SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
DDB6U84N16RRBPSA1 Infineon Technologies DDB6U84N16RRBPSA1 110.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Ddb6u8 350 W Estándar Ag-Econo2a descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Piquero - 1200 V 50 A 3.2V @ 20V, 50A 1 MA No 3.3 NF @ 25 V
BTS244Z E3062A Infineon Technologies BTS244Z E3062A -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Infineon Technologies Tempfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-5-62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10v 2V @ 130 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 170W (TC)
BSL215PL6327 Infineon Technologies BSL215PL6327 -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL215 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 1.5a 150mohm @ 1.5a, 4.5V 1.2V @ 11 µA 3.55nc @ 4.5V 346pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SPU04N60S5BKMA1 Infineon Technologies SPU04N60S5BKMA1 -
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Spu04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200 µA 22.9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPI65R420CFD Infineon Technologies IPI65R420CFD 0.8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 300 µA 31.5 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
BSL316CL6327 Infineon Technologies BSL316CL6327 1.0000
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL316 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 Vecino del canal 30V 1.4a, 1.5a 160mohm @ 1.4a, 10v 2V @ 3.7 µA 0.6nc @ 5V 94pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies IRG7PH46UD-EP -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irg7ph Estándar 390 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001540700 EAR99 8541.29.0095 400 600V, 40A, 10ohm, 15V 140 ns Zanja 1200 V 40 A 160 A 2V @ 15V, 40A 2.61MJ (Encendido), 1.85mj (apaguado) 220 NC 45ns/410ns
PTFA211801EV5XWSA1 Infineon Technologies PTFA211801EV5XWSA1 -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 65 V Monte del Chasis H-36260-2 PTFA211801 2.14 GHz Ldmos H-36260-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.21.0095 35 - 1.2 A 140W 15.5dB - 28 V
IPA50R950CE Infineon Technologies IPA50R950CE -
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.3a (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13V 3.5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 20V 231 pf @ 100 V - 25.7W (TC)
SPP15N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spp15n60cfdxksa1 3.2127
RFQ
 ECAD 6385 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp15n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 13.4a (TC) 10V 330mohm @ 9.4a, 10V 5V @ 750 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 25 V - 156W (TC)
BSL205NL6327 Infineon Technologies BSL205NL6327 -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL205 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 2.5a 50mohm @ 2.5a, 4.5V 1.2V @ 11 µA 3.2NC @ 4.5V 419pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
IRF3711S Infineon Technologies IRF3711s -
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf3711s EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRFR3707ZTRLPBF Infineon Technologies IRFR3707ZTRLPBF -
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001578160 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 56a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 25 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1150 pf @ 15 V - 50W (TC)
IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies IPTG111N20NM3FDATMA1 8.3200
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Ala de Gaviota IPTG111N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOG-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 200 V 10.8a (TA), 108a (TC) 10V 11.1mohm @ 96a, 10v 4V @ 267 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 100 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
IRG6IC30UPBF Infineon Technologies IRG6IC30UPBF -
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Irg6ic30 Estándar 37 W Un entero de 220ab-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001537372 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 25A, 10ohm Zanja 600 V 25 A 2.88v @ 15V, 120a - 79 NC 20ns/160ns
IRGI4061DPBF Infineon Technologies IRGI4061DPBF -
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 43 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 11a, 22ohm, 15V 60 ns Zanja 600 V 20 A 40 A 1.59V @ 15V, 11a 52 µJ (Encendido), 231 µJ (apaguado) 35 NC 37ns/111ns
IHW20N135R5XKSA1 Infineon Technologies IHW20N135R5XKSA1 4.8000
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ihw20n135 Estándar 288 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 20a, 10ohm, 15V - 1350 V 40 A 60 A 1.85V @ 15V, 20a 950 µJ (apaguado) 170 NC -/235ns
IRGS4640DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4640DTRRPBF -
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 250 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001541990 Obsoleto 800 400V, 24a, 10ohm, 15V 89 ns - 600 V 65 A 72 A 1.9V @ 15V, 24a 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 75 NC 41ns/104ns
BSC150N03LD Infineon Technologies Bsc150n03ld 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC150 Mosfet (Óxido de metal) 26W PG-TDSON-8-4 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 8A 15mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 6.4nc @ 10V 1100pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRL3705ZL Infineon Technologies IRL3705Zl -
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3705Zl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 5 V ± 16V 2880 pf @ 25 V - 130W (TC)
AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R120M1TXKSA1 10.1405
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-AMZH120R120M1TXKSA1 240
IPD64CN10N G Infineon Technologies IPD64CN10N G -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD64C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 64mohm @ 17a, 10v 4V @ 20 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 569 pf @ 50 V - 44W (TC)
IRF6610TR1 Infineon Technologies IRF6610TR1 -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 20 V 15A (TA), 66A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1520 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BFP181E7764 Infineon Technologies BFP181E7764 0.0700
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA 175MW PG-SOT143-4 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 2.900 21db 12V 20 Ma NPN 70 @ 70 mm, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFR4510PBF Infineon Technologies IRFR4510PBF -
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001564880 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 13.9mohm @ 38a, 10v 4V @ 100 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3031 pf @ 50 V - 143W (TC)
IRFR7746TRPBF Infineon Technologies IRFR7746TRPBF -
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR7746 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 75 V 56a (TC) 6V, 10V 11.2mohm @ 35a, 10v 3.7V @ 100 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 3107 pf @ 25 V - 99W (TC)
BFR750L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies BFR750L3RHE6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BFR750 360MW PG-TSLP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 21db 4.7V 90 Ma NPN 160 @ 60mA, 3V 37 GHz 0.6db ~ 1.1db @ 1.8Ghz ~ 6GHz
IPP147N03L G Infineon Technologies IPP147N03L G -
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP147N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 14.7mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 15 V - 31W (TC)
IRG4BC30U-STRRP Infineon Technologies IRG4BC30U-STRRP -
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC30 Estándar 100 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.1V @ 15V, 12A 160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 50 NC 17ns/78ns
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies IRG8P15N120KDPBF -
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG8P Estándar 125 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 600V, 10a, 10ohm, 15V 60 ns - 1200 V 30 A 30 A 2V @ 15V, 10a 600 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 98 NC 15ns/170ns
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