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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)
FS75R12KT4BPSA2	153.0900	RFQ	9747	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 2	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS75R12			20 MW	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico																	Parada de Campo de Trinchera	1200 V	75 A	2.15V @ 15V, 75a		1 MA	Si	4.3 NF @ 25 V
IRF3704ZPBF	-	RFQ	3435	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					20 V	67a (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 21a, 10v	2.55V @ 250 µA	13 NC @ 4.5 V	± 20V	1220 pf @ 10 V	-	57W (TC)
IPB160N08S4-03ATMA1	-	RFQ	5530	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					80 V	160A (TC)	10V	3.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 150 µA	112 NC @ 10 V	± 20V	7750 pf @ 25 V	-	208W (TC)
FF1000R17IE4S4BOSA2	-	RFQ	4439	Infineon Technologies	Primepack ™ 3	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF1000			6250 W	Estándar	Ag-prime3-1	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	2 Independientes																	-	1700 V	1390 A	2.45V @ 15V, 1000A		5 Ma	Si	81 pf @ 25 V
IPI045N10N3GXK	-	RFQ	8782	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI045N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	-		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	SP000482424	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					100 V	137a (TC)	6V, 10V	4.5mohm @ 100a, 10V	3.5V @ 150 µA	117 NC @ 10 V	± 20V	8410 pf @ 50 V	-	214W (TC)
BCR169WE6327HTSA1	-	RFQ	6906	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR169			250 MW		PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																			50 V	100 mA			100NA (ICBO)			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	120 @ 5MA, 5V	200 MHz	4.7 kohms
SI4410DYPBF	-	RFQ	1930	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal					30 V	10a (TA)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 10a, 10v	1V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Fd500r65ke3knosa1	2.0000	RFQ	9898	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-50 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FD500R65			9600 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			8541.29.0095	1	Piquero																	-	6500 V	500 A	3.4V @ 15V, 500A		5 Ma	No	135 NF @ 25 V
BSM75GB120DN2HOSA1	-	RFQ	2236	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM75GB120			625 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente																	-	1200 V	105 A	3V @ 15V, 75a		1.5 Ma	No	5.5 NF @ 25 V
BSZ120P03NS3GATMA1	0.9000	RFQ	24	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ120		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P					30 V	11a (TA), 40a (TC)	6V, 10V	12mohm @ 20a, 10v	3.1V @ 73 µA	45 NC @ 10 V	± 25V	3360 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 52W (TC)
BCX69-16E6327	-	RFQ	7863	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA				3 W		PG-SOT89-4-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																			20 V	1 A			100NA (ICBO)				500mv @ 100 mm, 1a	100 @ 500 mA, 1V	100MHz
IPD78CN10NGATMA1	0.8800	RFQ	16	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD78CN10		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					100 V	13a (TC)	10V	78mohm @ 13a, 10v	4V @ 12 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	716 pf @ 50 V	-	31W (TC)
IPD350N06LGBTMA1	0.9600	RFQ	5454	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD350		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					60 V	29a (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 29a, 10v	2V @ 28 µA	13 NC @ 5 V	± 20V	800 pf @ 30 V	-	68W (TC)
BC858AE6327	1.0000	RFQ	6606	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																			30 V	100 mA			15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	125 @ 2mA, 5V	250MHz
IRG7CH20K10EF	-	RFQ	3425	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					Irg7ch						descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
Mmbta06lt1	1.0000	RFQ	9625	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				225 MW		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	Rohs no conforme				EAR99	8541.21.0075	3.000																			80 V	500 mA			100na			NPN	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	100 @ 100 maja, 1v	100MHz
PTF210451E V1	-	RFQ	7788	Infineon Technologies	Goldmos®	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera		2.17GHz	Ldmos			H-30265-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			1 µA	500 mA	45W	14dB											-					28 V
BSR302KL6327	0.0900	RFQ	4943	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	3.000
IRFS7430PBF	-	RFQ	9018	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001578352	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	195a (TC)	6V, 10V	1.2mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	460 NC @ 10 V	± 20V	14240 pf @ 25 V	-	375W (TC)
SPD03N50C3ATMA1	0.7234	RFQ	8077	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD03N50		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					500 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	3.9V @ 135 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IPI120N10S405AKSA1	-	RFQ	5364	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI120N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					100 V	120a (TC)	10V	5.3mohm @ 100a, 10v	3.5V @ 120 µA	91 NC @ 10 V	± 20V	6540 pf @ 25 V	-	190W (TC)
FP20R06W1E3B11BOMA1	41.5100	RFQ	24	Infineon Technologies	EasyPim ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FP20R06			94 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	24	Inversor trifásico																	Parada de Campo de Trinchera	600 V	27 A	2V @ 15V, 20a		1 MA	Si	1.1 NF @ 25 V
IRFZ44ZPBF	1.0300	RFQ	9	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Irfz44		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					55 V	51a (TC)	10V	13.9mohm @ 31a, 10v	4V @ 250 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	1420 pf @ 25 V	-	80W (TC)
Auirfs8405	-	RFQ	4002	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirfs8405		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					40 V	120a (TC)	10V	2.3mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 100 µA	161 NC @ 10 V	± 20V	5193 pf @ 25 V	-	163W (TC)
IRLR2705TRPBF	-	RFQ	6224	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558392	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					55 V	28a (TC)	4V, 10V	40mohm @ 17a, 10v	2V @ 250 µA	25 NC @ 5 V	± 16V	880 pf @ 25 V	-	68W (TC)
IP111N15N3G	-	RFQ	5769	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.30.0080	1
IRFB7540PBF	1.6900	RFQ	459	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB7540		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					60 V	110A (TC)	6V, 10V	5.1mohm @ 65a, 10V	3.7V @ 100 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	4555 pf @ 25 V	-	160W (TC)
PTFB260605ELV1XWSA1	-	RFQ	1245	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto											descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000800738	Obsoleto	0000.00.0000	1
IAUS165N08S5N029ATMA1	4.5700	RFQ	1	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowersMD, Ala de Gaviota	IAUS165		Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOG-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.800		N-canal					80 V	165A (TC)	6V, 10V	2.9mohm @ 80a, 10v	3.8V @ 108 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	6370 pf @ 40 V	-	167W (TC)
FD401R17KF6CB2NOSA1	742.3500	RFQ	28	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo											descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar Afectados	2156-FD401R17KF6CB2NOSA1-448			1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²