SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFB61N15DPBF Infineon Technologies IRFB61N15DPBF -
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 60A (TC) 10V 32mohm @ 36a, 10v 5.5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 3470 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 330W (TC)
IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA028N04NM3SXKSA1 2.4700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 89A (TC) 10V 2.8mohm @ 89a, 10v 4V @ 95 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 9500 pf @ 20 V - 38W (TC)
BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies Bsp296nh643333tma1 0.9900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP296 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 1.2a (TA) 4.5V, 10V 600mohm @ 1.2a, 10V 1.8V @ 100 µA 6.7 NC @ 10 V ± 20V 152.7 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 745 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 33W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 20A 26mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 10 µA 20NC @ 10V 1430pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPP80N06S2H5AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S2H5AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8912 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 230 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
BFR380FE6327 Infineon Technologies BFR380FE6327 1.0000
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 380MW PG-TSFP-3 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1 9.5db ~ 13.5db 9V 80mera NPN 90 @ 40mA, 3V 14GHz 1.1db ~ 1.6db @ 1.8Ghz ~ 3Ghz
IRF7420PBF Infineon Technologies IRF7420PBF -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001575602 EAR99 8541.29.0095 3.800 Canal P 12 V 11.5A (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 11.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 8V 3529 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IDYH40G200C5XKSA1 Infineon Technologies IdyH40G200C5XKSA1 39.6638
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 30
IPP80N06S2L06AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2L06AKSA2 -
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 69a, 10v 2V @ 180 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 250W (TC)
BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies Bfn27e6327htsa1 0.0812
RFQ
 ECAD 2327 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFN27 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 30 @ 30mA, 10V 100MHz
BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR108SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
 ECAD 3154 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2 kohms 47 kohms
BFR182E6327 Infineon Technologies BFR182E6327 0.0900
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250MW PG-SOT23 descascar EAR99 8541.21.0075 1 12db ~ 18db 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BSO203PHXUMA1 Infineon Technologies BSO203PHXUMA1 -
RFQ
 ECAD 3416 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO203 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 7A 21mohm @ 8.2a, 4.5V 1.2V @ 100 µA 39NC @ 4.5V 3750pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
AUIRFR120ZTRL Infineon Technologies Auirfr120ztrl -
RFQ
 ECAD 4253 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 8.7a (TC) 10V 190mohm @ 5.2a, 10v 4V @ 25 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 310 pf @ 25 V - 35W (TC)
IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N04S6N015ATMA1 1.6100
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 7V, 10V 1.55mohm @ 50A, 10V 3V @ 50 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3470 pf @ 25 V - 100W (TC)
IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R115CFD7AATMA1 6.3200
RFQ
 ECAD 1136 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 115mohm @ 9.7a, 10v 4.5V @ 490 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 400 V - 114W (TC)
IRLU2905Z Infineon Technologies IRLU2905Z -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU2905Z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 36a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 16V 1570 pf @ 25 V - 110W (TC)
PTFA210701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA210701FV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA210701 2.14 GHz Ldmos H-37265-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 550 Ma 18W 16.5dB - 30 V
IPD160N04LGBTMA1 Infineon Technologies IPD160N04LGBTMA1 -
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD160N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 30A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 30a, 10v 2V @ 10 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 20 V - 31W (TC)
IRL3303STRRPBF Infineon Technologies IRL3303Strrpbf -
RFQ
 ECAD 7593 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
AUIRFB8407 Infineon Technologies Auirfb8407 7.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Auirfb8407 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10v 4V @ 150 µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7330 pf @ 25 V - 230W (TC)
IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo - Montaje en superficie Morir IPC020N Mosfet (Óxido de metal) Aserrado en papel descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 1A (TJ) 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5V 2.1V @ 12 µA - - -
IRF3711ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF3711ZSTRLPBF -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 92a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA060N06NM5SXKSA1 1.1290
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA060 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 56a (TC) 6V, 10V 6mohm @ 56a, 10V 3.3V @ 36 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 30 V - 33W (TC)
BC 818-40 E6327 Infineon Technologies BC 818-40 E6327 -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 818 330 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies IRFR540ZTRLPBF 1.1800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR540 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10v 4V @ 50 µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
ISS06P011LXTSA1 Infineon Technologies ISS06P011LXTSA1 -
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto ISS06P - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001647734 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
PTFA192001F V4 R250 Infineon Technologies PTFA192001F V4 R250 -
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA192001 1.99 GHz Ldmos H-37260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.8 A 50W 15.9dB - 30 V
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies AIKB15N65DF5ATMA1 3.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AIKB15 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - Escrutinio 650 V 15 A - - -
IPD65R1K4CFDATMA2 Infineon Technologies IPD65R1K4CFDATMA2 0.5530
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 2.8a (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10v 4.5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 262 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
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    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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