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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC0906NSE8189ATMA1 | - |  | 7728 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 18A (TA), 63A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPI032N06N3GE8214AKSA1 | - | | 6516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI032N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 3.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 118 µA | 165 nc @ 10 V | ± 20V | 13000 pf @ 30 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||
 | ISP20EP10LMXTSA1 | 0.7900 | | 7724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP20E | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 650MA (TA), 990MA (TC) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 600mA, 10V | 2V @ 78 µA | 3.5 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 50 V | - | 1.8W (TA), 4.2W (TC) | |||||||||||||||||
 | Ipd11dp10nmatma1 | 1.8500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD11D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 3.4a (TA), 22a (TC) | 10V | 111mohm @ 18a, 10v | 4V @ 1.7MA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||
 | IST011N06NM5AUMA1 | 6.2100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Ist011n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 38a (TA), 399A (TC) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 3.3V @ 148 µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 8100 pf @ 30 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | |||||||||||||||||
 | ISC022N10NM6ATMA1 | 5.0900 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC022N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSON-8-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 25A (TA), 230A (TC) | 8V, 10V | 2.24mohm @ 50A, 10V | 3.3V @ 147 µA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 6880 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 254W (TC) | |||||||||||||||||
| IST019N08NM5AUMA1 | 4.4700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Ist019n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 32A (TA), 290A (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 148 µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | |||||||||||||||||
 | ISC027N10NM6ATMA1 | 4.0800 | | 6757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC027N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-ISC027N10NM6ATMA1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 23a (TA), 192a (TC) | 8V, 10V | 2.7mohm @ 50A, 10V | 3.3V @ 116 µA | 72.5 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 217W (TC) | ||||||||||||||||
 | Ipb330p10nmatma1 | 5.4700 | | 762 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB330P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 6.9a (TA), 62a (TC) | 10V | 33mohm @ 53a, 10v | 4V @ 5.55 Ma | 236 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||
 | ISP98DP10LMXTSA1 | 0.8200 | | 9168 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP98D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 930MA (TA), 1.55A (TC) | 4.5V, 10V | 980mohm @ 900 mA, 10V | 2V @ 165 µA | 7.2 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 50 V | - | 1.8W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||
 | ISC030N10NM6ATMA1 | 3.4200 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC030N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 21a (TA), 179A (TC) | 8V, 10V | 3mohm @ 50a, 10v | 3.3V @ 109 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 208W (TC) | |||||||||||||||||
 | IPB19DP10NMATMA1 | 2.2400 | | 975 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB19D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 2.9a (TA), 13.8a (TC) | 10V | 185mohm @ 12a, 10v | 4V @ 1.04mA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||
 | FF300R08W2P2B11ABOMA1 | 89.8700 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF300R08 | 20 MW | Estándar | Ag-Easy2B-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 2 Independientes | - | 750 V | 200 A | 1.18V @ 15V, 200a | 1 MA | Si | 53 NF @ 50 V | |||||||||||||||||||
| SIGC15T60SEX7SA1 | - | | 2648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC15 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 30 A | 90 A | 2.05V @ 15V, 30A | - | - | ||||||||||||||||||||
| SIGC28T65EX1SA1 | - | | 2052 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC28 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 50 A | 150 A | 1.77V @ 15V, 50A | - | - | ||||||||||||||||||||
| IGC08T65U12QX7SA1 | - | | 9953 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA60R650CEE8210XKSA1 | - | | 8037 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 9.9a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||
| 6MS30017E43W33015NOSA1 | - | | 9955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Modstack ™ HD | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | - | descascar | Alcanzar sin afectado | 448-6MS30017E43W33015NOSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de puente entero | - | 1700 V | 1800 A | - | No | ||||||||||||||||||||||||
| PSDC212F0835632NOSA1 | - | | 2089 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 448-PSDC212F0835632NOSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC193T120T12RMAX7SA1 | - | | 3114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS150R12N2T7BPSA2 | 248.6053 | | 4976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS150R12 | 20 MW | Estándar | Ag-Econo2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 150 A | 1.8v @ 15V, 150a | 1.2 µA | Si | 30.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 | 216.9100 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | F3L8MR12 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DDB6U50N16W1RBPSA1 | 62.9600 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ddb6u50 | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Easy1b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Piquero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 50 A | 1.5V @ 15V, 50A | 6.2 µA | No | 11.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| IWM013N06NM5XUMA1 | 2.3184 | | 8180 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 4.800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP75R12N2T7B11BPSA2 | 183.5400 | | 7010 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 1.55V @ 15V, 75a | 14 µA | Si | 15.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| FS3L25R12W2H3PB11BPSA1 | 92.7500 | | 4575 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS200R10W3S7B11BPSA1 | 140.5200 | | 5328 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™, Trenchstop ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS200 | 20 MW | Estándar | Ag-Easy3b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 8 | Inversor de puente entero | Parada de Campo de Trinchera | 950 V | 130 A | 1.98v @ 15V, 150a | 53 µA | Si | 13 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||
 | IMZA120R007M1HXKSA1 | 90.3000 | | 2668 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO247-4-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 225a (TC) | 15V, 18V | 9.9mohm @ 108a, 18V | 5.2V @ 47MA | 220 NC @ 18 V | +20V, -5V | 9170 NF @ 25 V | - | 750W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPB042N10NF2SATMA1 | - | | 5444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP35R12N2T7B11BPSA2 | 123.6900 | | 9217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP35R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 35 A | 1.6v @ 15V, 35a | 7 µA | Si | 6.62 NF @ 25 V |
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