SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRFB4212PBF Infineon Technologies IRFB4212PBF -
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555992 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 18a (TC) 10V 72.5mohm @ 13a, 10v 5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 50 V - 60W (TC)
IRFR5305TRR Infineon Technologies IRFR5305TRR -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRLML5203 Infineon Technologies IRLML5203 -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 3a (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
IRF8788PBF Infineon Technologies IRF8788PBF -
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566558 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 24a (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10v 2.35V @ 100 µA 66 NC @ 4.5 V ± 20V 5720 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRF5210STRR Infineon Technologies IRF5210Strr -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 100 V 40A (TC) 10V 60mohm @ 24a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
FZ1800R17KF4NOSA1 Infineon Technologies FZ1800R17KF4NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 13500 W Estándar Módulo descascar 0000.00.0000 1 3 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 3560 A 2.1V @ 15V, 2.4ka 5 Ma No 150 NF @ 25 V
IPS075N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS075N03LGAKMA1 -
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 47W (TC)
IPB80N06S2L11ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 60a, 10v 2V @ 93 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 2075 pf @ 25 V - 158W (TC)
BSF885N03LQ3G Infineon Technologies BSF885N03LQ3G 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5,000
PTFB260605ELV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB260605ELV1XWSA1 -
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000800738 Obsoleto 0000.00.0000 1
SPD50N03S2L06T Infineon Technologies SPD50N03S2L06T 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD50N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 50A, 10V 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
AUIRF3504 Infineon Technologies Auirf3504 -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521622 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 87a (TC) 10V 9.2mohm @ 52a, 10v 4V @ 100 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 143W (TC)
IPLK80R900P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R900P7ATMA1 1.5400
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn IPlk80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 - 800 V - - - - ± 20V - -
SMBT 3904 E6433 Infineon Technologies SMBT 3904 E6433 1.0000
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 330 MW PG-SC74-6 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R1K4P7SAUMA1 0.7500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 700 mA, 10V 3.5V @ 40 µA 4.7 NC @ 10 V ± 16V 158 pf @ 400 V - 23W (TC)
BTS244Z E3043 Infineon Technologies BTS244Z E3043 -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 Infineon Technologies Tempfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-5 Mosfet (Óxido de metal) P-to220-5-43 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10v 2V @ 130 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 170W (TC)
IRF7832TRPBF Infineon Technologies IRF7832TRPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7832 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 20A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 2.32V @ 250 µA 51 NC @ 4.5 V ± 20V 4310 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
PTFB211501FV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB211501FV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFB211501 2.17GHz Ldmos H-37248-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2 A 40W 18dB - 30 V
IRL3803SPBF Infineon Technologies IRL3803SPBF -
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 140A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 71a, 10V 1V @ 250 µA 140 NC @ 4.5 V ± 16V 5000 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRFSL3004PBF Infineon Technologies IRFSL3004PBF -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001578466 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TA) 10V 1.75mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 380W (TC)
BSM150GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies BSM150GB120DN2FE325HOSA1 -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto BSM150 - Obsoleto 1
IRG8CH37K10F Infineon Technologies IRG8CH37K10F -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic IRG8CH37 Estándar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001532998 EAR99 8541.29.0095 1 600V, 35a, 5ohm, 15V - 1200 V 2V @ 15V, 35a - 210 NC 35ns/190ns
IRF7416PBF Infineon Technologies IRF7416PBF -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 5.6a, 10V 1V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRL3705ZSPBF Infineon Technologies IRL3705ZSPBF -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 5 V ± 16V 2880 pf @ 25 V - 130W (TC)
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies IKW75N65ET7XKSA1 9.1500
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKW75N65 Estándar 333 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 4.7ohm, 15V 100 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 225 A 1.65V @ 15V, 75a 2.17MJ (Encendido), 1.23mj (apaguado) 435 NC 28ns/310ns
IRG4PH40UD2-EP Infineon Technologies IRG4PH40UD2-EP -
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 160 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 800V, 21a, 10ohm, 15V 50 ns - 1200 V 41 A 82 A 3.1V @ 15V, 21A 1.95mj (Encendido), 1.71mj (apaguado) 100 NC 22ns/100ns
IRG4PC30U Infineon Technologies IRG4PC30U -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC30 Estándar 100 W To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4PC30U EAR99 8541.29.0095 25 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.1V @ 15V, 12A 160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 50 NC 17ns/78ns
SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies SPW32N50C3FKSA1 9.8800
RFQ
 ECAD 438 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SPW32N50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 560 V 32A (TC) 10V 110MOHM @ 20A, 10V 3.9V @ 1.8MA 170 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 25 V - 284W (TC)
DD1200S33KL2C_B5 Infineon Technologies DD1200S33KL2C_B5 1.0000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo 1800 W Estándar A-IHV130-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 2 Independientes - 3300 V - No
BCR129SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR129SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR129 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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