SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BC 847BF E6327 Infineon Technologies BC 847BF E6327 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 BC 847 250 MW PG-TSFP-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF6604TR1 Infineon Technologies IRF6604TR1 -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mq descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001525412 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 12a (TA), 49A (TC) 4.5V, 7V 11.5mohm @ 12a, 7v 2.1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 12V 2270 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
IRL8113SPBF Infineon Technologies IRL8113SPBF -
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 105A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
IRFZ44NL Infineon Technologies Irfz44nl -
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz44nl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 49a (TC) 10V 17.5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1470 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 94W (TC)
IRF7523D1 Infineon Technologies IRF7523D1 -
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 2.7a (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 1.7a, 10v 1V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 210 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 1.25W (TA)
IRLR3103TRR Infineon Technologies IRLR3103TRR -
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 1600 pf @ 25 V - 107W (TC)
IRF5852 Infineon Technologies IRF5852 -
RFQ
 ECAD 3439 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 IRF58 Mosfet (Óxido de metal) 960MW 6-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 100 2 Canal N (Dual) 20V 2.7a 90mohm @ 2.7a, 4.5V 1.25V @ 250 µA 6NC @ 4.5V 400pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRGP4750DPBF Infineon Technologies IRGP4750DPBF -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 273 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 35a, 10ohm, 15V 150 ns - 650 V 70 A 105 A 2V @ 15V, 35a 1.3MJ (Encendido), 500 µJ (apaguado) 105 NC 50ns/105ns
BCR 108F E6327 Infineon Technologies BCR 108F E6327 -
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 108 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 kohms 47 kohms
IPP039N10N5AKSA1 Infineon Technologies IPP039N10N5AKSA1 4.0000
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP039 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 50A, 10V 3.8V @ 125 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 50 V - 188W (TC)
IRFR3518PBF Infineon Technologies IRFR3518PBF -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 80 V 38a (TC) 10V 29mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRFU024NPBF Infineon Technologies Irfu024npbf -
RFQ
 ECAD 7173 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Irfu024 Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies FS03MR12A6MA1BBPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Infineon Technologies Hybridpack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS03MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Hybridd-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 6 Canal N (Puente 3 Formas) 1200V (1.2kv) 400A (TJ) 3.7mohm @ 400a, 15V 5.55V @ 240 mm 1320nc @ 15V 42500pf @ 600V -
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB147N03LGATMA1 -
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB147N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 14.7mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 15 V - 31W (TC)
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF11MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Easy1bm-2 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado SP003094734 EAR99 8541.21.0095 24 2 Canal N (Dual) 1200V (1.2kv) 50A (TJ) 22.5mohm @ 50A, 15V 5.55V @ 20 mm 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Infineon Technologies FS55MR12W1M1HB11NPSA1 89.0900
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Coolsic ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS55MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 6 Canal N (Puente completo) 1200V 15a (TJ) 79mohm @ 15a, 18V 5.15V @ 6MA 45nc @ 18V 1350pf @ 800V -
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MDGXUMA1 0.9300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO220 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6A 22mohm @ 7.7a, 10V 2.1V @ 250 µA 10nc @ 10V 800pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies IPW65R070C6FKSA1 11.2600
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R070 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 53.5a (TC) 10V 70mohm @ 17.6a, 10v 3.5V @ 1.76MA 170 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 100 V - 391W (TC)
IPP70N04S406AKSA1 Infineon Technologies IPP70N04S406AKSA1 0.8623
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP70N04 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 70A (TC) 10V 6.5mohm @ 70a, 10v 4V @ 26 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 25 V - 58W (TC)
IRLR7807ZTRRPBF Infineon Technologies IRLR7807ZTRRPBF -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 43a (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 780 pf @ 15 V - 40W (TC)
IRFZ46NSTRRPBF Infineon Technologies IRFZ46NSTRPBF -
RFQ
 ECAD 8597 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1696 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies Irfz44estrlpbf 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Irfz44 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 48a (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRFR3504TRPBF Infineon Technologies IRFR3504TRPBF -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 30A (TC) 10V 9.2mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 140W (TC)
BCR 169L3 E6327 Infineon Technologies BCR 169L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 169 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 4633 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI600 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
IPI65R280C6XKSA1 Infineon Technologies IPI65R280C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 440 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
FS75R12KE3B9BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3B9BPSA1 184.7500
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R12 350 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de puente entero - 1200 V 105 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
IRGS4064DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4064DTRRPBF -
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 101 W D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001536502 EAR99 8541.29.0095 800 400V, 10a, 22ohm, 15V 62 ns Zanja 600 V 20 A 40 A 1.91V @ 15V, 10a 29 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 32 NC 27ns/79ns
BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR112WE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 1235 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR112 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 5MA, 5V 140 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
BCP5116E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP5116E6327HTSA1 -
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 ECAD 9106 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP51 2 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
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