SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies IQE004NE1LM7SCATMA1 1.1739
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 6,000
BFP760H6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp760h6327xtsa1 0.5600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP760 240MW PG-SOT343-4-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 16.5db ~ 29db 4v 70 Ma NPN 160 @ 35MA, 3V 45 GHz 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz
IRFI530N Infineon Technologies Irfi530n -
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfi530n EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 12a (TC) 10V 110mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 41W (TC)
IRF7807 Infineon Technologies IRF7807 -
RFQ
 ECAD 6596 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
FZ800R12KL4CNOSA1 Infineon Technologies FZ800R12KL4CNOSA1 789.6800
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 5700 W Estándar - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único - 1200 V 1300 A 2.6V @ 15V, 800A 5 Ma No 56 NF @ 25 V
IRF7822PBF Infineon Technologies IRF7822PBF -
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7822 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001572268 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V 6.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 60 NC @ 5 V ± 12V 5500 pf @ 16 V - 3.1W (TA)
IPB35N12S3L26ATMA1 Infineon Technologies IPB35N12S3L26ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IP35N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 120 V 35A (TC) 4.5V, 10V 26.3mohm @ 35a, 10v 2.4V @ 39 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 71W (TC)
FS150R17KE3GBOSA1 Infineon Technologies FS150R17KE3GBOSA1 649.1275
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™+ Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FS150R17 1050 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1700 V 240 A 2.45V @ 15V, 150a 3 MA Si 13.5 NF @ 25 V
IRFS7437PBF Infineon Technologies IRFS7437PBF -
RFQ
 ECAD 5581 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573442 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TC) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 150 µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7330 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies IRFS4010TRL7PP 3.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IRFS4010 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 190a (TC) 10V 4mohm @ 110a, 10v 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 9830 pf @ 50 V - 380W (TC)
PTFA180701FV4FWSA1 Infineon Technologies PTFA180701FV4FWSA1 -
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA180701 1.84GHz Ldmos H-37265-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 10 µA 550 Ma 60W 16.5dB - 28 V
ICD22V04X1SA1 Infineon Technologies ICD22V04X1SA1 -
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000986944 Obsoleto 0000.00.0000 1
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R1K4C6ATMA1 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 20V 225 pf @ 100 V - 28W (TC)
BSO215C Infineon Technologies BSO215C -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO215 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 20V 3.7a 100mohm @ 3.7a, 10V 2V @ 10 µA 11.5nc @ 10V 246pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BCR 166T E6327 Infineon Technologies BCR 166T E6327 -
RFQ
 ECAD 5541 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 166 250 MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 47 kohms
BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies Bsp295h6327xtsa1 0.9500
RFQ
 ECAD 6286 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP295 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 1.8a (TA) 4.5V, 10V 300mohm @ 1.8a, 10V 1.8V @ 400 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 368 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1 8.0100
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ G7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IPDD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 80mohm @ 9.7a, 10V 4V @ 490 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 400 V - 174W (TC)
IRL3716STRRPBF Infineon Technologies IRL3716Strpbf -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 180A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 90a, 10v 3V @ 250 µA 79 NC @ 4.5 V ± 20V 5090 pf @ 10 V - 210W (TC)
IRF5804 Infineon Technologies IRF5804 -
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 Canal P 40 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 198mohm @ 2.5a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 2W (TA)
IRFR1205PBF Infineon Technologies IRFR1205PBF -
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR1205 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 44a (TC) 10V 27mohm @ 26a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 107W (TC)
IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IQE065N10NM5ATMA1 2.9300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Iqe065n Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 14A (TA), 85A (TC) 6V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10v 3.8V @ 48 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
BC 807-16 E6433 Infineon Technologies BC 807-16 E6433 -
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 807 330 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 200MHz
SPU02N60S5 Infineon Technologies SPU02N60S5 -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 5.5V @ 80 µA 9.5 NC @ 10 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 25W (TC)
IRFL4310TRPBF Infineon Technologies IRFL4310TRPBF 0.9700
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irfl4310 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 1.6a (TA) 10V 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 1W (TA)
BSC883N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC883N03MSGATMA1 -
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 34 V 19A (TA), 98A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 57W (TC)
BCR 191T E6327 Infineon Technologies BCR 191T E6327 -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 191 250 MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
IPP06CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP06CN10NGXKSA1 -
RFQ
 ECAD 1053 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP06C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000680822 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 180 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRF7809PBF Infineon Technologies IRF7809PBF -
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 28 V 14.5a (TA) 4.5V - 1V @ 250 µA ± 12V - -
IRLR8256TRPBF Infineon Technologies IRLR8256TRPBF -
RFQ
 ECAD 4722 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR8256 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 25 V 81a (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 25 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 1470 pf @ 13 V - 63W (TC)
IRLL014NTRPBF Infineon Technologies Irll014ntrpbf 0.9100
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irll014 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 2a (TA) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10v 2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 230 pf @ 25 V - 1W (TA)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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