SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
F3L100R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L100R12W2H3B11BPSA1 81.3800
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo F3L100 375 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico - 1200 V 100 A 1.75V @ 15V, 50A 1 MA Si 6.15 NF @ 25 V
BCV47E6393HTSA1 Infineon Technologies Bcv47e6393htsa1 -
RFQ
 ECAD 1452 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000010868 EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 170MHz
SPD50N03S2L-06 Infineon Technologies SPD50N03S2L-06 -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD50N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 50A, 10V 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
IPP220N25NFDAKSA1 Infineon Technologies IPP220N25NFDAKSA1 7.1600
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP220 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 61a (TC) 10V 22mohm @ 61a, 10v 4V @ 270 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 7076 pf @ 125 V - 300W (TC)
SPP07N60CFDHKSA1 Infineon Technologies Spp07n60cfdhksa1 -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 6.6a (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10V 5V @ 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IMT65R072M1HXUMA1 Infineon Technologies IMT65R072M1HXUMA1 12.3900
RFQ
 ECAD 1261 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-POWERSFN Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-HSOF-8-1 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 - 650 V - 18V - - - - -
BCP54E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP54E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP54 2 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
FP75R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies FP75R12KT4PBPSA1 225.5400
RFQ
 ECAD 2267 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FP75R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 150 A 2.15V @ 15V, 75a 1 MA Si 4.3 NF @ 25 V
IRF6678TRPBF Infineon Technologies IRF6678TRPBF -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 30A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 30a, 10V 2.25V @ 250 µA 65 NC @ 4.5 V ± 20V 5640 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
ISP06P005NXTSA1 Infineon Technologies ISP06P005NXTSA1 -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto ISP06P - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001728006 Obsoleto 0000.00.0000 1,000
BFP182RE7764HTSA1 Infineon Technologies Bfp182re7764htsa1 0.1510
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-143r BFP182 250MW PG-SOT143-4-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 22dB 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF9310TRPBF Infineon Technologies IRF9310TRPBF 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF9310 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 100 µA 165 nc @ 10 V ± 20V 5250 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MMBT3904LT3XT Infineon Technologies Mmbt3904lt3xt -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 50,000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
IPW60R0706P Infineon Technologies IPW60R0706P -
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-IPW60R0706P-448 1
IRG4BC20K-STRRP Infineon Technologies IRG4BC20K-STRP -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 60 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001532474 EAR99 8541.29.0095 800 480V, 9a, 50ohm, 15V - 600 V 16 A 32 A 2.8V @ 15V, 9a 150 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) 34 NC 28ns/150ns
IPC100N04S402ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S402ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPC100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 4V @ 80 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRFZ44ES Infineon Technologies Irfz44es -
RFQ
 ECAD 9241 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz44es EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 48a (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 110W (TC)
SPD02N80C3BTMA1 Infineon Technologies SPD02N80C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD02N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10v 3.9V @ 120 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 42W (TC)
IRF2805PBF Infineon Technologies IRF2805PBF 2.8600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF2805 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 4.7mohm @ 104a, 10v 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5110 pf @ 25 V - 330W (TC)
BSP50E6327HTSA1 Infineon Technologies BSP50E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP50 1.5 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 10 µA NPN - Darlington 1.8v @ 1 MMA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 200MHz
IRF7326D2PBF Infineon Technologies IRF7326D2PBF -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001559796 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 30 V 3.6a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
BCR 151L3 E6327 Infineon Technologies BCR 151L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 151 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 5MA, 5V 120 MHz 100 kohms 100 kohms
IKW03N120H2FKSA1 Infineon Technologies IKW03N120H2FKSA1 -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw03n Estándar 62.5 W PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 800V, 3a, 82ohm, 15V 42 ns - 1200 V 9.6 A 9.9 A 2.8V @ 15V, 3A 290 µJ 22 NC 9.2NS/281NS
IRF7464 Infineon Technologies IRF7464 -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7464 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 200 V 1.2a (TA) 10V 730mohm @ 720 mm, 10v 5.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFL4105TR Infineon Technologies Irfl4105tr -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 3.7a (TA) 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 25 V - 1W (TA)
IPI80N06S2L11AKSA2 Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA2 -
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 10.7mohm @ 40a, 10v 2V @ 93 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 2075 pf @ 25 V - 158W (TC)
IPB050N06NGATMA1 Infineon Technologies IPB050N06NGATMA1 -
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB050N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 100a, 10v 4V @ 270 µA 167 NC @ 10 V ± 20V 6100 pf @ 30 V - 300W (TC)
IRL3803STRL Infineon Technologies IRL3803Strl -
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 140A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 71a, 10V 1V @ 250 µA 140 NC @ 4.5 V ± 16V 5000 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPI072N10N3GXK Infineon Technologies IPI072N10N3GXK -
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI072N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000469900 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 80a (TC) 6V, 10V 7.2mohm @ 80a, 10v 3.5V @ 90 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 4910 pf @ 50 V - 150W (TC)
IRFB3207PBF Infineon Technologies IRFB3207PBF 2.9100
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 ECAD 3275 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3207 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 75 V 170A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 50 V - 330W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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