SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
FP35R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1 67.3800
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP35R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 35 A - 5.8 µA Si 6.62 NF @ 25 V
FS50R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies FS50R12W1T7PB11BPSA1 66.5100
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30
FF600R12ME4B11BPSA2 Infineon Technologies FF600R12ME4B11BPSA2 373.3450
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF600R12 4050 W Estándar Agóndo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 995 A 2.05V @ 15V, 600A 3 MA Si 37 NF @ 25 V
FP150R07N3E4B16BOSA1 Infineon Technologies FP150R07N3E4B16BOSA1 231.2100
RFQ
ECAD 7751 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10
FS75R07N2E4B11BPSA1 Infineon Technologies FS75R07N2E4B11BPSA1 115.4649
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R07 250 W Estándar Ag-ECONO2B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 650 V 75 A 1.95V @ 15V, 75a 1 MA Si 4.6 NF @ 25 V
FF225R12ME4B11BPSA2 Infineon Technologies FF225R12ME4B11BPSA2 172.9350
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF225R12 1050 W Estándar Agóndo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 320 A 2.15V @ 15V, 225a 3 MA Si 13 NF @ 25 V
DF80R07W1H5FPB50BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB50BPSA1 39.4100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30
IFS200B12N3E4B37BPSA1 Infineon Technologies IFS200B12N3E4B37BPSA1 434.9280
RFQ
ECAD 2379 0.00000000 Infineon Technologies MIPAQ ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Ifs200 20 MW Estándar AG -ConO3B descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1200 V 200 A 2.1V @ 15V, 200a 1 MA Si 14 NF @ 25 V
F450R12KS4B11BPSA1 Infineon Technologies F450R12KS4B11BPSA1 155.0500
RFQ
ECAD 7944 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F450R12 355 W Estándar Ag-ECONO2C descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de puente entero - 1200 V 70 A 3.75V @ 15V, 50A 1 MA Si 3.4 NF @ 25 V
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF042N10NF2SATMA1 2.5100
RFQ
ECAD 792 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 21a (TA), 139A (TC) 6V, 10V 4.25mohm @ 80a, 10v 3.8V @ 93 µA 85 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 167W (TC)
IPC26N10NRX1SA1 Infineon Technologies IPC26N10NRX1SA1 -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC26N descascar Obsoleto 1
IGLR60R190D1E8238XUMA1 Infineon Technologies IGLR60R190D1E8238XUMA1 -
RFQ
ECAD 1791 0.00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Ganfet (Nitruro de Galio) PG-TSON-8-6 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 600 V 12.8a (TC) - - 1.6V @ 960 µA -10V 157 pf @ 400 V - 55.5W (TC)
IPQC65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPQC65R040CFD7XTMA1 7.4950
RFQ
ECAD 3363 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 22 poderos IPDQ65 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-22 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 750 N-canal 650 V 64a (TC) 10V 40mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24mA 97 NC @ 10 V ± 20V 4975 pf @ 400 V - 357W (TC)
FF4MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF4MR20KM1HPHPSA1 852.0838
RFQ
ECAD 1188 0.00000000 Infineon Technologies C, Coolsic ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C Monte del Chasis Módulo CARBURO DE SILICIO (SIC) - AG-62 MMHB - ROHS3 Cumplante 8 2 Canal 2000V (2kV) 280a (TC) 5.3mohm @ 300a, 18V 5.15V @ 168MA 1170nc @ 18V 36100pf @ 1.2kv CARBURO DE SILICIO (SIC)
IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T017S7XTMA1 11.5917
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPDQ60T017S7XTMA1TR 750
IPDQ65R060CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1 5.9223
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 22 poderos Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-22-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 750 N-canal 650 V 45a (TC) 10V 60mohm @ 16.4a, 10V 4.5V @ 820 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 3288 pf @ 400 V - 272W (TC)
IQE036N08NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies Iqe036n08nm6cgscatma1 1.2170
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-iqe036n08nm6cgscatma1tr 6,000
ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies ISC032N12LM6ATMA1 1.8378
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-ISC032N12LM6ATMA1TR 5,000
SIGC14T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 7154 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC14 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 300V, 15a, 18ohm, 15V Escrutinio 600 V 15 A 45 A 2.5V @ 15V, 15a - 21ns/110ns
SIGC12T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA2 -
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC12 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 10a, 25ohm, 15V Escrutinio 600 V 10 A 30 A 2.5V @ 15V, 10a - 29ns/266ns
SIGC25T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX7SA1 -
RFQ
ECAD 2513 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC25 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 30a, 11ohm, 15V Escrutinio 600 V 30 A 90 A 2.5V @ 15V, 30a - 44ns/324ns
SIGC18T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC18T60SNCX7SA1 -
RFQ
ECAD 2544 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Sigc18 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 20a, 16ohm, 15V Escrutinio 600 V 20 A 60 A 2.5V @ 15V, 20a - 36NS/250NS
SIGC25T60NCX1SA7 Infineon Technologies SIGC25T60NCX1SA7 -
RFQ
ECAD 9389 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC25 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 300V, 30A, 8.2ohm, 15V Escrutinio 600 V 30 A 90 A 2.5V @ 15V, 30a - 21ns/110ns
SIGC42T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC42T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Morir SIGC42T60 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 300V, 50A, 3.3OHM, 15V Escrutinio 600 V 50 A 150 A 2.5V @ 15V, 50A - 43ns/130ns
SIGC25T60UNX1SA2 Infineon Technologies SIGC25T60UNX1SA2 -
RFQ
ECAD 3512 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC25 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 30A, 1.8OHM, 15V Escrutinio 600 V 30 A 90 A 3.15V @ 15V, 30a - 16ns/122ns
SIGC07T60SNCX1SA4 Infineon Technologies SIGC07T60SNCX1SA4 -
RFQ
ECAD 7207 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC07 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 6a, 50ohm, 15V Escrutinio 600 V 6 A 18 A 2.5V @ 15V, 6a - 24ns/248ns
SIGC05T60SNCX7SA2 Infineon Technologies SIGC05T60SNCX7SA2 -
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC05 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 4a, 67ohm, 15V Escrutinio 600 V 4 A 12 A 2.5V @ 15V, 4A - 22ns/264ns
SIGC06T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC06T60EX777SA1 -
RFQ
ECAD 2696 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC06 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 10 A 30 A 1.9V @ 15V, 10a - -
SIGC76T60R3EX7SA1 Infineon Technologies SIGC76T60R3EX7SA1 -
RFQ
ECAD 7492 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC76 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 150 A 450 A 1.9V @ 15V, 150a - -
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10NM3SXKSA1 1.8500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA126 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 39A (TC) 6V, 10V 12.6mohm @ 39a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 33W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock