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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPW11N60S5FKSA1 | - |  | 4654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SPW11N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 5.5V @ 500 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1460 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | SIPC06N60C3 | - | | 9481 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000013362 | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC69N50C3X1SA2 | - | | 9264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | Sipc69 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SN7002W E6433 | - | | 3147 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | SN7002W | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 230mA, 10V | 1.8V @ 26 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | 45 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | SPB04N60S5ATMA1 | - | | 5997 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB04N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200 µA | 22.9 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SPB100N03S2-03 G | - | | 4445 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
| SPB100N04S2L-03 | - | | 6802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
| SPB21N10 G | - | | 1172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB21N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 21a (TC) | 10V | 80mohm @ 15a, 10v | 4V @ 44 µA | 38.4 NC @ 10 V | ± 20V | 865 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BCW60FFE6327HTSA1 | - | | 4039 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW60 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
 | Bdp948e6433htma1 | - | | 7188 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BDP948 | 5 W | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | SPA07N60C3XKSA1 | 2.7300 | | 8938 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SPA07N60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Spa11n65c3xksa1 | 4.2700 | | 5306 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Spa11n65 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRGS4065PBF | - | | 6670 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 178 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 180V, 25a, 10ohm | Zanja | 300 V | 70 A | 2.1V @ 15V, 70a | - | 62 NC | 30ns/170ns | |||||||||||||||||||||||
| IRFS5620PBF | - | | 2922 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001565120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 24a (TC) | 10V | 77.5mohm @ 15a, 10v | 5V @ 100 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Irfp4110pbf | 4.9200 | | 3200 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP4110 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 9620 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFU2607ZPBF | - | | 1103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001576352 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 22mohm @ 30a, 10v | 4V @ 50 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IRGI4061DPBF | - | | 1744 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 43 W | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 11a, 22ohm, 15V | 60 ns | Zanja | 600 V | 20 A | 40 A | 1.59V @ 15V, 11a | 52 µJ (Encendido), 231 µJ (apaguado) | 35 NC | 37ns/111ns | |||||||||||||||||||||
| IRFP4568PBF | 8.2900 | | 9820 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP4568 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001560548 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 150 V | 171a (TC) | 10V | 5.9mohm @ 103a, 10v | 5V @ 250 µA | 227 NC @ 10 V | ± 30V | 10470 pf @ 50 V | - | 517W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRF6726MTRPBF | - | | 7245 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico Mt | IRF6726 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 32A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 32a, 10v | 2.35V @ 150 µA | 77 NC @ 4.5 V | ± 20V | 6140 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRF3704ZCLPBF | - | | 7489 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 67a (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 21a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1220 pf @ 10 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | 2.9300 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF4905 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 55 V | 42a (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRGB4064DPBF | - | | 9264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 101 W | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10a, 22ohm, 15V | 62 ns | Zanja | 600 V | 20 A | 40 A | 1.91V @ 15V, 10a | 29 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) | 21 NC | 27ns/79ns | |||||||||||||||||||||
| IRL3715ZCSTRLP | - | | 6283 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRL2703Strlpbf | - | | 4608 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10v | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF3704ZSTRLPBF | - | | 9671 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 67a (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 21a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1220 pf @ 10 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF520NSTRLPBF | - | | 2099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF520 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRLR4343TRPBF | - | | 6762 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 50 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Irfz44estrlpbf | 1.7800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz44 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 48a (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRL3502STRLPBF | - | | 1629 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 110A (TC) | 4.5V, 7V | 7mohm @ 64a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 110 NC @ 4.5 V | ± 10V | 4700 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRF7523D1TRPBF | - | | 1648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 2.7a (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 1.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) |
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