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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
ISC119N20NM6ATMA1	2.7185	RFQ	8433	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo										-	ROHS3 Cumplante						5,000
IRF9530NSTRLPBF	1.6800	RFQ	278	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9530		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P			100 V	14a (TC)	10V	200mohm @ 8.4a, 10v	4V @ 250 µA	58 NC @ 10 V	± 20V	760 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 79W (TC)
BCR 141S E6727	-	RFQ	4363	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR 141			250MW		PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																50V	100mA						-			2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	50 @ 5MA, 5V	130MHz	22 kohms	22 kohms
IPB120N06N G	-	RFQ	4220	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB120N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			60 V	75A (TC)	10V	11.7mohm @ 75a, 10v	4V @ 94 µA	62 NC @ 10 V	± 20V	2100 pf @ 30 V	-	158W (TC)
FS50R12W1T7B11BOMA1	61.0400	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS50R12				-	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	24	-														-	1200 V	50 A		-				7.9 µA	No	11.1 NF @ 25 V
BF 770A E6327	-	RFQ	4642	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				300MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				9.5db ~ 14.5db												12V	90 Ma									NPN		70 @ 30mA, 8V	6GHz			1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Bfp720esdh6327	0.1900	RFQ	150	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343				100MW		PG-SOT343-4-2	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000				11dB ~ 30.5dB												4.7V	30mera									NPN		160 @ 15 Ma, 3V	43GHz			0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
IRFSL3806PBF	-	RFQ	6738	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001571672	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			60 V	43a (TC)	10V	15.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 50 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 50 V	-	71W (TC)
IRF6619TRPBF	-	RFQ	7316	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal			20 V	30A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 30a, 10V	2.45V @ 250 µA	57 NC @ 4.5 V	± 20V	5040 pf @ 10 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
Irliz34n	-	RFQ	8561	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLIZ34N	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			55 V	22a (TC)	4V, 10V	35mohm @ 12a, 10v	2V @ 250 µA	25 NC @ 5 V	± 16V	880 pf @ 25 V	-	37W (TC)
BSC030N04NSGATMA1	1.3300	RFQ	32	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC030		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			40 V	23a (TA), 100a (TC)	10V	3mohm @ 50a, 10v	4V @ 49 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	4900 pf @ 20 V	-	2.5W (TA), 83W (TC)
FP50R12KT4BPSA1	147.1800	RFQ	10	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 2	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FP50R12			280 W	Rectificador de Puente Trifásico	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	50 A		2.25V @ 15V, 50A				1 MA	Si	2.8 NF @ 25 V
IRGS4B60KPBF	-	RFQ	7649	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRGS4B	Estándar		63 W		D2pak	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001548296	EAR99	8541.29.0095	50			400V, 4A, 100OHM, 15V												Escrutinio	600 V	12 A	24 A	2.5V @ 15V, 4A	73 µJ (Encendido), 47 µJ (apaguado)	12 NC	22ns/100ns
IPI120N10S403AKSA1	-	RFQ	4525	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI120N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001102584	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			100 V	120a (TC)	10V	3.9mohm @ 100a, 10v	3.5V @ 180 µA	140 NC @ 10 V	± 20V	10120 pf @ 25 V	-	250W (TC)
FS150R12KT3BOSA1	317.3100	RFQ	1	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 3	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS150R12			700 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico														Parada de Campo de Trinchera	1200 V	200 A		2.15V @ 15V, 150a				5 Ma	Si	10.5 NF @ 25 V
IRFH5304TRPBF	0.8500	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRFH5304		Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			30 V	22a (TA), 79A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 47a, 10v	2.35V @ 50 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	2360 pf @ 10 V	-	3.6W (TA), 46W (TC)
Auirf1010ezstrl	-	RFQ	4863	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirf1010		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520896	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			60 V	75A (TC)	10V	8.5mohm @ 51a, 10v	4V @ 250 µA	86 NC @ 10 V	± 20V	2810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Irfp7430pbf	4.0000	RFQ	3	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP7430		Mosfet (Óxido de metal)			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25		N-canal			40 V	195a (TC)	6V, 10V	1.3mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	460 NC @ 10 V	± 20V	14240 pf @ 25 V	-	366W (TC)
IPI80N07S405AKSA1	-	RFQ	4880	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto				IPI80N						descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500						80a (TC)
Auirgf76524d0	-	RFQ	8007	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto				Auirgf76524						descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001511442	EAR99	8541.29.0095	400
IRF7506TRPBF	-	RFQ	1185	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	IRF7506		Mosfet (Óxido de metal)	1.25W		Micro8 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)				30V	1.7a		270mohm @ 1.2a, 10v	1V @ 250 µA	11NC @ 10V		180pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IPB06N03LB	-	RFQ	1936	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB06N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 50A, 10V	2V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20V	2782 pf @ 15 V	-	83W (TC)
FZ1500R33HE3C1BPSA1	210.0000	RFQ	9701	Infineon Technologies	Ihm-b	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FZ1500			2400000 W	Estándar	AG-IHVB190	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor Único														Parada de Campo de Trinchera	3300 V	1500 A		3.1V @ 15V, 1.5ka				5 Ma	No	280 NF @ 25 V
IPT60R150G7XTMA1	4.6000	RFQ	3	Infineon Technologies	CoolMos ™ G7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN	IPT60R150		Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-8-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal			600 V	17a (TC)	10V	150mohm @ 5.3a, 10v	4V @ 260 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	902 pf @ 400 V	-	106W (TC)
IPP330P10NMAKSA1	5.3900	RFQ	490	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP330P		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P			100 V	6.9a (TA), 62a (TC)	10V	33mohm @ 53a, 10v	4V @ 5.55 Ma	236 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 50 V	-	3.8W (TA), 300W (TC)
SPB35N10T	-	RFQ	8295	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB35N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000013627	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			100 V	35A (TC)	10V	44mohm @ 26.4a, 10V	4V @ 83 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1570 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IPP80R450P7XKSA1	2.6000	RFQ	1	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80R450		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			800 V	11a (TC)	10V	450mohm @ 4.5a, 10V	3.5V @ 220 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	770 pf @ 500 V	-	73W (TC)
Auirfn7107tr	-	RFQ	2935	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			75 V	14A (TA), 75A (TC)	10V	8.5mohm @ 45a, 10v	4V @ 100 µA	77 NC @ 10 V	± 20V	3001 pf @ 25 V	-	4.4W (TA), 125W (TC)
BSS169 E6906	-	RFQ	9374	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal			100 V	170MA (TA)	0V, 10V	6ohm @ 170ma, 10v	1.8V @ 50 µA	2.8 NC @ 7 V	± 20V	68 pf @ 25 V	MODO DE AGOTAMENTO	360MW (TA)
IPB80N06S2L09ATMA2	-	RFQ	4224	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			55 V	80a (TC)	4.5V, 10V	8.2mohm @ 52a, 10v	2V @ 125 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	2620 pf @ 25 V	-	190W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²