SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF7464TR Infineon Technologies IRF7464TR -
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 1.2a (TA) 10V 730mohm @ 720 mm, 10v 5.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB029N06NF2SATMA1 1.9100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB029 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 26a (TA), 120a (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 70a, 10v 3.3V @ 80 µA 102 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 150W (TC)
IRFZ48NSTRRPBF Infineon Technologies IRFZ48NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 64a (TC) 10V 14mohm @ 32a, 10v 4V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 1970 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 130W (TC)
IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125C6XKSA1 6.3800
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 30A (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10v 3.5V @ 960 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 2127 pf @ 100 V - 34W (TC)
IRF7467TRPBF Infineon Technologies IRF7467TRPBF -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 11a (TA) 2.8V, 10V 12mohm @ 11a, 10v 2V @ 250 µA 32 NC @ 4.5 V ± 12V 2530 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies Bfs481h6327xtsa1 0.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BFS481 175MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20dB 12V 20 Ma 2 NPN (dual) 70 @ 5mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BFP420E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP420E6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP420 160MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 21db 5V 35mA NPN 60 @ 20MA, 4V 25 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
IRLI540N Infineon Technologies IRLI540N -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLI540N EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 23a (TC) 4V, 10V 44mohm @ 12a, 10v 2V @ 250 µA 74 NC @ 5 V ± 16V 1800 pf @ 25 V - 54W (TC)
IPB60R600P6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R600P6ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001313874 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 4.5V @ 200 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 557 pf @ 100 V - 63W (TC)
SPW07N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW07N60CFDFKSA1 -
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Spw07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 650 V 6.6a (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10V 5V @ 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R080P7XKSA1 6.7100
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R080 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10v 4V @ 590 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2180 pf @ 400 V - 129W (TC)
BSP51H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP51H6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP51 1.5 W PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 10 µA NPN - Darlington 1.8v @ 1 MMA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 200MHz
IPU060N03L G Infineon Technologies IPU060N03L G -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU060N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 56W (TC)
BSP129L6327 Infineon Technologies BSP129L6327 0.2900
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.039 N-canal 240 V 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350mA, 10V 1V @ 108 µA 5.7 NC @ 5 V ± 20V 108 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
BFR 380T E6327 Infineon Technologies BFR 380T E6327 -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BFR 380 380MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12.5dB 9V 80mera NPN 60 @ 40mA, 3V 14GHz 1.1DB @ 1.8GHz
BCR 142F E6327 Infineon Technologies BCR 142F E6327 -
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 142 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 22 kohms 47 kohms
IRF5803TR Infineon Technologies IRF5803TR -
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 3.4a (TA) 4.5V, 10V 112mohm @ 3.4a, 10V 3V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 25 V - 2W (TA)
AUXTALR3915 Infineon Technologies Auxtalr3915 -
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 -
BCX5316H6433XTMA1 Infineon Technologies Bcx5316h643333xtma1 0.1920
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5316 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies IRFH4210DTRPBF 2.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IRFH4210 Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 V 44a (TA) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 50A, 10V 2.1V @ 100 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 4812 pf @ 13 V - 3.5W (TA), 125W (TC)
IPC30S2SN08NX2MA1 Infineon Technologies IPC30S2SN08NX2MA1 3.2013
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo IPC30S2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3.000
BCR183WH6327 Infineon Technologies BCR183WH6327 -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR183 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 7,123 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
IRFR024NPBF Infineon Technologies IRFR024NPBF -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
PTFA082201EV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA082201EV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 1598 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-36260-2 PTFA082201 894MHz Ldmos H-36260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.95 A 220W 18dB - 30 V
IRF1405ZS Infineon Technologies IRF1405ZS -
RFQ
 ECAD 9102 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF1405ZS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 4780 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRGPC40FD2 Infineon Technologies IRGPC40FD2 -
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 160 W To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 - 600 V 49 A 2V @ 15V, 27A
IRFU4105 Infineon Technologies IRFU4105 -
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU4105 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 27a (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 68W (TC)
BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1 0.9900
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP125 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRF3706S Infineon Technologies IRF3706S -
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3706S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRF7204TRPBF Infineon Technologies IRF7204TRPBF -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7204 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 12V 860 pf @ 10 V - 2.5W (TC)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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