- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfz44el | - |  | 6587 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz44el | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 48a (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
 | IRF7821PBF | - | | 3917 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001566368 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | N-canal | 30 V | 13.6a (TA) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 13a, 10v | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1010 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||
 | IRF3205PBF | 1.8700 | | 7426 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 3247 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||
| IRF3205Z | - | | 9720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF3205Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | Auirfs3307z | - | | 1679 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519782 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | ||||
| IRF7901D1 | - | | 7749 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7901D1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.2a | 38mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.5nc @ 5V | 780pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | 64-9146 | - | | 7769 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico Mt | IRF6691 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mt | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 32A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 71 NC @ 4.5 V | ± 12V | 6580 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||
| IRFZ48VSTRLPBF | - | | 8932 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 72a (TC) | 10V | 12mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 1985 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
| IRF7321D2TR | - | | 7221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||
 | Ipu06n03lagxk | - | | 3154 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Ipu06n | Mosfet (Óxido de metal) | P-to251-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 40 µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 2653 pf @ 15 V | - | 83W (TC) | |||||
 | BSS192PE6327T | - | | 1197 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 190MA (TA) | 2.8V, 10V | 12ohm @ 190ma, 10v | 2V @ 130 µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 20V | 104 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||
| IPI120N06S402AKSA2 | 2.3590 | | 3065 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10v | 4V @ 140 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 15750 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | ||||
 | IPP10N03LB G | - | | 3342 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP10N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.9mohm @ 50A, 10V | 2V @ 20 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 1639 pf @ 15 V | - | 58W (TC) | |||||
| IRF3710LPBF | - | | 2337 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 57a (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3130 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||
 | Bsf053n03lt g | - | | 6069 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 16a (TA), 71a (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||
| BSO303SPHXUMA1 | - | | 3035 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.2a (TA) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 9.1a, 10V | 2V @ 100 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2330 pf @ 25 V | - | 1.56W (TA) | |||||
 | IRFR4104TRPBF | 1.7800 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR4104 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||
| IRL3302STRL | - | | 8120 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 31 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1300 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||||
| IRFSL3607PBF | - | | 4494 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001565218 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10v | 4V @ 100 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3070 pf @ 50 V | - | 140W (TC) | ||||
| IRFS23N20D | - | | 3718 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFS23N20D | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 24a (TC) | 10V | 100mohm @ 14a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1960 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||||
| Bso203pntma1 | - | | 1233 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO203 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 8.2a | 21mohm @ 8.2a, 4.5V | 1.2V @ 100 µA | 48.6nc @ 4.5V | 2242pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF3707Strr | - | | 2455 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 62a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1990 pf @ 15 V | - | 87W (TC) | |||||
| IRF3205ZPBF | 1.8500 | | 4674 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
| IRF3708PBF | - | | 6886 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 62a (TC) | 2.8V, 10V | 12mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 24 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2417 pf @ 15 V | - | 87W (TC) | |||||
| IRF520NLPBF | - | | 2323 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf520nlpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | |||||
| IRFR5410TRL | - | | 3606 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567628 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 13a (TC) | 10V | 205mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 760 pf @ 25 V | - | 66W (TC) | ||||
| IRF3711Strr | - | | 4020 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2980 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | |||||
 | IRFH5303TRPBF | - | | 2380 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001572728 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 23a (TA), 82a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 49a, 10V | 2.35V @ 50 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2190 pf @ 15 V | - | 3.6W (TA), 46W (TC) | |||||
| Irfz44estrr | - | | 6946 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 48a (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
 | IRLMS5703TRPBF | - | | 1937 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro6 ™ (TSOP-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.4a (TA) | 4.5V, 10V | 180mohm @ 1.6a, 10V | 1V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 1.7w (TA) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)