SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IPP045N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP045N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000457560 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies IRL2203NPBF-INF 1.0000
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 30 V 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 1V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFR3711TRLPBF Infineon Technologies IRFR3711TRLPBF -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies IRLMS1902TRPBF -
RFQ
 ECAD 9999 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLMS1902 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3.2a (TA) 2.7V, 4.5V 100mohm @ 2.2a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 7 NC @ 4.5 V ± 12V 300 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7413ZTRPBFXTMA1 0.3869
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-Dso-8-902 - ROHS3 Cumplante 448-IRF7413ZTRPBFXTMA1TR 4.000 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13a, 10v 2.25V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies BFP 640FESD E6327 -
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP 640 200MW 4-TSFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 8b ~ 30.5db 4.7V 50mera NPN 110 @ 30mA, 3V 46 GHz 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 80a (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 150 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 6085 pf @ 25 V - 88W (TC)
BCP52-16 Infineon Technologies BCP52-16 0.0400
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.4 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.128 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 50MHz
IPI80N04S2-04 Infineon Technologies IPI80N04S2-04 1.0700
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 296 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
BCV47E6433HTMA1 Infineon Technologies Bcv47e6433htma1 0.0786
RFQ
 ECAD 6619 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 60 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 170MHz
AUIRLS3034-7TRL Infineon Technologies Auirls3034-7trl 4.0351
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Auirls3034 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519894 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10v 2.5V @ 250 µA 180 NC @ 4.5 V ± 20V 10990 pf @ 40 V - 380W (TC)
IRF7811AVPBF Infineon Technologies IRF7811AVPBF -
RFQ
 ECAD 6152 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 10.8a (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5V 3V @ 250 µA 26 NC @ 5 V ± 20V 1801 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP200N25N3GXKSA1 8.9900
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP200 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 64a (TC) 10V 20mohm @ 64a, 10V 4V @ 270 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 7100 pf @ 100 V - 300W (TC)
BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Bsp125h643333xtma1 0.9000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP125 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
SPD03N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPD03N50C3ATMA1 0.7234
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD03N50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
SIGC15T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA1 -
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC15 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 90 A 1.9V @ 15V, 30a - -
IRF7317TRPBF Infineon Technologies IRF7317TRPBF 1.3600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF731 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 20V 6.6a, 5.3a 29mohm @ 6a, 4.5V 700mv @ 250 µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRF6644TR1PBF Infineon Technologies IRF6644TR1PBF -
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MN Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 10.3a (TA), 60a (TC) 10V 13mohm @ 10.3a, 10v 4.8V @ 150 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2210 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
SPA20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spa20n60cfdxksa1 3.9983
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa20n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 20.7a (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 35W (TC)
IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies IPD65R950CFDATMA1 0.6380
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R950 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 3.9a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 200 µA 14.1 NC @ 10 V ± 20V 380 pf @ 100 V - 36.7W (TC)
BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies BFR183E6327HTSA1 0.5100
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR183 450MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 17.5dB 12V 65mA NPN 70 @ 15 Ma, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7831TR Infineon Technologies Irf7831tr -
RFQ
 ECAD 7716 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 12V 6240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies IPD50R800CEATMA1 -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 5A (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13V 3.5V @ 130 µA 12.4 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 60W (TC)
IRFR2407TRLPBF Infineon Technologies IRFR2407TRLPBF -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR2407 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 26mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 110W (TC)
IPB055N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB055N03LGATMA1 -
RFQ
 ECAD 1070 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB055N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
IRF9Z34NL Infineon Technologies Irf9z34nl -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf9z34nl EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 19a (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies BSC020N03LSGATMA2 -
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo BSC020 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000959514 0000.00.0000 5,000
IRF7811WTRPBF Infineon Technologies IRF7811WTRPBF -
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 12V 2335 pf @ 16 V - 3.1W (TA)
IRG5K100HF12B Infineon Technologies IRG5K100HF12B -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 62 780 W Estándar POWIR® 62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente - 1200 V 200 A 2.6V @ 15V, 100A 2 MA No 11.7 NF @ 25 V
BC817K-16 Infineon Technologies BC817K-16 -
RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 170MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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