SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BF776H6327 Infineon Technologies BF776H6327 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 200MW PG-SOT343-4 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 24db 4.7V 50mera NPN 180 @ 30mA, 3V 46 GHz 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRL2505PBF Infineon Technologies IRL2505PBF 2.9400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL2505 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 104a (TC) 4V, 10V 8mohm @ 54a, 10v 2V @ 250 µA 130 NC @ 5 V ± 16V 5000 pf @ 25 V - 200W (TC)
SPI08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPI08N50C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi08n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 560 V 7.6a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRFR9N20DPBF Infineon Technologies IRFR9N20DPBF -
RFQ
 ECAD 5581 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 200 V 9.4a (TC) 10V 380mohm @ 5.6a, 10V 5.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 25 V - 86W (TC)
IRFSL4610PBF Infineon Technologies IRFSL4610PBF -
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 73a (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 50 V - 190W (TC)
IRFH7194TRPBF Infineon Technologies IRFH7194TRPBF -
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Infineon Technologies Fastirfet ™, hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 11a (TA), 35A (TC) 10V 16.4mohm @ 21a, 10v 3.6V @ 50 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 733 pf @ 50 V - 3.6W (TA), 39W (TC)
BSS7728N Infineon Technologies BSS7728N -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.3V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 56 pf @ 25 V - 360MW (TA)
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL308CH6327XTSA1 0.7500
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL308 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 2.3a, 2a 57mohm @ 2.3a, 10v 2V @ 11 µA 1.5nc @ 10V 275pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
IRFM460 Infineon Technologies IRFM460 -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Bolsa Obsoleto A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Mosfet (Óxido de metal) Un 254AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q1134250 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 19a (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 250W (TC)
SPW12N50C3FKSA1 Infineon Technologies SPW12N50C3FKSA1 -
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SPW12N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 560 V 11.6a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPAN80R280P7XKSA1 Infineon Technologies IPAN80R280P7XKSA1 3.7100
RFQ
 ECAD 526 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ipan80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 280mohm @ 7.2a, 10V 3.5V @ 360 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 500 V - 30W (TC)
PTFA082201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA082201FV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA082201 894MHz Ldmos H-37260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.95 A 220W 18dB - 30 V
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3GE8187ATMA1 3.1163
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB025 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 6V, 10V 2.5mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 275 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14800 pf @ 50 V - 300W (TC)
IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies IRL530NSTRRPBF 1.5900
RFQ
 ECAD 519 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL530 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 17a (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 5 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 79W (TC)
IRG4BC20F-S Infineon Technologies IRG4BC20F-S -
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 60 W Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4BC20F-S EAR99 8541.29.0095 50 480V, 9a, 50ohm, 15V - 600 V 16 A 64 A 2V @ 15V, 9a 70 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 27 NC 24ns/190ns
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ110N06NS3GATMA1 0.8900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSZ110 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 20A (TC) 10V 11mohm @ 20a, 10v 4V @ 23 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 30 V - 2.1W (TA), 50W (TC)
IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Ikw30n65es5xksa1 5.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw30n65 Estándar 188 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 13ohm, 15V 75 ns Zanja 650 V 62 A 120 A 1.7V @ 15V, 30a 560 µJ (Encendido), 320 µJ (apagado) 70 NC 17ns/124ns
IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD050N03LGATMA1 1.1900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP114N12N3GXKSA1 2.4300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP114 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 75A (TC) 10V 11.4mohm @ 75a, 10v 4V @ 83 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4310 pf @ 60 V - 136W (TC)
IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies IRLS3034TRL7PP 3.7000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IRLS3034 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10v 2.5V @ 250 µA 180 NC @ 4.5 V ± 20V 10990 pf @ 40 V - 380W (TC)
PTFA260451E V1 Infineon Technologies PTFA260451E V1 -
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 Infineon Technologies Goldmos® Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Fin Lidera 2.68 GHz Ldmos H-30265-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 500 mA 45W 15dB - 28 V
IPU80R2K8CEAKMA1 Infineon Technologies IPU80R2K8Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 1.9a (TC) 10V 2.8ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 120 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 42W (TC)
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC028N06LS3GATMA1 3.1600
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC028 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 23a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 50A, 10V 2.2V @ 93 µA 175 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 139W (TC)
PTRA093302DC V1 Infineon Technologies PTRA093302DC V1 -
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50
SPD04N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD04N60C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPA65R190C7 Infineon Technologies IPA65R190C7 1.8100
RFQ
 ECAD 424 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 650 V 8a (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 290 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 400 V - 30W (TC)
IPD13N03LA G Infineon Technologies IPD13N03LA G -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD13N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 12.8mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 8.3 NC @ 5 V ± 20V 1043 pf @ 15 V - 46W (TC)
IRF6215STRRPBF Infineon Technologies IRF6215StrrPBF -
RFQ
 ECAD 8317 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 150 V 13a (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRF4104LPBF Infineon Technologies IRF4104LPBF -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF4104LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRG4BC40U Infineon Technologies IRG4BC40U -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 160 W Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 25A, 10OHM, 15V - 600 V 40 A 160 A 2.1V @ 15V, 20a 320 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 100 NC 34ns/110ns
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