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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies P2000DL45X168HPSA1 10.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Un 200af P2000D Estándar BG-P16826K-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Zanja 4500 V 2000 A 2.5V @ 15V, 2000a 200 µA No 420 nf @ 25 V
BFP182WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bfp182we6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP182 250MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 22dB 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
FZ1800R17HE4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ1800R17HE4B9HOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ1800 11500 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único - 1700 V 1800 A 2.3V @ 15V, 1800A 5 Ma No 145 NF @ 25 V
IRL8113STRLPBF Infineon Technologies IRL8113Strlpbf -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 105A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
BCR 169F E6327 Infineon Technologies BCR 169F E6327 -
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 169 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R330P6FKSA1 -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 330mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 370 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1010 pf @ 100 V - 93W (TC)
IRLML5103TRPBF Infineon Technologies IRLML5103TRPBF 0.5400
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML5103 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 760MA (TA) 4.5V, 10V 600mohm @ 600 mA, 10V 1V @ 250 µA 5.1 NC @ 10 V ± 20V 75 pf @ 25 V - 540MW (TA)
BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS123NH643333TMA1 0.4300
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 100 V 190MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10v 1.8V @ 13 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 20.9 pf @ 25 V - 500MW (TA)
SPP21N50C3XKSA1 Infineon Technologies Spp21n50c3xksa1 4.9600
RFQ
 ECAD 481 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp21n50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 21a (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10v 3.9V @ 1MA 95 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 208W (TC)
IPP60R1K4C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R1K4C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 90 µA 1.1 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
IRF7807D2TR Infineon Technologies IRF7807D2TR -
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TC)
IPI80N06S405AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S405AKSA1 -
RFQ
 ECAD 2485 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 5.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 60 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 25 V - 107W (TC)
BSP135 E6906 Infineon Technologies BSP135 E6906 -
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 1V @ 94 µA 4.9 NC @ 5 V ± 20V 146 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
IRFH3702TR2PBF Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF -
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 16A (TA), 42A (TC) 7.1mohm @ 16a, 10v 2.35V @ 25 µA 14 NC @ 4.5 V 1510 pf @ 15 V -
IRG4BC30S-SPBF Infineon Technologies IRG4BC30S-SPBF -
RFQ
 ECAD 1317 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC30S-SPBF Estándar 100 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480v, 18a, 23ohm, 15V - 600 V 34 A 68 A 1.6v @ 15V, 18a 260 µJ (Encendido), 3.45mj (apagado) 50 NC 22ns/540ns
IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S408AATMA1 1.7900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 65W PG-TDSON-8-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 40V 20A 7.6mohm @ 17a, 10v 4V @ 30 µA 36nc @ 10V 2940pf @ 25V -
IRGBC30U Infineon Technologies Irgbc30u -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 100 W Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 - 600 V 23 a 3V @ 15V, 12A
FZ400R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FZ400R17KE4HOSA1 193.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ400R17 2500 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 550 A 2.3V @ 15V, 400A 1 MA No 49 NF @ 25 V
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies IPD80R1K0CEATMA1 1.7400
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD80R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 5.7a (TC) 10V 950mohm @ 3.6a, 10V 3.9V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 785 pf @ 100 V - 83W (TC)
IRL5602STRL Infineon Technologies IRL5602Strl -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 20 V 24a (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 8V 1460 pf @ 15 V - 75W (TC)
IRL1004STRRPBF Infineon Technologies IRL1004STRPBF -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL1004 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568218 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10v 1V @ 250 µA 100 NC @ 4.5 V ± 16V 5330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPP60R280E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280E6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R280 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 430 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
BFS 17P E6433 Infineon Technologies BFS 17P E6433 -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFS 17 280MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25 Ma NPN 40 @ 2mA, 1V 1.4GHz 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
SPB02N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB02N60C3ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB02N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 80 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
IPB075N04LG Infineon Technologies IPB075N04LG -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG A 263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 50A, 10V 2V @ 20 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 56W (TC)
IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies IRFR3711ZTRPBF 1.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR3711 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
IRF7807D2 Infineon Technologies IRF7807D2 -
RFQ
 ECAD 3477 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TA)
BCR 22PN H6727 Infineon Technologies BCR 22PN H6727 -
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR 22 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22 kohms 22 kohms
BCR191 Infineon Technologies BCR191 -
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR19 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 9,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1 7.7500
RFQ
 ECAD 884 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB64N25 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 64a (TC) 10V 20mohm @ 64a, 10V 4V @ 270 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 25 V - 300W (TC)
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