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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL3714L | - |  | 6438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3714L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||
 | IPLU300N04S4R7XTMA2 | - | | 2860 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPlu300n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001097228 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 300A (TC) | 10V | 0.76mohm @ 100a, 10V | 4V @ 230 µA | 287 NC @ 10 V | ± 20V | 22945 pf @ 25 V | - | 429W (TC) | ||||
 | IRF7750 | - | | 7552 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | IRF7750 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.7a | 30mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 39nc @ 5V | 1700pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IPS05N03LA G | - | | 6027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPS05N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10v | 2V @ 50 µA | 25 NC @ 5 V | ± 20V | 3110 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | |||||
 | IRFR540ZTRPBF | 1.1800 | | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR540 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 10V | 28.5mohm @ 21a, 10v | 4V @ 50 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||
 | IPBH6N03LA G | - | | 2063 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPBH6N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 50A, 10V | 2V @ 30 µA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 2390 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | |||||
 | IRF1704 | - | | 3558 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 170A (TC) | 10V | 4mohm @ 100a, 10v | 4V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 6950 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||
 | IPI04CN10N G | - | | 1170 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI04C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 13800 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||
| IRF1104S | - | | 8096 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 9mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250 µA | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 170W (TC) | |||||
| IRFSL5620PBF | - | | 4879 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001552384 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 24a (TC) | 10V | 77.5mohm @ 15a, 10v | 5V @ 100 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | |||||
 | IRFH7191TRPBF | - | | 4294 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fastirfet ™, hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 15a (TA), 80a (TC) | 10V | 8mohm @ 48a, 10v | 3.6V @ 100 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1685 pf @ 50 V | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | BSC119N03S G | - | | 2405 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 11.9A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 11 NC @ 5 V | ± 20V | 1370 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 43W (TC) | ||||||
 | SPP80N06S2-H5 | - | | 9631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 230 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||
 | IRF7207PBF | - | | 6628 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001574752 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 20 V | 5.4a (TC) | 2.7V, 4.5V | 60mohm @ 5.4a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | 780 pf @ 15 V | - | 2.5W (TC) | |||||
| SPI20N60C3HKsa1 | - | | 5824 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | SPI20N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000014453 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||
| IRFR3504ZTRL | - | | 7948 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 9mohm @ 42a, 10v | 4V @ 50 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||
| IRFZ46ZLPBF | - | | 5226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 51a (TC) | 10V | 13.6mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1460 pf @ 25 V | - | 82W (TC) | ||||||
| SPD35N10 | - | | 1452 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD35N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 10V | 44mohm @ 26.4a, 10V | - | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 1570 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
| IRFR2405TRPBF | - | | 5483 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR2405 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 56a (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2430 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
| SPP80N03S2-03 | - | | 8529 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 10V | 3.4mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
| IPD50R650CEAUMA1 | 0.8900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R650 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-344 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 9A (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13V | 3.5V @ 150 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 342 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| IRLR120NTRR | - | | 3565 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4V, 10V | 185mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| Auirf1405zl | - | | 2127 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 150A (TC) | 10V | 4.9mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 4780 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||
 | BSP318S E6327 | - | | 7438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 2.6a (TA) | 4.5V, 10V | 90mohm @ 2.6a, 10V | 2V @ 20 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||
| IRLR3915PBF | - | | 5482 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 5V, 10V | 14mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 16V | 1870 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||
 | IPW65R110CFDAFKSA1 | 9.5700 | | 7992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 31.2a (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10v | 4.5V @ 1.3MA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 3240 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||
 | IPB027N10N3GE8187ATMA1 | - | | 5587 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IPB027 | - | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | Irfiz24e | - | | 1047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 71mohm @ 7.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 29W (TC) | |||||
 | IRFH5206TRPBF | - | | 5260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 16a (TA), 89A (TC) | 10V | 6.7mohm @ 50A, 10V | 4V @ 100 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2490 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 100W (TC) | ||||||
| IPD053N08N3GBTMA1 | - | | 1361 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD053N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 90A (TC) | 6V, 10V | 5.3mohm @ 90a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 40 V | - | 150W (TC) |
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