SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies IRFS3006TRLPBF 4.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS3006 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 8970 pf @ 50 V - 375W (TC)
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies IPB020NE7N3GATMA1 6.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB020 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 273 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14400 pf @ 37.5 V - 300W (TC)
IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies IRFR3707ZTRPBF 0.9400
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR3707 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 56a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 25 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1150 pf @ 15 V - 50W (TC)
IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies IPB60R099CPAATMA1 9.2400
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 105mohm @ 18a, 10v 3.5V @ 1.2MA 80 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - 255W (TC)
IQE018N06NM6ATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6ATMA1 1.0906
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQE018N06NM6ATMA1TR 5,000
IRLML5203TRPBF Infineon Technologies IRLML5203TRPBF 0.5400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML5203 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 3a (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 510 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
IPC60R600E6X1SA1 Infineon Technologies IPC60R600E6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo IPC60 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000880474 0000.00.0000 1 -
IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R065P7AUMA1 8.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 41a (TC) 10V 65mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2895 pf @ 400 V - 201W (TC)
BFP196WE6327 Infineon Technologies BFP196WE6327 0.1400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 700MW PG-SOT343-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12.5db ~ 19db 12V 150 Ma NPN 70 @ 50mA, 8V 7.5 GHz 1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies IRLMS6702TRPBF -
RFQ
 ECAD 7010 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLMS6702 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 2.4a (TA) 2.7V, 4.5V 200mohm @ 1.6a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 8.8 NC @ 4.5 V ± 12V 210 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
IPB200N15N3G Infineon Technologies IPB200N15N3G -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 50A (TC) 8V, 10V 20mohm @ 50a, 10v 4V @ 90 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 75 V - 150W (TC)
IRF135SA204 Infineon Technologies IRF135SA204 -
RFQ
 ECAD 5812 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, Variante d²pak (6 cables + Pestaña) IRF135 Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 135 V 160A (TC) 10V 5.9mohm @ 96a, 10v 4V @ 250 µA 315 NC @ 10 V ± 20V 11690 pf @ 50 V - 500W (TC)
IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Imza65r030m1hxksa1 21.0300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 53A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7V @ 8.8MA 48 NC @ 18 V +20V, -2V 1643 pf @ 400 V - 197W (TC)
IPB60R380C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R380C6ATMA1 2.4800
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R380 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R099C7XKSA1 6.2800
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10v 4V @ 490 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1819 pf @ 400 V - 33W (TC)
AUIRFR4105ZTRL Infineon Technologies Auirfr4105ztrl 0.9098
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr4105 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
BCR185SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR185SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR185 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
AUIRLR014NTRL Infineon Technologies Auirlr014ntrl -
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516046 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 10a (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 7.9 NC @ 5 V ± 16V 265 pf @ 25 V - 28W (TC)
SPA20N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA20N65C3XKSA1 4.3354
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa20n65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 20.7a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10v 3.9V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 34.5W (TC)
PTFB193408SVV1R250XTMA1 Infineon Technologies Ptfb193408svv1r250xtma1 -
RFQ
 ECAD 5575 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-34275G-6/2 1.99 GHz Ldmos H-34275G-6/2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001028958 Obsoleto 0000.00.0000 250 Fuente Común Dual - 2.65 A 80W 19dB - 30 V
IPW60R060C7 Infineon Technologies IPW60R060C7 -
RFQ
 ECAD 4633 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 400 V - 162W (TC)
IRLIZ44NPBF Infineon Technologies IRLIZ44NPBF -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 30A (TC) 4V, 10V 22mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 45W (TC)
IGT60R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies IGT60R070D1E8220ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN Ganfet (Nitruro de Galio) PG-HSOF-8-3 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 31a (TC) - - 1.6V @ 2.6mA -10V 380 pf @ 400 V - 125W (TC)
IRF3706STRR Infineon Technologies IRF3706Strr -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IPDD60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R075CFD7XTMA1 7.4400
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IPDD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 V 40A (TC) 75mohm @ 11.4a, 10v 4.5V @ 570 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2102 pf @ 400 V - 266W (TC)
IRLR3717TRLPBF Infineon Technologies IRLR3717TRLPBF -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567384 EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 20 V 120a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 31 NC @ 4.5 V ± 20V 2830 pf @ 10 V - 89W (TC)
IRFZ46NL Infineon Technologies Irfz46nl -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz46nl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1696 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
SPP100N06S2L-05 Infineon Technologies SPP100N06S2L-05 -
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp100n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 7530 pf @ 25 V - 300W (TC)
AUIRF7805Q Infineon Technologies AuIRF7805Q -
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522050 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5V 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
SPP80N03S2L05AKSA1 Infineon Technologies SPP80N03S2L05AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 55a, 10v 2V @ 110 µA 89.7 NC @ 10 V ± 20V 3320 pf @ 25 V - 167W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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