SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FS100R07PE4BOSA1 Infineon Technologies FS100R07PE4BOSA1 171.7100
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 4 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS100R07 335 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 650 V 100 A 1.95V @ 15V, 100A 1 MA Si 6.2 NF @ 25 V
IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies IPW65R660CFDFKSA1 -
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
SPN03N60C3 Infineon Technologies SPN03N60C3 -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Spn03n Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 700 mA (TA) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BCR08PNH6727XTSA1 Infineon Technologies Bcr08pnh6727xtsa1 0.0975
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR08 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2 kohms 47 kohms
BC848BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies Bc848bl3e6327xtma1 0.1136
RFQ
 ECAD 3477 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 250 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA2 9.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 400 V - 171W (TC)
94-3647PBF Infineon Technologies 94-3647pbf -
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 -
IPS040N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS040N03LGAKMA1 -
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000810846 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 38 NC @ 10 V 3900 pf @ 15 V - 79W (TC)
IRF7853TRPBF Infineon Technologies IRF7853TRPBF 1.4500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7853 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 8.3a (TA) 10V 18mohm @ 8.3a, 10v 4.9V @ 100 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPP024N06N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP024N06N3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP024N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000453358 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 196 µA 275 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 30 V - 250W (TC)
IRG4BC30UPBF Infineon Technologies IRG4BC30UPBF -
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 100 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.1V @ 15V, 12A 160 µJ (Encendido), 200 µJ (apaguado) 50 NC 17ns/78ns
IPD350N06LGBUMA1 Infineon Technologies IPD350N06LGBUMA1 -
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD350N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 29a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 29a, 10v 2V @ 28 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 800 pf @ 30 V - 68W (TC)
FZ1500R33HL3B60BPSA1 Infineon Technologies FZ1500R33HL3B60BPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ1500 2400000 W Estándar AG-IHVB190 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único Parada de Campo de Trinchera 3300 V 1500 A 2.85V @ 15V, 1.5ka 5 Ma No 280 NF @ 25 V
IRFH5020TR2PBF Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF -
RFQ
 ECAD 1797 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 200 V 5.1a (TA) 55mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 150 µA 54 NC @ 10 V 2290 pf @ 100 V -
BSO4822T Infineon Technologies BSO4822T -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.7a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12.7a, 10V 2V @ 55 µA 26.2 NC @ 5 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
AUIRFS3607TRL Infineon Technologies Auirfs3607trl -
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs3607 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520722 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10v 4V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
BSP123L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP123L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 370MA (TA) 2.8V, 10V 6ohm @ 370 mm, 10v 1.8V @ 50 µA 2.4 NC @ 10 V ± 20V 70 pf @ 25 V - 1.79W (TA)
IRGSL14C40LPBF Infineon Technologies IRGSL14C40LPBF -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Lógica 125 W Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 - - 430 V 20 A 1.75V @ 5V, 14A - 27 NC 900NS/6 µs
SPI80N06S2-08 Infineon Technologies SPI80N06S2-08 -
RFQ
 ECAD 5423 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 215W (TC)
64-4073PBF Infineon Technologies 64-4073pbf -
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo - 64-4073 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IRFU2405PBF Infineon Technologies Irfu2405pbf -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU2405 Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 56a (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2430 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRG7CH35UEF Infineon Technologies Irg7ch35uef -
RFQ
 ECAD 1367 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Irg7ch Estándar Morir descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado SP001536260 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 20a, 10ohm, 15V - 1200 V 1.6v @ 15V, 5a - 85 NC 30ns/160ns
IRF7353D1TR Infineon Technologies IRF7353D1TR -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 6.5a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
IRF6722STRPBF Infineon Technologies IRF6722STRPBF -
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001523918 EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 13a (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 13a, 10v 2.4V @ 50 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1320 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRGI4059DPBF Infineon Technologies IRGI4059DPBF -
RFQ
 ECAD 2659 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
IPZ60R060C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ60R060C7XKSA1 10.9000
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IPZ60R060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 400 V - 162W (TC)
IPP80N04S3-04 Infineon Technologies IPP80N04S3-04 -
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 4.1mohm @ 80a, 10v 4V @ 90 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 25 V - 136W (TC)
SPB21N10T Infineon Technologies SPB21N10T -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB21N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013626 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 21a (TC) 10V 80mohm @ 15a, 10v 4V @ 44 µA 38.4 NC @ 10 V ± 20V 865 pf @ 25 V - 90W (TC)
BC 858A E6327 Infineon Technologies BC 858A E6327 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,460 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 250MHz
IRG7PH35U-EP Infineon Technologies IRG7PH35U-EP -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG7PH35 Estándar 210 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549426 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 20a, 10ohm, 15V Zanja 1200 V 55 A 60 A 2.2V @ 15V, 20a 1.06mj (Encendido), 620 µJ (apaguado) 130 NC 30ns/160ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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