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Tiristores (12437)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Hold (IH) (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Número de Scr, diodos
CS48-35M Central Semiconductor Corp CS48-35M -
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 Central de semiconductores - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AA, TO-48-3, Stud A-48 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 100 mA 600 V 35 A 1.5 V 330A @ 100Hz 40 Ma 2.3 V 20 µA Recuperación
TIC263D-S Bourns Inc. Tic263d-s -
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 Bourns Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C (TC) A Través del Aguetero Un 218-3 TIC263 Sot-93 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 300 Soltero 40 Ma Estándar 400 V 25 A 2 V 175A @ 50Hz 50 Ma
TN2015H-6T STMicroelectronics TN2015H-6T 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TN2015 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 50 Ma 600 V 20 A 1.3 V 180a, 197a 15 Ma 1.6 V 12.7 A 5 µA Recuperación
VS-ST230S04P1VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230S04P1VPBF 76.8958
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-209AB, TO-93-4, Stud ST230 TO-209AB (TO-93) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSST230S04P1VPBF EAR99 8541.30.0080 12 600 mA 400 V 360 A 3 V 4800A, 5000A 150 Ma 1.55 V 230 A 30 Ma Recuperación
CM531213 Powerex Inc. CM531213 -
RFQ
 ECAD 8576 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Pow-R-Blok ™ Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 1.2 kV 205 A 3 V 2365a, 2600a 100 mA 130 A 2 SCRS
JANTX2N2324AU4 Microsemi Corporation Jantx2n2324au4 -
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo U4 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 2 MA 100 V 600 MV 15A @ 60Hz 20 µA 10 µA Recuperación
C390P Powerex Inc. C390P -
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis B-PUK (a 200ac) C390 Press-Pak (Pow-R-Disc) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 1 kV 700 A 5 V 7600A, 8000A 150 Ma 2.4 V 450 A 45 Ma Recuperación
CLA20EF1200PB IXYS CLA20EF1200PB 2.9256
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 Ixys CLA20EF1200PB Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 CLA20 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CLA20EF1200PB EAR99 8541.30.0080 50 25 Ma 1.2 kV 35 Ma 1.3 V 120a, 130a 20 Ma 1.4 V 20 A Recuperación
ND430825 Powerex Inc. ND430825 -
RFQ
 ECAD 1845 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Pow-R-Blok ™ Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 800 V 393 A 3 V 8800A @ 60Hz 150 Ma 250 A 2 SCRS
TD600N16KOFTIMHPSA1 NXP Semiconductors TD600N16KOFTIMHPSA1 332.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie - SCR/Diodo - 2156-TD600N16KOFTIMHPSA1 1 300 mA 1.6 kV 1050 A 2 V 21000A @ 50Hz 250 Ma 600 A 1 scr, 1 diodo
MAC97A8,116 NXP USA Inc. MAC97A8,116 0.1100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Un 92-3 descascar EAR99 8541.30.0080 2,777 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 600 mA 2 V 8a, 8.8a 5 Ma
VS-ST180C16C1L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST180C16C1L 83.3975
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200ab, A-PUK ST180 A-200ab, A-PUK descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSST180C16C1L EAR99 8541.30.0080 12 600 mA 1.6 kV 660 A 3 V 4200A, 4400A 150 Ma 1.96 V 350 A 30 Ma Recuperación
CQ220I-12M Central Semiconductor Corp CQ220i-12m -
RFQ
 ECAD 9327 0.00000000 Central de semiconductores - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 25 Ma Interano de activado 600 V 12 A 1.5 V - 50 Ma
VS-VSKT41/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT41/08 40.0210
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKT41 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKT4108 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 800 V 100 A 2.5 V 850a, 890a 150 Ma 45 A 2 SCRS
BT1306-400D,412 NXP USA Inc. BT1306-400D, 412 -
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BT130 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 400 V 600 mA 2 V 8a, 8.8a 5 Ma
QJ6008DH4RP Littelfuse Inc. QJ6008DH4RP 2.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Littelfuse Inc. QJXX08XHX Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 QJ6008 TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 600 V 8 A 1.3 V 70a, 84a 35 Ma
MCR100-8 A1G Taiwan Semiconductor Corporation MCR100-8 A1G -
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MCR100 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4.000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
VS-VSKL105/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL105/16 44.6410
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKL105 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKL10516 EAR99 8541.30.0080 10 250 Ma 1.6 kV 235 A 2.5 V 2000a, 2094a 150 Ma 105 A 1 scr, 1 diodo
VVZ175-12IO7 IXYS VVZ175-12IO7 98.2720
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-E2 VVZ175 Puente, 3 Formas - SCR/Diodos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5 200 MA 1.2 kV 89 A 1.5 V 1500A, 1600A 100 mA 167 A 3 scr, 3 diodos
C380PC Powerex Inc. C380pc -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Apretar A-200ab, A-PUK C380 Press-Pak (Pow-R-Disc) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 1.3 kV 400 A 3 V 3200A, 3500A 150 Ma 2.85 V 250 A 20 Ma Recuperación
VCC2X105-14IO7 IXYS VCC2X105-14IO7 -
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis ECO-PAC2 VCC2X Independiente - TODOS SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 25 200 MA 1.4 kV 180 A 1.5 V 2250a, 2400a 150 Ma 105 A 2 SCRS
BTA412Y-600ETQ WeEn Semiconductors BTA412Y-600ETQ 0.4973
RFQ
 ECAD 4424 0.00000000 Semiconductorores de ween - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PESTA AISLADA BTA412 Un 220b descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 10 Ma Estándar 600 V 12 A 1 V 140a, 150a 10 Ma
MT160C12T2 Yangjie Technology MT160C12T2 43.7513
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Tecnología yangjie - Una granela Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie: Todos los SCRS - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-MT160C12T2 EAR99 8 400 mA 1.2 kV 3 V 5400A @ 50Hz 150 Ma 160 A 2 SCRS
BTA425X-800BQ WeEn Semiconductors BTA425X-800BQ 0.6374
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Semiconductorores de ween - Tubo Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA BTA425 Un 220F descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 75 Ma Estándar 800 V 25 A 1.3 V 250a, 275a 50 Ma
MCR100-8-BP Micro Commercial Co MCR100-8-BP -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) MCR100-8 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1,000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 MV - 200 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
LD432243 Powerex Inc. LD432243 -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Pow-R-Blok ™ Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 1 2.2 kV 800 A 3 V 14000A, 16000A 200 MA 430 A 2 SCRS
BTA204W-600D,135 NXP USA Inc. BTA204W-600D, 135 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA SOT-223 descascar EAR99 8541.30.0080 850 Soltero 6 MA Lógica - Puerta sensible 600 V 1 A 1.5 V 10a, 11a 5 Ma
VS-ST700C20L1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST700C20L1 171.5167
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A 200ac, B-PUK ST700 A 200ac, B-PUK descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSST700C20L1 EAR99 8541.30.0080 3 600 mA 2 kV 1857 A 3 V 13200A, 13800A 200 MA 1.8 V 910 A 80 Ma Recuperación
VS-VSKV56/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV56/14 41.4050
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKV56 Cátodo Común: Todos SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKV5614 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.4 kV 95 A 2.5 V 1200A, 1256A 150 Ma 60 A 2 SCRS
BCR10FM-12LB#BB0 Renesas Electronics America Inc BCR10FM-12LB#BB0 -
RFQ
 ECAD 7452 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Un 220FP - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.30.0080 1 Soltero Estándar 600 V 10 A 1.5 V 100A @ 60Hz 30 Ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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