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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPDQ60T010S7XTMA1	19.6311	RFQ	8851	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Activo										-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-IPDQ60T010S7XTMA1TR			750
IPQC60T010S7AXTMA1	21.5940	RFQ	1503	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Activo										-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-IPQC60T010S7AXTMA1TR			750
FF1600R12IP7BOSA1	600.1300	RFQ	9234	Infineon Technologies	-	Banda	Activo										-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				3
AIMZHN120R060M1TXKSA1	15.2202	RFQ	9459	Infineon Technologies	*	Tubo	Activo										-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-AMZZHN120R060M1TXKSA1			240
BUZ30AH3045A	-	RFQ	7344	Infineon Technologies	Sipmos®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		200 V	21a (TC)	10V	130mohm @ 13.5a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	1900 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IPW65R019C7	1.0000	RFQ	2615	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3	descascar						0000.00.0000	1		N-canal		650 V	75A (TC)	10V	19mohm @ 58.3a, 10v	4V @ 2.92MA	215 NC @ 10 V	± 20V	9900 pf @ 400 V	-	446W (TC)
FS450R12OE4B61BOSA1	-	RFQ	7524	Infineon Technologies	ECONOPACK ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				2250 W	Estándar	Ag-ECONOPP	descascar					EAR99	8541.29.0095	1	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	660 A		2.1V @ 15V, 450A				3 MA	Si	28 NF @ 25 V
IGA03N120H2	-	RFQ	8606	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		29 W		PG-TO20-3-31	descascar					EAR99	8542.39.0001	1			800V, 3a, 82ohm, 15V												-	1200 V	8.2 A	9 A	2.8V @ 15V, 3A	140 µJ (Encendido), 150 µJ (apaguado)	8.6 NC	9.2NS/281NS
BSD214SNH6327	-	RFQ	7651	Infineon Technologies	Optimos ™ 2	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT363-6-6	descascar					EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal		20 V	1.5a (TA)	2.5V, 4.5V	140mohm @ 1.5a, 4.5V	1.2V @ 3.7 µA	0.8 NC @ 5 V	± 12V	143 pf @ 10 V	-	500MW (TA)
IPW60R070P6	-	RFQ	7142	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		600 V	53.5a (TC)	10V	70mohm @ 20.6a, 10v	4.5V @ 1.72MA	100 NC @ 10 V	± 20V	4750 pf @ 100 V	-	391W (TC)
IPW60R330P6	-	RFQ	1690	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-41	-					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal		600 V	12a (TC)	10V	330mohm @ 4.5a, 10V	4.5V @ 370 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	1010 pf @ 100 V	-	93W (TC)
IKQ75N120CT2	-	RFQ	4575	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8541.29.0095	1
IKD15N60RF	1.0000	RFQ	7799	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Estándar		250 W		PG-TO252-3-313	descascar					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 15a, 15ohm, 15V											74 ns	Parada de Campo de Trinchera	600 V	30 A	45 A	2.5V @ 15V, 15a	270 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado)	90 NC	13ns/160ns
FZ3600R17HE4NPSA1	1.0000	RFQ	1598	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				21000 W	Estándar	-	descascar					EAR99	8542.39.0001	1	Interruptor Único														-	1700 V	3600 A		2.3V @ 15V, 3.6ka				5 Ma	No	295 NF @ 25 V
IPD90N06S4L-05	1.0000	RFQ	3158	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal		60 V	90A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 90a, 10v	2.2V @ 60 µA	110 NC @ 10 V	± 16V	8180 pf @ 25 V	-	107W (TC)
FS200R12PT4	-	RFQ	1247	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 4	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS200R12			1000 W	Estándar	Ag-Econo4	descascar					EAR99	8542.39.0001	1	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	280 A		2.15V @ 15V, 200a				1 MA	Si	14 NF @ 25 V
FP50R12KT4BOSA1	-	RFQ	5703	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 2	Una granela	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FP50R12			280 W	Estándar	Módulo	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	50 A		2.25V @ 15V, 50A				1 MA	Si	2.8 NF @ 25 V
BSM25GP120B2BPSA1	-	RFQ	6514	Infineon Technologies	*	Banda	La Última Vez Que Compre										-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-BSM25GP120B2BPSA1	EAR99	8541.29.0095	15
BSM10GP120B9BPSA1	-	RFQ	2927	Infineon Technologies	*	Banda	La Última Vez Que Compre										-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-BSM10GP120B9BPSA1	EAR99	8541.29.0095	15
MA13034801NDSA1	-	RFQ	3299	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto										-			Alcanzar sin afectado	448-MA13034801NDSA1	EAR99	8541.29.0095	1
6PS04012E33G43439NOSA1	-	RFQ	1069	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto										-			Alcanzar sin afectado	448-6PS04012E33G43439NOSA1	EAR99	8541.29.0095	1
PSDC312E5628406NOSA1	-	RFQ	7537	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto										-			Alcanzar sin afectado	448-PSDC312E5628406NOSA1	EAR99	8541.29.0095	1
ISZ0901NLSATMA1	0.7400	RFQ	6	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	ISZ0901		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-25	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		25 V	40A (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 20a, 10v	2V @ 250 µA	9.1 NC @ 10 V	± 20V	670 pf @ 12 V	-	26W (TC)
FF6MR12W2M1PB11BPSA1	-	RFQ	9601	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FF6MR12		CARBURO DE SILICIO (SIC)	20MW (TC)			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	18	2 Canal N (Dual)			1200V (1.2kv)	200a (TJ)		5.63mohm @ 200a, 15V	5.55V @ 80MA	496nc @ 15V		14700pf @ 800V	-
IAUZ30N10S5L240ATMA1	1.4400	RFQ	9339	Infineon Technologies	Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IAUZ30		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-32	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		100 V	30A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 15 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	832 pf @ 50 V	-	45.5W (TC)
Imza65r048m1hxksa1	16.8000	RFQ	610	Infineon Technologies	Coolsic ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Imza65		Sicfet (CARBURO DE SILICIO)			PG-TO247-4-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		650 V	39A (TC)	18V	64mohm @ 20.1a, 18V	5.7V @ 6MA	33 NC @ 18 V	+23V, -5V	1118 pf @ 400 V	-	125W (TC)
IPS60R1K0PFD7SAKMA1	0.8900	RFQ	966	Infineon Technologies	CoolMos ™ PFD7	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPS60R1		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal		650 V	4.7a (TC)	10V	1ohm @ 1a, 10v	4.5V @ 50 µA	6 NC @ 10 V	± 20V	230 pf @ 400 V	-	26W (TC)
IPD60R2K0PFD7SAUMA1	0.8300	RFQ	8024	Infineon Technologies	CoolMos ™ PFD7	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-344	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		600 V	3A (TC)	10V	2ohm @ 500 mA, 10V	4.5V @ 30 µA	3.8 NC @ 10 V	± 20V	134 pf @ 400 V	-	20W (TC)
FP15R12W1T7PB3BPSA1	40.1520	RFQ	8447	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-			FP15R12				-		-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	2156-FP15R12W1T7PB3BPSA1-448			30	-														-				-
FZ750R65KE3C1NOSA1	160.0000	RFQ	2792	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FZ750R65			3000000 W	Estándar	A-IHV190-6	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor Único														Parada de Campo de Trinchera	6500 V	750 A		3.4V @ 15V, 750a				5 Ma	No	205 nf @ 25 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²