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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP30B60KD-EP | - | ![]() | 4507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 304 W | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 125 ns | Escrutinio | 600 V | 60 A | 120 A | 2.35V @ 15V, 30a | 350 µJ (Encendido), 825 µJ (apagado) | 102 NC | 46ns/185ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT020N10N5ATMA1 | 6.6000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT020 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 31a (TA), 260a (TC) | 6V, 10V | 2mohm @ 150a, 10v | 3.8V @ 202 µA | 152 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 50 V | - | 273W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP35B60PDPBF | - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRGP35 | Estándar | 308 W | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390v, 22a, 3.3ohm, 15V | 42 ns | Escrutinio | 600 V | 60 A | 120 A | 2.55V @ 15V, 35A | 220 µJ (Encendido), 215 µJ (apaguado) | 160 NC | 26ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG5K150HF12B | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo Powir® 62 | 1060 W | Estándar | POWIR® 62 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | - | 1200 V | 300 A | 2.6V @ 15V, 150a | 2 MA | No | 19 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPDQ60R055CFD7XTMA1 | 8.1075 | ![]() | 9802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | Módulo de 22 poderos | IPDQ60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-22-1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | - | 600 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC50FD-EPBF | - | ![]() | 8553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PC50 | Estándar | 200 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V, 39a, 5ohm, 15V | 50 ns | - | 600 V | 70 A | 280 A | 1.6v @ 15V, 39a | 1.5MJ (Encendido), 2.4MJ (apaguado) | 190 NC | 55ns/240ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC50FDPBF | - | ![]() | 3314 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 200 W | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V, 39a, 5ohm, 15V | 50 ns | - | 600 V | 70 A | 280 A | 1.6v @ 15V, 39a | 1.5MJ (Encendido), 2.4MJ (apaguado) | 190 NC | 55ns/240ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Skw20n60fksa1 | - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Skw20n | Estándar | 179 W | PG-TO247-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 20a, 16ohm, 15V | 300 ns | Escrutinio | 600 V | 40 A | 80 A | 2.4V @ 15V, 20a | 440 µJ (Encendido), 330 µJ (apagado) | 100 NC | 36NS/225NS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF4905Strr | - | ![]() | 3515 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001561660 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 55 V | 74a (TC) | 10V | 20mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6711Strpbf | - | ![]() | 2094 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SQ | IRF6711 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sq | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001529154 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 25 V | 19A (TA), 84A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 19a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 20 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1810 pf @ 13 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817K16E6433HTMA1 | 0.0504 | ![]() | 7404 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1902GTRPBF | - | ![]() | 1592 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001561612 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 V | 4.2a (TA) | 85mohm @ 4a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 7.5 NC @ 4.5 V | 310 pf @ 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ101SL | - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10v | 2V @ 40 µA | 36 NC @ 10 V | ± 14V | 700 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ikp20n65f5 | 1.0000 | ![]() | 5362 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 125 W | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 10a, 32ohm, 15V | 53 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 42 A | 60 A | 2.1V @ 15V, 20a | 160 µJ (Encendido), 60 µJ (apaguado) | 48 NC | 20ns/165ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 817-16 B5003 | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 817 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N06S4L14ATMA2 | 1.5400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 50W | PG-TDSON-8-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 20A | 13.7mohm @ 17a, 10v | 2.2V @ 20 µA | 39NC @ 10V | 2890pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfz46nstrlpbf | 1.8300 | ![]() | 285 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ46 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 53A (TC) | 10V | 16.5mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1696 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IKY40N120CH3XKSA1 | 11.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | IKY40N120 | Estándar | 500 W | PG-TO247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 12ohm, 15V | 350 ns | - | 1200 V | 80 A | 160 A | 2.35V @ 15V, 40A | 2.18MJ (Encendido), 1.3mj (apaguado) | 190 NC | 30ns/280ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2505L | - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL2505L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 104a (TC) | 4V, 10V | 8mohm @ 54a, 10v | 2V @ 250 µA | 130 NC @ 5 V | ± 16V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 856B E6433 | - | ![]() | 6567 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 856 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGT60R190D1SATMA1 | - | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolgan ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IGT60R190 | Ganfet (Nitruro de Galio) | PG-HSOF-8-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 12.5a (TC) | - | - | 1.6V @ 960 µA | -10V | 157 pf @ 400 V | - | 55.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N04S306AKSA1 | - | ![]() | 9594 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 5.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 52 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bsm150gb120dlchosa1 | 203.3820 | ![]() | 9096 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | BSM150 | 1250 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio puente | - | 1200 V | 300 A | 2.6V @ 15V, 150a | 5 Ma | No | 11 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R180P7ATMA1 | 2.8400 | ![]() | 3089 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R180 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 280 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1081 pf @ 400 V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR503E6393HTSA1 | - | ![]() | 4715 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR503 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000010840 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 40 @ 50 mm, 5v | 100 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGLR60R340D1XUMA1 | 7.0300 | ![]() | 8621 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolgan ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Ganfet (Nitruro de Galio) | PG-TSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 600 V | 8.2a (TC) | - | - | 1.6V @ 530 µA | -10V | 87.7 pf @ 400 V | - | 41.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AuIRF7665S2TR | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SB | Auirf7665 | Mosfet (Óxido de metal) | DirectFet SB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 100 V | 4.1a (TA), 14.4a (TC) | 10V | 62mohm @ 8.9a, 10v | 5V @ 25 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 515 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
FF200R12KE4PHOSA1 | 161.0875 | ![]() | 5989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF200R12 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 8 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 200 A | 2.15V @ 15V, 200a | 5 Ma | No | 14 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP114N03L G | - | ![]() | 5311 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP114N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 11.4mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1404ZSTRLPBF | 2.2000 | ![]() | 182 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF1404 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 180A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 25 V | - | 200W (TC) |
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