SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BSS123E6327 Infineon Technologies BSS123E6327 -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 1.8V @ 50 µA 2.67 NC @ 10 V ± 20V 69 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R140M1HXKSA1 11.1000
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IMZ120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 19a (TC) 15V, 18V 182mohm @ 6a, 18V 5.7V @ 2.5mA 13 NC @ 18 V +23V, -7V 454 pf @ 800 V - 94W (TC)
AUIRFR1018E Infineon Technologies Auirfr1018e -
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr1018 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 56a (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10v 4V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2290 pf @ 50 V - 110W (TC)
IRFR5410TRLPBF Infineon Technologies IRFR5410TRLPBF -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR5410 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 66W (TC)
IPB80P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA1 -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 150 µA 104 NC @ 10 V ± 16V 6580 pf @ 25 V - 88W (TC)
IPB50N10S3L16ATMA2 Infineon Technologies IPB50N10S3L16ATMA2 -
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos®-T Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Alcanzar sin afectado 448-IPB50N10S3L16ATMA2TR EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10v 2.4V @ 60 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 4180 pf @ 25 V - 100W (TC)
SPP03N60S5XKSA1 Infineon Technologies SPP03N60S5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp03n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 5.5V @ 135 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 420 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRFB4410PBF Infineon Technologies Irfb4410pbf 3.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4410 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 100 V 88a (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 200W (TC)
SGB20N60ATMA1 Infineon Technologies Sgb20n60atma1 -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgb20n Estándar 179 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20a, 16ohm, 15V Escrutinio 600 V 40 A 80 A 2.4V @ 15V, 20a 440 µJ (Encendido), 330 µJ (apagado) 100 NC 36NS/225NS
IPP60R600CP Infineon Technologies IPP60R600CP 0.6400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 60W (TC)
IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R095C7XKSA1 7.2100
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R095 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 95mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2140 pf @ 400 V - 128W (TC)
BSB280N15NZ3G Infineon Technologies BSB280N15NZ3G -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2-5 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 9A (TA), 30A (TC) 10V 28mohm @ 30a, 10v 4V @ 60 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 75 V - 2.8W (TA), 57W (TC)
IRFB3207PBF Infineon Technologies IRFB3207PBF 2.9100
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3207 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 75 V 170A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 50 V - 330W (TC)
IPA126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 1029 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 35A (TC) 6V, 10V 12.6mohm @ 35a, 10v 3.5V @ 45 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 33W (TC)
AUIRLS3114Z Infineon Technologies Auirls3114z -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516760 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 56a (TC) 10V 4.9mohm @ 56a, 10V 2.5V @ 100 µA 53 NC @ 4.5 V ± 16V 3617 pf @ 25 V - 143W (TC)
SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies Skw25n120fksa1 10.5373
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Skw25n Estándar 313 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 800V, 25A, 22ohm, 15V 90 ns Escrutinio 1200 V 46 A 84 A 3.6V @ 15V, 25A 3.7mj 225 NC 45ns/730ns
IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies IPD30N06S215ATMA2 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD30N06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 14.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 80 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1485 pf @ 25 V - 136W (TC)
IPI60R125CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R125CPXKSA1 7.0000
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R125 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 16A, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
BG3130H6327XTSA1 Infineon Technologies BG3130H6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BG3130 800MHz Mosfet PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 25 Ma 14 MA - 24db 1.3db 5 V
AUIRF3805STRL Infineon Technologies Auirf3805strl 3.8306
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521114 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 160A (TC) 3.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 290 NC @ 10 V 7960 pf @ 25 V - 300W (TC)
BCR198SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR198SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
 ECAD 8609 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR198 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 190MHz 47 kohms 47 kohms
SPP80N03S2L-03 Infineon Technologies SPP80N03S2L-03 -
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8180 pf @ 25 V - 300W (TC)
AUIRF7379QTR Infineon Technologies Auirf7379qtr -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Auirf7379 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520160 EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 30V 5.8a, 4.3a 45mohm @ 5.8a, 10v 3V @ 250 µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF9540NSPBF Infineon Technologies IRF9540NSPBF -
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570626 EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 23a (TC) 10V 117mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 110W (TC)
IGB03N120H2ATMA1 Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1 1.2896
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IGB03 Estándar 62.5 W PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 800V, 3a, 82ohm, 15V - 1200 V 9.6 A 9.9 A 2.8V @ 15V, 3A 290 µJ 22 NC 9.2NS/281NS
IRF7707TR Infineon Technologies IRF7707TR -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 7a (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 47 NC @ 4.5 V ± 12V 2361 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
IPA60R360P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies IPA60R360P7SE8228XKSA1 0.8421
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 22W (TC)
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFP4568PBFXKMA1 8.2900
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 150 V 171a (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10v 5V @ 250 µA 227 NC @ 10 V ± 30V 10470 pf @ 50 V - 517W (TC)
IRF7757TRPBF Infineon Technologies IRF7757TRPBF -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) IRF7757 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566434 EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 4.8a 35mohm @ 4.8a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 23NC @ 4.5V 1340pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB042 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 4.2mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
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