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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPI144N12N3G | - | ![]() | 4028 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB11N60C2 | 2.0800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 5.5V @ 500 µA | 41.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1460 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IPD30N06S3L-20 | - | ![]() | 5119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 5V, 10V | 20mohm @ 17a, 10v | 2.2V @ 20 µA | 37 NC @ 10 V | ± 16V | 2600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SPB04N50C3 | 0.5900 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 470 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SGP20N60HS | 1.2500 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SGP20N | Estándar | 178 W | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 20a, 16ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 36 A | 80 A | 3.15V @ 15V, 20a | 690 µJ | 100 NC | 18ns/207ns | ||||||||||||||||||||
![]() | Skw04n120fksa1 | - | ![]() | 2817 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | Skw04n | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smbta14e6327xt | 0.1000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,112 | 30 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD1305NL | 0.1900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT 3904 E6433 | 1.0000 | ![]() | 7611 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | 330 MW | PG-SC74-6 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI07N65C3XKSA1 | 0.9000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBTA14E6327 | 0.1000 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,112 | 30 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SmbTA06 | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 80 V | 500 mA | 100na | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB02N60S5 | 1.0000 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 5.5V @ 80 µA | 9.5 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SPI07N65C3 | 0.8300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SPD50N03S2L-06G | 1.0000 | ![]() | 8072 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI15N60CFD | 1.7400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 13.4a (TC) | 10V | 330mohm @ 9.4a, 10V | 5V @ 750 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Ska06n06 | - | ![]() | 6222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | Ska06n | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgb30n60 | - | ![]() | 5148 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SGB30 | Estándar | 250 W | PG-TO263-3-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 30a, 11ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 41 A | 112 A | 2.4V @ 15V, 30a | 1.29mj | 140 NC | 44ns/291ns | ||||||||||||||||||||
![]() | SPB04N60C3 | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SIPC19N80C3 | - | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR158E6327 | 1.0000 | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR158 | 200 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCR166E6327 | 1.0000 | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR166 | 200 MW | PG-SOT23-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSS88 | 1.0000 | ![]() | 3605 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | BSS8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP373L6327 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.7a (TA) | 10V | 300mohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 550 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | BSP88L6327 | - | ![]() | 3665 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 2.8V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1.4V @ 108 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 95 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | SN7002WL6327 | - | ![]() | 3648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 6,000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 230mA, 10V | 1.8V @ 26 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | 45 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | IPI65R190C | 2.0000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10v | 3.5V @ 730 µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 1620 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BSS119N H7796 | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23-3-5 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 7,493 | N-canal | 100 V | 190MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 190ma, 10v | 2.3V @ 13 µA | 0.6 NC @ 10 V | ± 20V | 20.9 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | Spp15n65c3xksa1 | 1.8100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9.4a, 10V | 3.9V @ 675 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SPW11N60CFD | 1.8900 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 440mohm @ 7a, 10v | 5V @ 500 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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