, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 600 V | 960 A | 3 V | 7850a, 8220a | 150 Ma | 1.36 V | 500 A | 30 Ma | Recuperación | ||||||
![]() | VS-22RIA40 | 11.8406 | ![]() | 5111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 22ria40 | TO-208AA (TO-48) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 Ma | 400 V | 35 A | 2 V | 400a, 420a | 60 Ma | 1.7 V | 22 A | 10 Ma | Recuperación | ||||||
![]() | TT500N16KOFS01HPSA1 | - | ![]() | 8103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT500N | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | - | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP000492386 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 mA | 1.6 kV | 900 A | 2.2 V | 17000A @ 50Hz | 250 Ma | 500 A | 2 SCRS | ||||||||
![]() | Q2006NH4TP | - | ![]() | 1031 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 500 | Soltero | 35 Ma | Alternista - Snubberless | 200 V | 6 A | 1.3 V | 80a, 85a | 35 Ma | ||||||||||
T835H-6I | 1.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | T835 | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 35 Ma | Alternista - Snubberless | 600 V | 8 A | 1 V | 80a, 84a | 35 Ma | |||||||||
![]() | T1190N18TOFVTXPSA1 | 389.0250 | ![]() | 8872 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Apretar | Un 200ac | T1190n18 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 500 mA | 1.8 kV | 2800 A | 2 V | 25500A @ 50Hz | 250 Ma | 1190 A | 1 SCR | ||||||||
![]() | VS-25RIA120MS90 | 17.1757 | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 25ria120 | TO-208AA (TO-48) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs25ria120ms90 | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 Ma | 1.2 kV | 40 A | 2 V | 350a, 370a | 60 Ma | 1.7 V | 25 A | 10 Ma | Recuperación | |||||
![]() | Jantxv2n2324 | - | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/276 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 MA | 100 V | 800 MV | - | 200 µA | 220 Ma | Puerta sensible | ||||||||||
![]() | CS220-12N | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 400 | 20 Ma | 800 V | 12 A | 1.5 V | - | 15 Ma | 1.6 V | Recuperación | ||||||||||
CS20-14IO1 | 6.4000 | ![]() | 289 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-247-3 | CS20 | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | 100 mA | 1.4 kV | 30 A | 1 V | 200a, 215a | 65 Ma | 2.1 V | 19 A | 2 MA | Recuperación | |||||||
![]() | T1190N12TOFVTXPSA1 | 355.6175 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Un 200ac | T1190N12 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 500 mA | 1.8 kV | 2800 A | 2 V | 22500A @ 50Hz | 250 Ma | 1190 A | 1 SCR | ||||||||
![]() | CR8FM-12B#BH0 | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | CR8FM-12 | Un 220FPA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 15 Ma | 600 V | 12.6 A | 1 V | 120A @ 60Hz | 15 Ma | 1.4 V | 8 A | 2 MA | Recuperación | ||||||
![]() | CTB08-1200CPT | - | ![]() | 3097 | 0.00000000 | Sensata-Crydom | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 25 Ma | Estándar | 1.2 kV | 8 A | 1.3 V | 80a, 84a | 25 Ma | ||||||||||
![]() | BCR10CM-16LH#BB0 | - | ![]() | 2927 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BCR10 | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | Soltero | Estándar | 800 V | 10 A | 1.5 V | 100A @ 60Hz | 50 Ma | |||||||||
![]() | TT215N18KOFHPSA1 | - | ![]() | 8944 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT215N18 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.8 kV | 2 V | 7000A @ 50Hz | 200 MA | 215 A | 2 SCRS | |||||||||
![]() | C358M | - | ![]() | 4351 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | Una granela | Activo | - | - | - | C358 | - | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | - | Recuperación | |||||||||||||||
![]() | MSDT75-16 | - | ![]() | 1208 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo M4 | Puente, 3 Formas - SCR/Diodos | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1.6 kV | 3 V | 920A @ 50Hz | 150 Ma | 75 A | 1 scr, 6 diodos | |||||||||||||
![]() | VSKT250-14 | - | ![]() | 2640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKT250 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.4 kV | 555 A | 3 V | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 A | 2 SCRS | ||||||||
![]() | VS-ST083S08MFM0 | - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | ST083 | TO-209AC (TO-94) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST083S08MFM0 | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 800 V | 135 A | 3 V | 2060a, 2160a | 200 MA | 2.15 V | 85 A | 30 Ma | Recuperación | |||||
![]() | Irkh71/14a | - | ![]() | 7790 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh71 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.4 kV | 165 A | 2.5 V | 1665a, 1740a | 150 Ma | 75 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||
![]() | TS1220-600B | 1.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TS1220 | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 75 | 5 Ma | 600 V | 12 A | 800 MV | 110a, 115a | 200 µA | 1.6 V | 8 A | 5 µA | Puerta sensible | ||||||
![]() | X0403DF 1AA2 | - | ![]() | 7221 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-202 PESTARA DE SIN | X0403 | A-202-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 250 | 5 Ma | 400 V | 1.35 A | 800 MV | 30a, 33a | 200 µA | 1.8 V | 900 mA | 5 µA | Puerta sensible | ||||||
![]() | Irkh41/08a | - | ![]() | 3293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh41 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 800 V | 100 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||
Tyn804rg | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Tyn804 | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 30 Ma | 800 V | 4 A | 1.5 V | 63a, 60a | 15 Ma | 1.8 V | 2.5 A | 10 µA | Recuperación |
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