- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Spa11n60cfdxksa1 | 2.5347 |  | 6513 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Spa11n60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 440mohm @ 7a, 10v | 5V @ 1.9MA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||
| SPA15N65C3XKSA1 | - | | 2200 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Spa15n65 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9.4a, 10V | 3.9V @ 675 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||
 | PTF210451F V1 | - | | 4361 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Goldmos® | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | 2.17GHz | Ldmos | H-31265-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 1 µA | 500 mA | 45W | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||
 | IPI086N10N3GXKSA1 | 1.6500 | | 4996 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI086 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 8.6mohm @ 73a, 10v | 3.5V @ 75 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3980 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
| IPI08CN10N G | - | | 2169 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI08C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 95A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 95a, 10v | 4V @ 130 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6660 pf @ 50 V | - | 167W (TC) | |||||||||||||
 | IPU075N03L G | - | | 2445 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Ipu075n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-21 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 15 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||
| Ipu64cn10n g | - | | 3505 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU64C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 10V | 64mohm @ 17a, 10v | 4V @ 20 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 569 pf @ 50 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||
 | IRFH3702TRPBF | 0.6500 | | 25 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFH3702 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 16A (TA), 42A (TC) | 4.5V, 10V | 7.1mohm @ 16a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1510 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA) | ||||||||||||
 | IRF8707GTRPBF | - | | 8387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 11a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 9.3 NC @ 4.5 V | ± 20V | 760 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | BSD214SN L6327 | - | | 3793 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V @ 3.7 µA | 0.8 NC @ 5 V | ± 12V | 143 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | 0.9300 | | 25 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO220 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 22mohm @ 7.7a, 10V | 2.1V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 800pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||
 | BSS119L6327HTSA1 | - | | 7520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 170MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10v | 2.3V @ 50 µA | 2.5 NC @ 10 V | ± 20V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | - | | 2245 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||
 | IPB020N04NGATMA1 | 3.0800 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB020 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 140A (TC) | 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 4V @ 95 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 9700 pf @ 20 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||
| IPB023N06N3GATMA1 | - | | 2239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB023N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 140A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 4V @ 141 µA | 198 NC @ 10 V | ± 20V | 16000 pf @ 30 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||
 | IPB147N03LGATMA1 | - | | 8730 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB147N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||
| IPB47N10SL26ATMA1 | - | | 2155 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB47N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 33a, 10v | 2V @ 2mA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | ||||||||||||
 | IPP147N03L G | - | | 1026 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP147N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||
| IPU060N03L G | - | | 3721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU060N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||
| IPP60R600C6XKSA1 | - | | 8458 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||
| IRF540ZSTRRPBF | - | | 7867 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570112 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||
| IRFZ46NSTRPBF | - | | 8597 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 53A (TC) | 10V | 16.5mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1696 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS4610TRPBF | - | | 1037 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573460 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 73a (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 3550 pf @ 50 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||
 | IRF6616TR1PBF | - | | 9293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 19a (TA), 106a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 19a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3765 pf @ 20 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||
| IRL2910Strrpbf | 2.6968 | | 2390 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL2910 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 55A (TC) | 26mohm @ 29a, 10v | 2V @ 250 µA | 140 NC @ 5 V | 3700 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||
| IRFS59N10DTRRP | - | | 2440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 59A (TC) | 10V | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | ± 30V | 2450 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS52N15DTRP | - | | 8720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS52 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 51a (TC) | 10V | 32mohm @ 36a, 10v | 5V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 30V | 2770 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 230W (TC) | ||||||||||||
 | IRFR3911TRLPBF | - | | 3802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 115mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||
| IRF3808StrrPBF | - | | 9626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570154 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 106a (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 5310 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||
| IRLR7807ZTRRPBF | - | | 7573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 43a (TC) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 780 pf @ 15 V | - | 40W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)