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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR5505TRLPBF | 1.3500 |  | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR5505 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 18a (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R520C6 | - | | 7250 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 8.1A (TC) | 10V | 520mohm @ 2.8a, 10V | 3.5V @ 230 µA | 23.4 NC @ 10 V | ± 20V | 512 pf @ 100 V | - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPSA70R950Ceakma1 | - | | 1553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPSA70 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-347 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 V | 8.7a (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 150 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF7604TRPBF | - | | 7336 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.7V, 4.5V | 90mohm @ 2.4a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 20 NC @ 4.5 V | ± 12V | 590 pf @ 15 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Irf7492tr | - | | 7484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | IRF7492TRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 200 V | 3.7a (TA) | 10V | 79mohm @ 2.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRL3402S | - | | 7065 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3402S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 85A (TC) | 4.5V, 7V | 8mohm @ 51a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 78 NC @ 4.5 V | ± 10V | 3300 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFB42N20D | - | | 8807 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFB42N20D | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 44a (TC) | 10V | 55mohm @ 26a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 3430 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFR420TRPBF | - | | 5226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Bts121anksa1 | - | | 9095 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 22a (TC) | 4.5V | 100mohm @ 9.5a, 4.5V | 2.5V @ 1MA | ± 10V | 1500 pf @ 25 V | - | 95W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR7843TR | - | | 3462 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 161a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4380 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Irg5k100hh06e | - | | 3880 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo Powir Eco 2 ™ | 405 W | Estándar | Powir Eco 2 ™ | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 14 | Inversor de puente entero | - | 600 V | 170 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | Si | 6.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfs3107 | - | | 1294 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001522294 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 195a (TC) | 10V | 3mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9370 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N04S6N010ATMA1 | 2.5800 | | 8194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 7V, 10V | 1.03mohm @ 60a, 10v | 3V @ 90 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 6878 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | - | | 5803 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSP320S E6327 | - | | 6029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 2.9a (TA) | 10V | 120mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 20 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSC020N03MSGATMA1 | 1.6600 | | 32 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC020 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 25A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 9600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCX69-25E6327HTSA1 | 0.1400 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 3 W | PG-SOT89 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,077 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 160 @ 500mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7338PBF | - | | 1289 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF733 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Vecino del canal | 12V | 6.3a, 3a | 34mohm @ 6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 8.6nc @ 4.5V | 640pf @ 9V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC 850C B5003 | - | | 5980 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 850 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80N04S4-03 | 1.0700 | | 350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 350 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 53 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 5260 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3707ZSTRR | - | | 3040 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Auxhafr6215 | - | | 4047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3546MTRPBF | - | | 8084 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 41-Powervfqfn | IRF3546 | Mosfet (Óxido de metal) | - | 41-PQFN (6x8) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 Canal N | 25V | 16a (TC), 20a (TC) | 3.9mohm @ 27a, 10v | 2.1V @ 35 µA | 15NC @ 4.5V | 1310pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7184ATRPBF | - | | 4985 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001577910 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3215 | - | | 7420 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 V | 12a (TC) | 4V, 10V | 166mohm @ 7.2a, 10v | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 16V | 775 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IPI50R250CP | 1.1100 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 520 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BFP 740F E6327 | - | | 9745 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | BFP 740 | 160MW | 4-TSFP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 27.5db | 4.7V | 30mera | NPN | 160 @ 25mA, 3V | 42 GHz | 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTS282Z E3180A | - | | 8612 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-7-180 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 49 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10v | 2V @ 240 µA | 232 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP9140NPBF | 2.7900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP9140 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal P | 100 V | 23a (TC) | 10V | 117mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 97 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC10SDPBF | - | | 1426 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 38 W | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4BC10SDPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 8a, 100ohm, 15V | 28 ns | - | 600 V | 14 A | 18 A | 1.8v @ 15V, 8a | 310 µJ (Encendido), 3.28mj (apagado) | 15 NC | 76ns/815ns |
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