SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BSO200N03 Infineon Technologies BSO200N03 -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO200 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w PG-dso-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.6a 20mohm @ 7.9a, 10V 2V @ 13 µA 8NC @ 5V 1010pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IGW60T120FKSA1 Infineon Technologies IGW60T120FKSA1 7.5200
RFQ
 ECAD 472 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW60T120 Estándar 375 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 60a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 150 A 2.4V @ 15V, 60A 9.5mj 280 NC 50ns/480ns
BSS123 E6433 Infineon Technologies BSS123 E6433 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 1.8V @ 50 µA 2.67 NC @ 10 V ± 20V 69 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R078M2HXTMA1 7.3945
RFQ
 ECAD 6421 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IMBG120R078M2HXTMA1TR 1,000
AUIRF2804WL Infineon Technologies Auirf2804wl -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Cables de Ancho Auirf2804 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 de ancho descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521514 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 240a (TC) 10V 1.8mohm @ 187a, 10v 4V @ 250 µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7978 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF630NSTRR Infineon Technologies Irf630nstrr -
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 9.3a (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 575 pf @ 25 V - 82W (TC)
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD30N06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 30A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 10 µA 21 NC @ 10 V ± 16V 1560 pf @ 25 V - 36W (TC)
FB20R06W1E3B11HOMA1 Infineon Technologies FB20R06W1E3B11HOMA1 40.6454
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FB20R06 94 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 600 V 29 A 2V @ 15V, 20a 1 MA Si 1.1 NF @ 25 V
IRG4BC40W-LPBF Infineon Technologies IRG4BC40W-LPBF -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRG4BC40 Estándar 160 W Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001537000 EAR99 8541.29.0095 1,000 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 160 A 2.5V @ 15V, 20a 110 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) 98 NC 27ns/100ns
BCR185E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR185E6327HTSA1 0.0517
RFQ
 ECAD 6641 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR185 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies IPP020N06NAKSA1 4.5800
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP020 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 29a (TA), 120A (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10v 2.8V @ 143 µA 106 NC @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 30 V - 3W (TA), 214W (TC)
IRFL1006 Infineon Technologies Irfl1006 -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfl1006 EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 60 V 1.6a (TA) 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 160 pf @ 25 V - 1W (TA)
PTFA260851F V1 R250 Infineon Technologies PTFA260851F V1 R250 -
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Fin Lidera PTFA260851 2.68 GHz Ldmos H-31248-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 900 mA 85W 14dB - 28 V
IRF6674TRPBF Infineon Technologies IRF6674TRPBF 3.2600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MZ IRF6674 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mz descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 60 V 13.4a (TA), 67a (TC) 10V 11mohm @ 13.4a, 10v 4.9V @ 100 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 89W (TC)
IRFR3706CPBF Infineon Technologies IRFR3706CPBF -
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRF5802TR Infineon Technologies IRF5802TR -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 900 mA (TA) 1.2ohm @ 540 mm, 10v 5.5V @ 250 µA 6.8 NC @ 10 V 88 pf @ 25 V -
IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R460CEAUMA1 0.5205
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-344 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 13.1a (TJ) 10V 460mohm @ 3.4a, 10V 3.5V @ 280 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 100 V - 74W
SPI80N06S2-07 Infineon Technologies SPI80N06S2-07 -
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.6mohm @ 68a, 10v 4V @ 180 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 4540 pf @ 25 V - 250W (TC)
IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies IPU80R2K4P7AKMA1 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 2.5A (TC) 10V 2.4ohm @ 800 mA, 10V 3.5V @ 40 µA 7.5 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 500 V - 22W (TC)
IRFC4104EB Infineon Technologies Irfc4104eb -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001577730 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
BCW 60C E6327 Infineon Technologies BCW 60C E6327 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8.013 32 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
BSC072N04LDATMA1 Infineon Technologies BSC072N04LDATMA1 1.7800
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -T2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC072 Mosfet (Óxido de metal) 65W (TC) PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 40V 20A (TC) 7.2mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 30 µA 52NC @ 10V 3990pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
IHW40T120FKSA1 Infineon Technologies IHW40T120FKSA1 -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ihw40 Estándar 270 W PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 600V, 40a, 15ohm, 15V 195 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 105 A 2.3V @ 15V, 40A 6.5mj 203 NC 48ns/480ns
BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Bsc076n04ndatma1 1.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -T2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC076 Mosfet (Óxido de metal) 2.3W (TA), 65W (TC) PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 40V 20A (TC) 7.6mohm @ 17a, 10v 4V @ 30 µA 38nc @ 10V 2950pf @ 20V -
IRF7325TRPBF Infineon Technologies IRF7325TRPBF -
RFQ
 ECAD 5671 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF732 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 12V 7.8a 24mohm @ 7.8a, 4.5V 900MV @ 250 µA 33NC @ 4.5V 2020pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
IRF3709ZCL Infineon Technologies IRF3709ZCL -
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf3709zcl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
AUIRF9Z34N-INF Infineon Technologies Auirf9z34n-inf 0.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 Canal P 55 V 19a (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 68W (TC)
IPP100N06S2L05AKSA1 Infineon Technologies IPP100N06S2L05AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5660 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF8910TRPBF Infineon Technologies IRF8910TRPBF 0.9400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF89 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 10A 13.4mohm @ 10a, 10v 2.55V @ 250 µA 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
IRFZ44VZ Infineon Technologies Irfz44vz -
RFQ
 ECAD 2415 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz44vz EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 57a (TC) 10V 12mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 92W (TC)
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    Unidad de producto estándar

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