SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRGSL4B60KD1PBF Infineon Technologies IRGSL4B60KD1PBF -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Estándar 63 W Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100OHM, 15V 93 ns Escrutinio 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 73 µJ (Encendido), 47 µJ (apaguado) 12 NC 22ns/100ns
IRG4PH20KDPBF Infineon Technologies IRG4PH20KDPBF -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PH20 Estándar 60 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 800V, 5A, 50OHM, 15V 51 ns - 1200 V 11 A 22 A 4.3V @ 15V, 5A 620 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 28 NC 50ns/100ns
IRF540ZSTRRPBF Infineon Technologies IRF540ZSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570112 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 92W (TC)
SPP15N65C3HKSA1 Infineon Technologies Spp15n65c3hksa1 -
RFQ
 ECAD 2067 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp15n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 280mohm @ 9.4a, 10V 3.9V @ 675 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 156W (TC)
IRG4RC10KTRR Infineon Technologies IRG4RC10KTRR -
RFQ
 ECAD 6736 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRG4RC10K Estándar 38 W D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 480V, 5A, 100OHM, 15V - 600 V 9 A 18 A 2.62V @ 15V, 5A 160 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 19 NC 11ns/51ns
FZ1200R17HE4HOSA2 Infineon Technologies FZ1200R17HE4HOSA2 860.7400
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ1200 7800 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único - 1700 V 1200 A 2.3V @ 15V, 1200A 5 Ma No 97 nf @ 25 V
FF300R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R12Me4Bosa1 205.3600
RFQ
 ECAD 5367 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF300R12 1600 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 450 A 2.1V @ 15V, 300A 3 MA Si 18.5 NF @ 25 V
IKY100N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY100N120CH7XKSA1 16.4200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IKY100N120 Estándar 721 W PG-TO247-4-U10 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - 99 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 212 A 400 A 2.15V @ 15V, 100A 2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado) 714 NC 44ns/359ns
BSC084P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1 -
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC084 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 14.9a (TA), 78.6a (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 50A, 10V 3V @ 110 µA 57.7 NC @ 10 V ± 25V 4240 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR192WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR192 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
BFR 92W E6327 Infineon Technologies BFR 92W E6327 -
RFQ
 ECAD 1242 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFR 92 280MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 11.5db ~ 17db 15V 45mA NPN 70 @ 15 Ma, 8V 5GHz 1.4db ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF3710STRRPBF Infineon Technologies IRF3710StrrPBF -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF3710 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 57a (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3130 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRG8CH15K10F Infineon Technologies IRG8CH15K10F -
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Irg8ch Estándar Morir descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado SP001544928 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 10a, 10ohm, 15V - 1200 V 2V @ 15V, 10a - 65 NC 15ns/170ns
IRF3704 Infineon Technologies IRF3704 -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3704 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 87W (TC)
IRFS59N10DTRRP Infineon Technologies IRFS59N10DTRRP -
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 59A (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5.5V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7HPSA1 357.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar AG-62 mm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 800 A 1.75V @ 15V, 800A 100 µA No 122 NF @ 25 V
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7954 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 240 µA 187 NC @ 10 V ± 20V 3660 pf @ 25 V - 300W (TC)
BCR 116L3 E6327 Infineon Technologies BCR 116L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 116 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 kohms 47 kohms
IRFR3711TR Infineon Technologies IRFR3711TR -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRF7726TRPBF Infineon Technologies IRF7726TRPBF -
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7726 Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 7a (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2204 pf @ 25 V - 1.79W (TA)
BCR 108 B6327 Infineon Technologies BCR 108 B6327 -
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 108 200 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 kohms 47 kohms
IRLR3715TRL Infineon Technologies IRLR3715TRL -
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0901nsiatma1 1.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0901 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 28a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 20 NC @ 15 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE022N06LM5CGSCATMA1 2.8500
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-POWERWDFN IQE022 Mosfet (Óxido de metal) PG-WHTFN-9 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 24a (TA), 151a (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 48 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 4420 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies IPP65R099CFD7AAKSA1 7.4000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 99mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 630 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 2513 pf @ 400 V - 127W (TC)
BCR 133F B6327 Infineon Technologies BCR 133F B6327 -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 133 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spp11n60cfdxksa1 -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp11n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10v 5V @ 500 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF7809ATR Infineon Technologies IRF7809ATR -
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14.5a (TA) 4.5V 8.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 75 NC @ 5 V ± 12V 7300 pf @ 16 V - 2.5W (TA)
IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies IRLS4030TRLPBF 4.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRLS4030 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250 µA 130 NC @ 4.5 V ± 16V 11360 pf @ 50 V - 370W (TC)
SP000687556 Infineon Technologies SP000687556 1.0000
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 37.9a (TC) 10V 99mohm @ 18.1a, 10v 3.5V @ 1.21MA 119 NC @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 100 V - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    Unidad de producto estándar

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