- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (324)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G700P06T | 0.6800 |  | 4406 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 70mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1428 pf @ 30 V | - | 100W (TC) | |||||
 | G230P06F | 0.9800 | | 50 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 3141-G230P06F | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P | 60 V | 42a (TC) | 10V | 23mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4669 pf @ 30 V | - | 67.57W (TC) | |||
 | G2014 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 14a (TC) | 2.5V, 10V | 7mohm @ 5a, 10v | 900MV @ 250 µA | 17.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1710 pf @ 10 V | - | 3W (TC) | ||||
 | G2304 | 0.4400 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.6a (TA) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 3.6a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 4 NC @ 10 V | ± 20V | 230 pf @ 15 V | Estándar | 1.7w (TA) | ||||
 | GC11N65K | 0.6080 | | 50 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 360mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 30V | 901 pf @ 50 V | - | 78W (TC) | ||||
 | G12P03D3 | 0.0920 | | 100 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (3.15x3.05) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 24.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1253 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | ||||
 | G1K1P06HH | 0.0790 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 4.5A (TC) | 10V | 110mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 981 pf @ 30 V | - | 3.1W (TC) | ||||
 | Gt011n03me | 1.7100 | | 800 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 800 | N-canal | 30 V | 209A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 18V | 6140 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | ||||
 | G3K8N15HE | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||
| G75P04F | 1.2000 | | 48 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 3141-G75P04F | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P | 40 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 106 NC @ 10 V | ± 20V | 6768 pf @ 20 V | - | 35.7W (TC) | |||
| GT080N10K | 1.5700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | N-canal | 100 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 50a, 10v | 3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2056 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | |||||
 | G130N06M | 0.3210 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 800 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 36.6 NC @ 10 V | ± 20V | 2867 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||
 | G75P04T | - | | 4272 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P | 40 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 106 NC @ 10 V | ± 20V | 6985 pf @ 20 V | - | 277W (TC) | |||||
 | G18P03S | 0.1930 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor goford | Gramo | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 4.000 | Canal P | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 3570 pf @ 15 V | - | 3.1W (TC) | ||||||
| G1K8P06S2 | 0.0970 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TC) | 8-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 Canal P | 60V | 3.2a (TC) | 170mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11.3nc @ 10V | 594pf @ 30V | Estándar | |||||||
| G23N06K | 0.1370 | | 50 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 23A | 35mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 15 V | 38w | ||||||
| GT10N10 | 0.1240 | | 100 | 0.00000000 | Semiconductor goford | GT | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 2.500 | N-canal | 100 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 206 pf @ 50 V | - | 17W (TC) | ||||||
| G16N03S | 0.1160 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor goford | Gramo | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 4.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 5V, 10V | 10mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16.6 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 15 V | - | 2.5W (TC) | ||||||
 | G7K2N20LLE | 0.0690 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6l | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-canal | 200 V | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 700mohm @ 1a, 100V | 2.5V @ 250 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 577 pf @ 100 V | - | 1.8W (TC) | ||||
| GT650N15K | 0.2750 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 20A (TC) | 10V | 65mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 75 V | - | 68W (TC) | ||||
| GT700P08T | - | | 3293 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 80 V | 25A (TC) | 10V | 72mohm @ 2a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 1639 pf @ 40 V | 125W (TC) | |||||
| G2002A | 0.0850 | | 60 | 0.00000000 | Semiconductor goford | Gramo | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6l | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 540mohm @ 1a, 10v | 3V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 733 pf @ 100 V | - | 2.5W (TC) | |||||
 | G1002 | 0.0350 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 4822-G1002TR | EAR99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-canal | 100 V | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 535 pf @ 50 V | - | 1.3W (TC) | |||
 | GT011N03D5E | 1.6700 | | 2573 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (4.9x5.75) | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0000 | 5,000 | N-canal | 30 V | 209A (TC) | 4.5V, 10V | - | 2.5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 16V | 6503 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | |||||
 | G080N10T | 1.9400 | | 5661 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 3141-G080N10T | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 107 NC @ 4.5 V | ± 20V | 13912 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||
 | G75p04ti | 0.9408 | | 5603 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 3141-G75P04TI | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P | 40 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 106 NC @ 10 V | ± 20V | 6407 pf @ 20 V | - | 277W (TC) | ||||
| GT030N08T | 2.3624 | | 1020 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 3141-GT030N08T | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | N-canal | 85 V | 200a (TC) | 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 112 NC @ 10 V | ± 20V | 5822 pf @ 50 V | - | 260W (TC) | ||||
| G20P06K | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 20A (TC) | 10V | 45mohm @ 12a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 3430 pf @ 30 V | 90W (TC) | |||||
| GT110N06S | 0.7300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 14a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||
| GT045N10T | 1.8300 | | 91 | 0.00000000 | Semiconductor goford | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 3141-GT045N10T | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | N-canal | 100 V | 150A (TC) | 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 4198 pf @ 50 V | - | 156W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)