SIC
close

Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IPB022N04LG Infineon Technologies IPB022N04LG 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 90A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 90a, 10V 2V @ 95 µA 166 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 20 V - 167W (TC)
IPB136N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB136N08N3GATMA1 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 45a (TC) 6V, 10V 13.9mohm @ 45a, 10v 3.5V @ 33 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1730 pf @ 40 V - 79W (TC)
BSO080P03NS3 G Infineon Technologies BSO080P03NS3 G -
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 12a (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 6750 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
BSP129L6327 Infineon Technologies BSP129L6327 0.2900
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.039 N-canal 240 V 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350mA, 10V 1V @ 108 µA 5.7 NC @ 5 V ± 20V 108 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
IPB039N10N3GE8197ATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3GE8197ATMA1 0.8800
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 3 N-canal 100 V 160A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 160 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPB100P03P3L-04 Infineon Technologies IPB100P03P3PL-04 0.8900
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -P Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 Canal P 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 80a, 10v 2.1V @ 475 µA 200 NC @ 10 V +5V, -16V 9300 pf @ 25 V - 200W (TC)
BSP125L6327 Infineon Technologies BSP125L6327 0.3100
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 325 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BCR158 Infineon Technologies BCR158 -
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR15 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
BSP320SL6433 Infineon Technologies BSP320SL6433 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 2.9a (TJ) 10V 120mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 20 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BCR133WE6327 Infineon Technologies BCR133WE6327 -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo BCR133 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
BFR750L3RHE6327 Infineon Technologies BFR750L3RHE6327 0.3200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 360MW PG-TSLP-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 944 21db 4.7V 90 Ma NPN 160 @ 60mA, 3V 37 GHz 0.6db ~ 1.1db @ 1.8Ghz ~ 6GHz
FF100R12MT4 Infineon Technologies FF100R12MT4 -
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
BFP843H6327 Infineon Technologies BFP843H6327 0.1700
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 125MW Sot-343 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 24.5db 2.25V 55mA NPN 150 @ 15 mm, 1.8v - 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
BC847CWH6327 Infineon Technologies BC847CWH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 8620 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
AUIRG35B60PD-E Infineon Technologies Auirg35b60pd-e 1.0000
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo Auirg35 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1
BC847CWH6778 Infineon Technologies BC847CWH6778 0.0400
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 7,378 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
BC848AE6327 Infineon Technologies BC848AE6327 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 9,427 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 250MHz
BSC091N03MSCG Infineon Technologies BSC091N03MSCG 0.2400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5,000
BC857CWH6327 Infineon Technologies BC857CWH6327 0.0500
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 7.053 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 250MHz
BC858CWH6327 Infineon Technologies BC858CWH6327 0.0400
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 7.053 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 250MHz
IP111N15N3G Infineon Technologies IP111N15N3G -
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.30.0080 1
BCM846SH6327 Infineon Technologies BCM846SH6327 -
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 250MW PG-SOT363-6-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1.900 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BSB053N03LPG Infineon Technologies BSB053N03LPG 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
FZ800R12KF5NOSA1 Infineon Technologies FZ800R12KF5NOSA1 640.9100
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
IP165R660CFD Infineon Technologies IP165R660CFD 0.5600
RFQ
 ECAD 7905 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 500
BGR420H6327 Infineon Technologies BGR420H6327 0.1700
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 120MW PG-SOT343-4-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 26dB 13V 25 Ma NPN - - 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
ILD03N60 Infineon Technologies ILD03N60 0.1900
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Infineon Technologies Lightmos Una granela Activo - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 27 W PG-TO252-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.343 400V, 0.8A, 60OHM, 10V 250 ns - 600 V 4.5 A 5.5 A 2.9V @ 10V, 3a 12 µJ (Encendido), 20 µJ (apaguado) 8.5 NC 15ns/100ns
BC858AE6327 Infineon Technologies BC858AE6327 1.0000
RFQ
 ECAD 6606 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 250MHz
BC849CE6327 Infineon Technologies BC849CE6327 -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
BC850CE6327 Infineon Technologies BC850CE6327 -
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar