SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPP093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP093N06N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP093 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 9.3mohm @ 50A, 10V 4V @ 34 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 30 V - 71W (TC)
IPP80N06S2H5AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S2H5AKSA1 -
RFQ
ECAD 8912 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 230 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
BUZ22E3045A Infineon Technologies BUZ22E3045A 0.6400
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3GATMA1 3.5300
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC036 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 75 V 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 50A, 10V 3.8V @ 110 µA 63.4 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 37.5 V - 2.5W (TA), 156W (TC)
IPC60R280P7X7SA1 Infineon Technologies IPC60R280P7X7SA1 -
RFQ
ECAD 4407 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo IPC60R - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001681340 0000.00.0000 1 -
BSC0804LSATMA1 Infineon Technologies Bsc0804lsatma1 2.0100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0804 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 40A (TC) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 36 µA 14.6 NC @ 4.5 V ± 20V 2100 pf @ 50 V - 83W (TC)
IRLU2905Z Infineon Technologies IRLU2905Z -
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU2905Z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 36a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 16V 1570 pf @ 25 V - 110W (TC)
AUIRFB8407 Infineon Technologies Auirfb8407 7.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Auirfb8407 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10v 4V @ 150 µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7330 pf @ 25 V - 230W (TC)
BSO203PHXUMA1 Infineon Technologies BSO203PHXUMA1 -
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO203 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 7A 21mohm @ 8.2a, 4.5V 1.2V @ 100 µA 39NC @ 4.5V 3750pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
ISS06P011LXTSA1 Infineon Technologies ISS06P011LXTSA1 -
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto ISS06P - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001647734 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR108SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2 kohms 47 kohms
BSP129E6327T Infineon Technologies BSP129E6327T -
RFQ
ECAD 8558 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 240 V 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350mA, 10V 1V @ 108 µA 5.7 NC @ 5 V ± 20V 108 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R115CFD7AATMA1 6.3200
RFQ
ECAD 1136 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 115mohm @ 9.7a, 10v 4.5V @ 490 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 400 V - 114W (TC)
IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies IRFR540ZTRLPBF 1.1800
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR540 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10v 4V @ 50 µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
IRF7521D1TR Infineon Technologies IRF7521D1TR -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 2.4a (TA) 2.7V, 4.5V 135mohm @ 1.7a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 8 NC @ 4.5 V ± 12V 260 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1.3W (TA)
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S4L06ATMA2 1.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 90a, 10v 2.2V @ 40 µA 75 NC @ 10 V ± 16V 5680 pf @ 25 V - 79W (TC)
BCR129WH6327 Infineon Technologies BCR129WH6327 -
RFQ
ECAD 9787 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR129 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 7,123 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms
IRL3303STRRPBF Infineon Technologies IRL3303Strrpbf -
RFQ
ECAD 7593 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1 -
RFQ
ECAD 5616 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo - Montaje en superficie Morir IPC020N Mosfet (Óxido de metal) Aserrado en papel descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 1A (TJ) 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5V 2.1V @ 12 µA - - -
BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies Bfn27e6327htsa1 0.0812
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFN27 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 30 @ 30mA, 10V 100MHz
AUIRF4905 Infineon Technologies Auirf4905 -
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Auirf4905 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519228 EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 74a (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 25 V - 200W (TC)
BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies Bsp296nh643333tma1 0.9900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP296 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 1.2a (TA) 4.5V, 10V 600mohm @ 1.2a, 10V 1.8V @ 100 µA 6.7 NC @ 10 V ± 20V 152.7 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPD160N04LGBTMA1 Infineon Technologies IPD160N04LGBTMA1 -
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD160N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 30A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 30a, 10v 2V @ 10 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 20 V - 31W (TC)
IRF7703TRPBF Infineon Technologies IRF7703TRPBF -
RFQ
ECAD 4926 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 40 V 6a (TA) 4.5V, 10V 28mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 62 NC @ 4.5 V ± 20V 5220 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies IPU60R1K4C6AKMA1 -
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 90 µA 9.4 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N04S6N015ATMA1 1.6100
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 7V, 10V 1.55mohm @ 50A, 10V 3V @ 50 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3470 pf @ 25 V - 100W (TC)
BCX71GE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX71GE6327HTSA1 0.0529
RFQ
ECAD 8537 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF3711ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF3711ZSTRLPBF -
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 92a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
AUIRFR5305TRL Infineon Technologies Auirfr5305trl 3.0300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr5305 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
AUIRFR4292TRL Infineon Technologies Auirfr4292trl 1.0293
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr4292 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 9.3a (TC) 10V 345mohm @ 5.6a, 10v 5V @ 50 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 705 pf @ 25 V - 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock