SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFP044NPBF Infineon Technologies IRFP044NPBF -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 20mohm @ 29a, 10v 4V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 25 V - 120W (TC)
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB050N10NF2SATMA1 2.0800
RFQ
 ECAD 742 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB050N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 103A (TC) 6V, 10V 5.05mohm @ 60a, 10v 3.8V @ 85 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 50 V - 150W (TC)
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1 1.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60N10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 60A (TC) 10V 12.2mohm @ 60a, 10v 3.5V @ 46 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2470 pf @ 25 V - 94W (TC)
BSC884N03MS G Infineon Technologies BSC884N03M G -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 34 V 17A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
BC850CWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC850CWH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC850 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
SPA08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPA08N50C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1873 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa08n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 560 V 7.6a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 32W (TC)
92-0235 Infineon Technologies 92-0235 -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRGB14 Lógica 125 W Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 - - 430 V 20 A 1.75V @ 5V, 14A - 27 NC 900NS/6 µs
BCR192WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR192WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR192 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies IRFS4510TRLPBF 2.2400
RFQ
 ECAD 685 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS4510 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 61a (TC) 10V 13.9mohm @ 37a, 10v 4V @ 100 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 3180 pf @ 50 V - 140W (TC)
IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies IPP026N04NF2SAKMA1 1.6400
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50
SPP07N60C3HKSA1 Infineon Technologies Spp07n60c3hksa1 -
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013525 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP372NH6327XTSA1 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP372 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1.8a (TA) 4.5V, 10V 230mohm @ 1.8a, 10V 1.8V @ 218 µA 14.3 NC @ 10 V ± 20V 329 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BFP196WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bfp196we6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 9547 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP196 700MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12.5db ~ 19db 12V 150 Ma NPN 70 @ 50mA, 8V 7.5 GHz 1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1 3.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB049 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 80a (TC) 6V, 10V 4.9mohm @ 80a, 10v 3.8V @ 66 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 3770 pf @ 40 V - 125W (TC)
IRF7322D1 Infineon Technologies IRF7322D1 -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7322D1 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 20 V 5.3a (TA) 2.7V, 4.5V 62mohm @ 2.9a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 29 NC @ 4.5 V ± 12V 780 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies IPTG210N25NM3FDATMA1 9.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Ala de Gaviota IPTG210N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOG-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 250 V 7.7a (TA), 77a (TC) 10V 21mohm @ 69a, 10v 4V @ 267 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 125 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R190P6FKSA1 3.9400
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R190 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.6a, 10v 4.5V @ 630 µ 11 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 100 V - 151W (TC)
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISS17EP06LMXTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ISS17EP06 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 1.7ohm @ 300mA, 10V 2V @ 34 µA 1.79 NC @ 10 V ± 20V 55 pf @ 30 V - 360MW (TA)
BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Bsc032n04lsatma1 1.3100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC032 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 21a (TA), 98a (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 52W (TC)
IRGP4069-EPBF Infineon Technologies IRGP4069-EPBF -
RFQ
 ECAD 1658 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 268 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001545038 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 35a, 10ohm, 15V Zanja 600 V 76 A 105 A 1.85V @ 15V, 35A 390 µJ (ON), 632 µJ (OFF) 104 NC 46ns/105ns
IPA60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R360CFD7XKSA1 2.8900
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 5A (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 140 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 679 pf @ 400 V - 23W (TC)
IRF5210PBF Infineon Technologies IRF5210PBF 3.0100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF5210 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 40A (TC) 10V 60mohm @ 24a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 200W (TC)
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies IKFW60N60DH3EXKSA1 8.1000
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKFW60 Estándar 141 W PG-TO247-3-AI descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 7ohm, 15V 68 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 53 A 150 A 2.7V @ 15V, 50A 1.57MJ (Encendido), 720 µJ (apaguado) 210 NC 23ns/170ns
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS209PWH6327XTSA1 0.3600
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS209 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 630 mA (TC) 2.5V, 4.5V 550mohm @ 630mA, 4.5V 1.2V @ 3.5 µA 1.3 NC @ 4.5 V ± 12V 115 pf @ 15 V - 300MW (TA)
IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies IPD70R950CEAUMA1 -
RFQ
 ECAD 8270 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 7.4a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 150 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 68W (TC)
BSO303SPH Infineon Technologies Bso303sph 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-Dso-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 866 Canal P 30 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 9.1a, 10V 2V @ 100 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2330 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L35AATMA1 1.3200
RFQ
 ECAD 3166 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 43W PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 100V 20A 35mohm @ 17a, 10v 2.1V @ 16 µA 17.4nc @ 10V 1105pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI030N10N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI030 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 275 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14800 pf @ 50 V - 300W (TC)
IRF7492PBF Infineon Technologies IRF7492PBF -
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554342 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 200 V 3.7a (TA) 10V 79mohm @ 2.2a, 10v 2.5V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPB06N03LB G Infineon Technologies IPB06N03LB G -
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB06N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 50A, 10V 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2782 pf @ 15 V - 83W (TC)
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