SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies IRG4BC40W-SPBF -
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC40 Estándar 160 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 160 A 2.5V @ 15V, 20a 110 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) 98 NC 27ns/100ns
IRFU48ZPBF Infineon Technologies IRFU48ZPBF -
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10v 4V @ 50 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1720 pf @ 25 V - 91W (TC)
IPP80N06S2L07AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2L07AKSA2 3.2100
RFQ
 ECAD 742 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 2V @ 150 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3160 pf @ 25 V - 210W (TC)
IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R099C7XKSA1 6.2800
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10v 4V @ 490 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1819 pf @ 400 V - 33W (TC)
64-2084PBF Infineon Technologies 64-2084pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
IRF7101PBF Infineon Technologies IRF7101PBF -
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001559728 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal N (Dual) 20V 3.5a 100mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 15NC @ 10V 320pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BSP92PL6327 Infineon Technologies BSP92PL6327 -
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 250 V 260MA (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 260mA, 10V 2V @ 130 µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 104 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 kohms -
IQE018N06NM6ATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6ATMA1 1.0906
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQE018N06NM6ATMA1TR 5,000
BSC014N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC014N06LS5ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4988 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC014 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 - 60 V - - - - - - -
BCX53-16-E6433 Infineon Technologies BCX53-16-E6433 -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W PG-SOT89-4-2 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 50 mm, 2v 125MHz
IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R155CFD7XKSA1 4.2600
RFQ
 ECAD 453 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 155mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 320 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1283 pf @ 400 V - 77W (TC)
BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies Bsc265n10lsfgatma1 1.3100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC265 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 6.5a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 43 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 50 V - 78W (TC)
IRGP4072DPBF Infineon Technologies IRGP4072DPBF -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 180 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 240v, 40a, 10ohm, 15V 122 ns Zanja 300 V 70 A 120 A 1.7V @ 15V, 40A 409 µJ (Encendido), 838 µJ (apagado) 73 NC 18ns/144ns
IRLML5203TRPBF Infineon Technologies IRLML5203TRPBF 0.5400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML5203 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 3a (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
IPP80N06S2L-07 Infineon Technologies IPP80N06S2L-07 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 2V @ 150 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3160 pf @ 25 V - 210W (TC)
BC847PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BC847PNE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF7842PBF Infineon Technologies IRF7842PBF -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 40 V 18a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 2.25V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 4500 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
IPD60R650CEATMA1 Infineon Technologies IPD60R650CEATMA1 -
RFQ
 ECAD 8600 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
SPP73N03S2L-08 Infineon Technologies SPP73N03S2L-08 0.5500
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Infineon Technologies Optimos® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 105 N-canal 30 V 73a (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 36a, 10v 2V @ 55 µA 46.2 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPB60R380C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R380C6ATMA1 2.4800
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R380 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
BDP954H6327XTSA1 Infineon Technologies Bdp954h6327xtsa1 0.5094
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 5 W PG-SOT223-4-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R065P7AUMA1 8.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 41a (TC) 10V 65mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2895 pf @ 400 V - 201W (TC)
IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP530 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 21a (TC) 8V, 10V 53mohm @ 18a, 10v 4V @ 35 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 887 pf @ 75 V - 68W (TC)
IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Imza65r030m1hxksa1 21.0300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 53A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7V @ 8.8MA 48 NC @ 18 V +20V, -2V 1643 pf @ 400 V - 197W (TC)
IRF3709ZLPBF Infineon Technologies IRF3709ZLPBF -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies IPD30N08S222ATMA1 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD30N08 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 V 30A (TC) 10V 21.5mohm @ 50a, 10v 4V @ 80 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRFS4010-7PPBF Infineon Technologies IRFS4010-7PPBF -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 190a (TC) 10V 4mohm @ 110a, 10v 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 9830 pf @ 50 V - 380W (TC)
IRL1004SPBF Infineon Technologies IRL1004SPBF -
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL1004 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10v 1V @ 250 µA 100 NC @ 4.5 V ± 16V 5330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BCR133SH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR133SH643333TMA1 -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR133 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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