SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R155CFD7XKSA1 4.2600
RFQ
 ECAD 453 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 155mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 320 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1283 pf @ 400 V - 77W (TC)
BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies Bsc265n10lsfgatma1 1.3100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC265 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 6.5a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 43 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 50 V - 78W (TC)
IRGP4072DPBF Infineon Technologies IRGP4072DPBF -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 180 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 240v, 40a, 10ohm, 15V 122 ns Zanja 300 V 70 A 120 A 1.7V @ 15V, 40A 409 µJ (Encendido), 838 µJ (apagado) 73 NC 18ns/144ns
IRLML5203TRPBF Infineon Technologies IRLML5203TRPBF 0.5400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML5203 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 3a (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
IPP80N06S2L-07 Infineon Technologies IPP80N06S2L-07 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 2V @ 150 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3160 pf @ 25 V - 210W (TC)
BC847PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BC847PNE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF7842PBF Infineon Technologies IRF7842PBF -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 40 V 18a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 2.25V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 4500 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
IPD60R650CEATMA1 Infineon Technologies IPD60R650CEATMA1 -
RFQ
 ECAD 8600 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
SPP73N03S2L-08 Infineon Technologies SPP73N03S2L-08 0.5500
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Infineon Technologies Optimos® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 105 N-canal 30 V 73a (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 36a, 10v 2V @ 55 µA 46.2 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPB60R380C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R380C6ATMA1 2.4800
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R380 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
BDP954H6327XTSA1 Infineon Technologies Bdp954h6327xtsa1 0.5094
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 5 W PG-SOT223-4-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R065P7AUMA1 8.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 41a (TC) 10V 65mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2895 pf @ 400 V - 201W (TC)
IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP530 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 21a (TC) 8V, 10V 53mohm @ 18a, 10v 4V @ 35 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 887 pf @ 75 V - 68W (TC)
IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Imza65r030m1hxksa1 21.0300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 53A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7V @ 8.8MA 48 NC @ 18 V +20V, -2V 1643 pf @ 400 V - 197W (TC)
IRF3709ZLPBF Infineon Technologies IRF3709ZLPBF -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies IPD30N08S222ATMA1 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD30N08 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 V 30A (TC) 10V 21.5mohm @ 50a, 10v 4V @ 80 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRFS4010-7PPBF Infineon Technologies IRFS4010-7PPBF -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 190a (TC) 10V 4mohm @ 110a, 10v 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 9830 pf @ 50 V - 380W (TC)
IRL1004SPBF Infineon Technologies IRL1004SPBF -
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL1004 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10v 1V @ 250 µA 100 NC @ 4.5 V ± 16V 5330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BCR133SH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR133SH643333TMA1 -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR133 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 kohms 10 kohms
IPI600N25N3G Infineon Technologies IPI600N25N3G -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0503nsiatma1 1.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0503 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 22a (TA), 88a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 36W (TC)
BCW66KE6359HTMA1 Infineon Technologies Bcw66ke6359htma1 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000271901 EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 800 Ma 20NA (ICBO) NPN 450mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 500mA, 1V 170MHz
IPB200N15N3G Infineon Technologies IPB200N15N3G -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 50A (TC) 8V, 10V 20mohm @ 50a, 10v 4V @ 90 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 75 V - 150W (TC)
SPA20N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA20N65C3XKSA1 4.3354
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa20n65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 20.7a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10v 3.9V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 34.5W (TC)
IRF135SA204 Infineon Technologies IRF135SA204 -
RFQ
 ECAD 5812 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, Variante d²pak (6 cables + Pestaña) IRF135 Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 135 V 160A (TC) 10V 5.9mohm @ 96a, 10v 4V @ 250 µA 315 NC @ 10 V ± 20V 11690 pf @ 50 V - 500W (TC)
SPB80N03S2L-06 G Infineon Technologies SPB80N03S2L-06 G -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 80a, 10v 2V @ 80 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPC60R600E6X1SA1 Infineon Technologies IPC60R600E6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo IPC60 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000880474 0000.00.0000 1 -
BCM856SH6778XTSA1 Infineon Technologies BCM856SH6778XTSA1 0.1398
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
SPD03N50C3BTMA1 Infineon Technologies SPD03N50C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 560 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRF7756TR Infineon Technologies Irf7756tr -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) IRF775 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a, 4.5V 900MV @ 250 µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
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AD9208BBPZ-3000

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