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Transistores (61)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N7637-GA | - |  | 1163 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 257-3 | SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) | Un 257 | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 1242-1148 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 650 V | 7A (TC) (165 ° C) | - | 170mohm @ 7a | - | - | 720 pf @ 35 V | - | 80W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
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Fabricantes mundiales
15,000 m2
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