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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH7934TR2PBF | - |  | 2412 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 24a (TA), 76A (TC) | 3.5mohm @ 24a, 10v | 2.35V @ 50 µA | 30 NC @ 4.5 V | 3100 pf @ 15 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4BC30SPBF | - | | 3176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 100 W | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480v, 18a, 23ohm, 15V | - | 600 V | 34 A | 68 A | 1.6v @ 15V, 18a | 260 µJ (Encendido), 3.45mj (apagado) | 50 NC | 22ns/540ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGS14C40LPBF | - | | 1486 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRGS14 | Lógica | 125 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | 430 V | 20 A | 1.75V @ 5V, 14A | - | 27 NC | 900NS/6 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB07N60S5ATMA1 | - | | 5043 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB07N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR7807ZCPBF | - | | 9788 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 43a (TC) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 780 pf @ 15 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSD223P | - | | 9206 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD223 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 390 mm | 1.2ohm @ 390mA, 4.5V | 1.2V @ 1.5 µA | 0.62NC @ 4.5V | 56pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGPS40B120UPBF | - | | 9642 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Estándar | 595 W | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 40A, 4.7ohm, 15V | Escrutinio | 1200 V | 80 A | 160 A | 3.71V @ 15V, 50A | 1.4mj (Encendido), 1.65mj (apaguado) | 340 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fp25r12kt4b11bosa1 | - | | 7034 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FP25R12 | 160 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 25 A | 2.15V @ 15V, 25A | 1 MA | Si | 1.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S415ATMA2 | 1.3800 | | 5402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 50W | PG-TDSON-8-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 20A | 15.5mohm @ 17a, 10v | 4V @ 20 µA | 29NC @ 10V | 2260pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R099P6XKSA1 | 6.8500 | | 7161 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 37.9a (TC) | 10V | 99mohm @ 14.5a, 10v | 4.5V @ 1.21MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3330 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPI65R420CFD | 0.8200 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 8.7a (TC) | 10V | 420mohm @ 3.4a, 10V | 4.5V @ 300 µA | 31.5 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 100 V | - | 83.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL215PL6327 | - | | 5272 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL215 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.5a | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 3.55nc @ 4.5V | 346pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
| BSL205NL6327 | - | | 3099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL205 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.5a | 50mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 3.2NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Bsc150n03ld | 0.4000 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | BSC150 | Mosfet (Óxido de metal) | 26W | PG-TDSON-8-4 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 15mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 6.4nc @ 10V | 1100pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO203P | 0.5500 | | 5102 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO203 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 421 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 8.2a | 21mohm @ 8.2a, 4.5V | 1.2V @ 100 µA | 48.6nc @ 4.5V | 2242pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR4510PBF | - | | 6175 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001564880 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 56a (TC) | 10V | 13.9mohm @ 38a, 10v | 4V @ 100 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3031 pf @ 50 V | - | 143W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BSL316CL6327 | 1.0000 | | 4405 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL316 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Vecino del canal | 30V | 1.4a, 1.5a | 160mohm @ 1.4a, 10v | 2V @ 3.7 µA | 0.6nc @ 5V | 94pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3711s | - | | 7631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf3711s | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2980 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | - | | 4126 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR7746 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 75 V | 56a (TC) | 6V, 10V | 11.2mohm @ 35a, 10v | 3.7V @ 100 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 3107 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 | - | | 8067 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | 38 W | D-Pak (TO-252AA) | - | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001814954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480V, 8a, 100ohm, 15V | 28 ns | - | 600 V | 14 A | 18 A | 1.8v @ 15V, 8a | 310 µJ (Encendido), 3.28mj (apagado) | 15 NC | 76ns/815ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PS3GFANSET30601NOSA1 | - | | 1840 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | PS3GFanset30601 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bfp520h6327xtsa1 | 0.5800 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP520 | 100MW | PG-SOT343-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22.5db | 3.5V | 40mera | NPN | 70 @ 20MA, 2V | 45 GHz | 0.95db @ 1.8Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGA03N120H2XKSA1 | 1.8352 | | 9032 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IGA03 | Estándar | 29 W | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V, 3a, 82ohm, 15V | - | 1200 V | 3 A | 9 A | 2.8V @ 15V, 3A | 290 µJ | 8.6 NC | 9.2NS/281NS | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC20K-STRLP | - | | 9082 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 60 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 480V, 9a, 50ohm, 15V | - | 600 V | 16 A | 32 A | 2.8V @ 15V, 9a | 150 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) | 34 NC | 28ns/150ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFB3207ZGPBF | 1.4800 | | 8331 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB3207 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 4.1mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 6920 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Ddb6u180n16rrb37bosa1 | - | | 6622 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Módulo | Ddb6u180 | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD122N10N3GBTMA1 | - | | 2648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD122N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 59A (TC) | 6V, 10V | 12.2mohm @ 46a, 10v | 3.5V @ 46 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 50 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD12CN10N | - | | 8149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 67a (TC) | 10V | 12.4mohm @ 67a, 10v | 4V @ 83 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 4320 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR142WH6327 | - | | 2558 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BCR142 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,123 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 198T E6327 | - | | 5148 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 198 | 250 MW | PG-SC-75 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 70 Ma | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 190 MHz | 47 kohms | 47 kohms |
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