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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPC60R600E6X1SA1 | - |  | 4642 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC60 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000880474 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD03N50C3BTMA1 | - | | 4942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD03N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 560 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Irf7756tr | - | | 4589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | IRF775 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.3a | 40mohm @ 4.3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 18NC @ 4.5V | 1400pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | IPTG044N15NM5ATMA1 | 7.6300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Ala de Gaviota | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOG-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 150 V | 19.4a (TA), 174a (TC) | 8V, 10V | 4.4mohm @ 50A, 10V | 4.6V @ 235 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF3707ZCLPBF | - | | 6847 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 25 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BCR 179T E6327 | - | | 4520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 179 | 250 MW | PG-SC75-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSR315PL6327HTSA1 | - | | 8966 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SC59-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 620 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 800mohm @ 620 mm, 10v | 2V @ 160 µA | 6 NC @ 10 V | ± 20V | 176 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | 1.5464 | | 7392 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFSL4410 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 97a (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10v | 4V @ 150 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4820 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IHW30N65R5 | - | | 4933 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 176 W | PG-TO247-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 30a, 13ohm, 15V | 95 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 60 A | 90 A | 1.7V @ 15V, 30a | 850 µJ (Encendido), 240 µJ (apaguado) | 153 NC | 29ns/220ns | ||||||||||||||||||||||||||
| IRF7700GTRPBF | - | | 4838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 8.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 15mohm @ 8.6a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 89 NC @ 5 V | ± 12V | 4300 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFH7188TRPBF | - | | 7201 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fastirfet ™, hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 18A (TA), 105A (TC) | 10V | 6mohm @ 50a, 10v | 3.9V @ 150 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2116 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 132W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPN50R2K0CEATMA1 | 0.5700 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | IPN50R2 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3.6a (TC) | 13V | 2ohm @ 600mA, 13V | 3.5V @ 50 µA | 6 NC @ 10 V | ± 20V | 124 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRL3715ZCS | - | | 6396 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3715ZCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRFP1405PBF | 3.9200 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP1405 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 55 V | 95A (TC) | 10V | 5.3mohm @ 95a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRF4104L | - | | 2750 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf4104l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Bsc120n03lsgatma1 | 0.7200 | | 34 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 39A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSL314PEL6327HTSA1 | - | | 9799 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL314 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 1.5a | 140mohm @ 1.5a, 10v | 2V @ 6.3 µA | 2.9nc @ 10V | 294pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
| IPW60R299CP | 1.5300 | | 7843 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-IPW60R299CP | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfu3504pbf | - | | 2611 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 40 V | 30A (TC) | 10V | 9.2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF6785MTRPBF | 1.5674 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MZ | IRF6785 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mz | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 200 V | 3.4a (TA), 19a (TC) | 10V | 100mohm @ 4.2a, 10V | 5V @ 100 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | 1.6800 | | 991 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos®-T2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 45a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 64 NC @ 10 V | ± 16V | 4780 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BCR185E6433HTMA1 | - | | 9476 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR185 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | IRLU2703 | - | | 8897 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU2703 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 14a, 10v | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRLML2502GTRPBF | - | | 9757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro3 ™/SOT-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 12V | 740 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| IRF1302S | - | | 3456 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 174a (TC) | 10V | 4mohm @ 104a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Irf5851tr | - | | 5771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | IRF58 | Mosfet (Óxido de metal) | 960MW | 6-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2.7a, 2.2a | 90mohm @ 2.7a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | 400pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | BC857BWH6327 | 0.0400 | | 57 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC857 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 7.053 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFSL23N15DPBF | - | | 4113 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFSL23N15DPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 V | 23a (TC) | 10V | 90mohm @ 14a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Irfz44nlpbf | - | | 8599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Irfz44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 49a (TC) | 10V | 17.5mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Irfz44vs | - | | 8422 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ44VS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 55A (TC) | 10V | 16.5mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1812 pf @ 25 V | - | 115W (TC) |
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