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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IRF6150	-	RFQ	9915	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	16 WFBGA	IRF615		Mosfet (Óxido de metal)	3W		16-FLIPFET ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)						20V	7.9a		36mohm @ 7.9a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	-		-	-
2PS06017E32G28213NOSA1	-	RFQ	7032	Infineon Technologies	Primestack ™	Una granela	Obsoleto		-25 ° C ~ 55 ° C	Monte del Chasis	Módulo	2PS06017				Estándar	Módulo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	2 Independientes																	-			-			Si
IPB80P04P4L04ATMA2	3.3000	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos®-P2	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80P		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P					40 V	80a (TC)	4.5V, 10V	4.7mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 250 µA	176 NC @ 10 V	+5V, -16V	11570 pf @ 25 V	-	125W (TC)
BC 817-25W E6327	-	RFQ	6917	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC 817			250 MW		PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																			45 V	500 mA			100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50 mm, 500 mA	160 @ 100mA, 1V	170MHz
IPB012N04NF2SATMA1	3.0100	RFQ	800	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB012		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					40 V	41a (TA), 197a (TC)	6V, 10V	1.25mohm @ 100a, 10v	3.4V @ 189 µA	239 NC @ 10 V	± 20V	11300 pf @ 20 V	-	3.8W (TA), 250W (TC)
IRLR7833CTRRPBF	-	RFQ	6052	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					30 V	140A (TA)	4.5V, 10V	-	-		± 20V		-	140W (TC)
BCX71JE6327HTSA1	0.3300	RFQ	45	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCX71			330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																			45 V	100 mA			20NA (ICBO)			PNP	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	250 @ 2mA, 5V	250MHz
IPA65R650CEXKSA1	1.4200	RFQ	7568	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA65R650		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					650 V	7a (TC)	10V	650mohm @ 2.1a, 10v	3.5V @ 210 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	28W (TC)
BCX 55-16 E6327	-	RFQ	6375	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BCX 55			2 W		PG-SOT89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																			60 V	1 A			100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	100MHz
DDB6U134N16RRBPSA1	119.0500	RFQ	5	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	Ddb6u134			500 W	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Piquero																	-	1200 V	70 A	2.75V @ 15V, 70a		500 µA	Si	5.1 NF @ 25 V
BSL307SPT	-	RFQ	7051	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSOP6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000012585	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P					30 V	5.5a (TA)	4.5V, 10V	43mohm @ 5.5a, 10V	2V @ 40 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	805 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IRL2505Strl	-	RFQ	9173	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					55 V	104a (TC)	4V, 10V	8mohm @ 54a, 10v	2V @ 250 µA	130 NC @ 5 V	± 16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IPD25N06S4L30ATMA2	0.9400	RFQ	374	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD25N06		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					60 V	25A (TC)	4.5V, 10V	30MOHM @ 25A, 10V	2.2V @ 8 µA	16.3 NC @ 10 V	± 16V	1220 pf @ 25 V	-	29W (TC)
IFS100B12N3E4_B39	-	RFQ	4469	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				515 W	Estándar	Módulo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Inversor trifásico																	Parada de Campo de Trinchera	1200 V	100 A	2.1V @ 15V, 100A		1 MA	Si	6.3 NF @ 25 V
IPB70N04S3-07	-	RFQ	2563	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB70N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					40 V	80a (TC)	10V	6.2mohm @ 70a, 10v	4V @ 50 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	79W (TC)
Auirfs3004-7trl	4.0122	RFQ	4019	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirfs3004		Mosfet (Óxido de metal)			D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					40 V	240a (TC)	10V	1.25mohm @ 195a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	9130 pf @ 25 V	-	380W (TC)
IRL3303D1strl	-	RFQ	2959	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	68W (TC)
IRLR2703PBF	-	RFQ	4013	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001567176	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					30 V	23a (TC)	4V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRF630NSPBF	-	RFQ	3340	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					200 V	9.3a (TC)	10V	300mohm @ 5.4a, 10V	4V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	575 pf @ 25 V	-	82W (TC)
IPD20N03L G	-	RFQ	2846	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD20N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 15a, 10v	2V @ 25 µA	19 NC @ 5 V	± 20V	695 pf @ 25 V	-	42W (TC)
FS75R17W2E4PB11BPSA1	86.4400	RFQ	18	Infineon Technologies	Easypack ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				20 MW	Estándar	Ag-Easy2b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	18	Inversor trifásico																	Parada de Campo de Trinchera	1700 V	45 A	2.3V @ 15V, 75a		35 µA	Si	6.8 NF @ 25 V
IRFI7446GPBF	-	RFQ	3313	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero			Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal					40 V	80a (TC)	10V	3.3mohm @ 48a, 10v	3.9V @ 100 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	3199 pf @ 25 V	-	40.5W (TC)
PTFA191001F V4	-	RFQ	5728	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA191001	1.96 GHz	Ldmos			H-37248-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			10 µA	900 mA	44dbm	17dB											-					30 V
BSC035N04LSGATMA1	1.4200	RFQ	42	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC035		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					40 V	21a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 50A, 10V	2V @ 36 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 20 V	-	2.5W (TA), 69W (TC)
Irfz44epbf	1.7700	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Irfz44		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					60 V	48a (TC)	10V	23mohm @ 29a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRFH7004TR2PBF	-	RFQ	1603	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8 vqfn			Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal					40 V	100A (TC)		1.4mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 150 µA	194 NC @ 10 V		6419 pf @ 25 V	-
BSC032N03SG	-	RFQ	3276	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					30 V	23a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 50A, 10V	2V @ 70 µA	39 NC @ 5 V	± 20V	5080 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 78W (TC)
IRF7524D1TR	-	RFQ	8056	Infineon Technologies	Fetky ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P					20 V	1.7a (TA)	2.7V, 4.5V	270mohm @ 1.2a, 4.5V	700mV @ 250 µA (min)	8.2 NC @ 4.5 V	± 12V	240 pf @ 15 V	Diodo Schottky (Aislado)	1.25W (TA)
SPI07N60C3	1.0800	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10V	3.9V @ 350 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	83W (TC)
Bsc750n10ndgatma1	-	RFQ	9063	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	BSC750N10		Mosfet (Óxido de metal)	26W		PG-TDSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)						100V	3.2a		75mohm @ 13a, 10v	4V @ 12 µA	11NC @ 10V		720pf @ 50V	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²