- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP057N08N3GHKSA1 | - |  | 6857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP057M | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000395165 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 5.7mohm @ 80a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 40 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PSC71K | - | | 4297 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Estándar | 350 W | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480v, 60a, 5ohm, 15V | - | 600 V | 85 A | 200 A | 2.3V @ 15V, 60A | 790 µJ (Encendido), 1.98mj (apagado) | 340 NC | 34ns/54ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirfs3107trl | 6.8600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirfs3107 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 195a (TC) | 10V | 3mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9370 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB09N03LAT | - | | 2100 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB09N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000016271 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 1642 pf @ 15 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR3704TRLPBF | - | | 5554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001571636 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 75A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1996 pf @ 10 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB120N04S401ATMA1 | 4.0900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 1.5mohm @ 100a, 10v | 4V @ 140 µA | 176 NC @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF600R12KT4HOSA1 | 313.0000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | Estándar | AG-62 mm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 600 A | 2.2V @ 15V, 600A | 5 Ma | No | 38 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 | 104.9700 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | DF17MR12 | SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | N-canal | 1200 V | 45a (TJ) | 15V, 18V | 16.2mohm @ 50a, 18V | 5.15V @ 20MA | 149 NC @ 18 V | +20V, -7V | 4400 pf @ 800 V | - | 20MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS25R12W1T4PBPSA1 | - | | 3966 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS25R12 | 205 W | Estándar | Ag-Easy1b-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001621800 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 45 A | 2.25V @ 15V, 25A | 1 MA | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA65R095C7XKSA1 | 6.4700 | | 6023 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA65R095 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 95mohm @ 11.8a, 10V | 4V @ 590 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2140 pf @ 400 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGR3B60KD2PBF | - | | 8391 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRGR3B60KD2PBF | Estándar | 52 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 3A, 100OHM, 15V | 77 ns | Escrutinio | 600 V | 7.8 A | 15.6 A | 2.4V @ 15V, 3a | 62 µJ (Encendido), 39 µJ (apaguado) | 13 NC | 18ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA240451E V1 R250 | - | | 5675 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Goldmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Fin Lidera | 2.48GHz | Ldmos | H-30265-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 450 Ma | 45W | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA070601FV4XWSA1 | - | | 2783 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | PTFA070601 | 760MHz | Ldmos | H-37265-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 80 | - | 600 mA | 60W | 19.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG 196 E6327 | - | | 9257 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BFG 196 | 800MW | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 9dB ~ 14.5dB | 12V | 150 Ma | NPN | 70 @ 50mA, 8V | 7.5 GHz | 1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC850CWE6327HTSA1 | - | | 1964 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC850 | 250 MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bts129nksa1 | 6.3600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS139L6327HTSA1 | - | | 1163 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 100 mA (TA) | 0V, 10V | 14ohm @ 0.1ma, 10V | 1V @ 56 µA | 3.5 NC @ 5 V | ± 20V | 76 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4796 | - | | 5493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF1010 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 85A (TC) | 10V | 11mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 3210 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTAC240502FCV1XWSA1 | - | | 7767 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Descontinuado en sic | 65 V | Monte del Chasis | H-37248-4 | 2.62GHz ~ 2.4GHz | Ldmos | H-37248-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | SP001153422 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 120 Ma | 50W | 14.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD130N10NF2SATMA1 | 1.2000 | | 9802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 11a (TA), 52A (TC) | 6V, 10V | 13mohm @ 30a, 10v | 3.8V @ 30 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC030N03MSGATMA1 | 1.1800 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC030 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 5700 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irf7755tr | - | | 4331 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | IRF775 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.9a | 51mohm @ 3.7a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1090pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPU21N05L | 1.0000 | | 4213 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | P-to251-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10v | 2V @ 40 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bcr10pnh6730xtma1 | - | | 7777 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR10 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100mA | - | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 130MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 183F E6327 | - | | 6102 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-723 | BCR 183 | 250 MW | PG-TSFP-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfs6535 | - | | 9367 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirfs6535 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001516136 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 300 V | 19a (TC) | 10V | 185mohm @ 11a, 10v | 5V @ 150 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFHS9351TRPBF | 0.8900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 vqfn | IRFHS9351 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 6-PQFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.3a | 170mohm @ 3.1a, 10V | 2.4V @ 10 µA | 3.7nc @ 10V | 160pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spp03n60c3hksa1 | - | | 6636 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp03n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPT60R102G7XTMA2 | - | | 7976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-ipt60r102g7xtma2-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aihd06n60rfatma1 | - | | 8988 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Aihd06 | Estándar | 100 W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001346850 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 6a, 23ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 12 A | 18 A | 2.5V @ 15V, 6a | 90 µJ (Encendido), 90 µJ (apaguado) | 48 NC | 8ns/105ns |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)